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Si5473DC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.027 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.0335 @ V
GS
= - 2.5 V
0.045 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 8.1
- 7.3
- 6.3
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
低R
DS （ ON）
和出色的功率处理能力在
紧凑的设计
应用
D
电池和负载开关，用于便携式设备
S
1206-8 ChipFET
r
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BI
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
订货信息：
Si5473DC-T1
产品编号
CODE
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 8.1
- 5.9
"20
- 2.1
2.5
1.3
- 55 150
260
- 5.9
- 4.3
- 1.1
1.3
0.7
W
_C
A
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
Si5473DC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.9 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 5.3 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5.9 A
I
S
= - 1.1 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.022
0.028
0.036
20
- 0.8
- 1.2
0.027
0.0335
0.045
S
V
W
- 0.40
- 1.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.9 A
21
3.1
6.0
25
50
145
90
70
40
75
220
135
105
ns
32
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2 V
15
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
10
1.5 V
5
8
T
C
= - 55_C
4
25_C
0
0.0
- 55_C
1.0
1.5
2.0
2.5
1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
2
Si5473DC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.08
0.06
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.00
0.04
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.9 A
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.9 A
4
3
2
1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
I
D
= 5.9 A
0.04
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
3
Si5473DC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
m
A
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
Si5473DC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
5
Si5473DC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.027 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.0335 @ V
GS
= - 2.5 V
0.045 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 8.1
- 7.3
- 6.3
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
低R
DS （ ON）
和出色的功率处理能力在
紧凑的设计
应用
D
电池和负载开关，用于便携式设备
S
1206-8 ChipFET
r
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BI
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
订货信息：
Si5473DC-T1
产品编号
CODE
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 8.1
- 5.9
"20
- 2.1
2.5
1.3
- 55 150
260
- 5.9
- 4.3
- 1.1
1.3
0.7
W
_C
A
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
Si5473DC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.9 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 5.3 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5.9 A
I
S
= - 1.1 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.022
0.028
0.036
20
- 0.8
- 1.2
0.027
0.0335
0.045
S
V
W
- 0.40
- 1.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.9 A
21
3.1
6.0
25
50
145
90
70
40
75
220
135
105
ns
32
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2 V
15
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
10
1.5 V
5
8
T
C
= - 55_C
4
25_C
0
0.0
- 55_C
1.0
1.5
2.0
2.5
1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
2
Si5473DC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.08
0.06
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.00
0.04
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.9 A
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.9 A
4
3
2
1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
I
D
= 5.9 A
0.04
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
3
Si5473DC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
m
A
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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文档编号： 72261
S- 31265 -REV 。 A， 16军03
Si5473DC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
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Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
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10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
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- 1
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SG117L
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SML50H19
SL1ICS3101
SDC03
SN64BCT757
SST39VF1681-90-4I-EK
S83C752-1DB
S-80822CNY-x
SM5006AHAS
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