Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.045 @ V
GS
= --4.5 V
0.060 @ V
GS
= --2.5 V
0.082 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--6.2
--5.4
--4.6
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
5.4 k
标识代码
LA
XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
产品编号
CODE
D
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5461EDC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
C，D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
--6.2
--4.5
--20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--4.5
--3.2
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。当使用HBM 。 MM的评级是300 V.
。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
4.5
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.0 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.0 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.037
0.050
0.066
12
--0.7
--1.2
0.045
0.060
0.082
S
V
--0.45
1.5
--1
--5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
12.5
2.0
4.0
2.5
4.5
27
15
3.5
8.0
40
25
mS
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.m
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5直通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
20
T
C
= --55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
125_C
传输特性
12
12
8
1.5 V
4
0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1V
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2-2
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
0.12
0.09
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.0 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 5.0 A
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
阈值电压
50
单脉冲功率
40
V
GS （ TH）
方差（ V）
20
10
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--3
10
--2
10
--1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
栅源电压与电流门
1000
10,000
1,000
800
T
A
= 25_C
100
10
1
400
I
GSS
（MA ）
200
I
GSS
（MA ）
0.1
0.01
0.001
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.0001
0.10
栅源电压与电流门
600
150_C
25_C
1
10
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-5
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.045 @ V
GS
= --4.5 V
0.060 @ V
GS
= --2.5 V
0.082 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--6.2
--5.4
--4.6
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
5.4 k
标识代码
LA
XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
产品编号
CODE
D
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5461EDC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
C，D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
--6.2
--4.5
--20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--4.5
--3.2
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。当使用HBM 。 MM的评级是300 V.
。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
4.5
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.0 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.0 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.037
0.050
0.066
12
--0.7
--1.2
0.045
0.060
0.082
S
V
--0.45
1.5
--1
--5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
12.5
2.0
4.0
2.5
4.5
27
15
3.5
8.0
40
25
mS
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.m
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5直通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
20
T
C
= --55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
125_C
传输特性
12
12
8
1.5 V
4
0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1V
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2-2
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
0.12
0.09
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.0 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 5.0 A
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
阈值电压
50
单脉冲功率
40
V
GS （ TH）
方差（ V）
20
10
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--3
10
--2
10
--1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
栅源电压与电流门
1000
10,000
1,000
800
T
A
= 25_C
100
10
1
400
I
GSS
（MA ）
200
I
GSS
（MA ）
0.1
0.01
0.001
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.0001
0.10
栅源电压与电流门
600
150_C
25_C
1
10
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-5
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.045 @ V
GS
= --4.5 V
0.060 @ V
GS
= --2.5 V
0.082 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--6.2
--5.4
--4.6
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
5.4 k
标识代码
LA
XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
产品编号
CODE
D
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5461EDC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
C，D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
--6.2
--4.5
--20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--4.5
--3.2
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。当使用HBM 。 MM的评级是300 V.
。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
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2-1
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
4.5
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.0 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.0 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.037
0.050
0.066
12
--0.7
--1.2
0.045
0.060
0.082
S
V
--0.45
1.5
--1
--5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.0 A
12.5
2.0
4.0
2.5
4.5
27
15
3.5
8.0
40
25
mS
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.m
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5直通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
20
T
C
= --55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
125_C
传输特性
12
12
8
1.5 V
4
0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1V
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2-2
文档编号： 71413
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Si5461EDC
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
0.12
0.09
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.0 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 5.0 A
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2-3
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
阈值电压
50
单脉冲功率
40
V
GS （ TH）
方差（ V）
20
10
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--3
10
--2
10
--1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
栅源电压与电流门
1000
10,000
1,000
800
T
A
= 25_C
100
10
1
400
I
GSS
（MA ）
200
I
GSS
（MA ）
0.1
0.01
0.001
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.0001
0.10
栅源电压与电流门
600
150_C
25_C
1
10
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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2-4
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
Si5461EDC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71413
S- 21251 -REV 。 C， 05 - 8 - 02
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2-5
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