Si5433BDC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
0.070 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.7
5.9
5.0
15
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr功率MOSFET
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
S
G
标识代码
BL
XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
零件编号代码
底部视图
订货信息：
Si5433BDC-T1—E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"8
单位
V
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
55
150
260
4.8
3.5
A
1.1
1.3
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
85
17
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
1
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
4.8
A
I
S
=
1.1
A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.041
0.056
18
0.8
1.2
0.037
0.050
0.070
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
15
2.4
3.6
10
12
25
80
55
30
25
40
120
85
60
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
12
12
125_C
8
传输特性
8
1.5 V
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
2
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.12
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.8 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 4.8 A
0.06
0.04
0.02
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
3
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
时间（秒）
安全工作区
I
DM
有限
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
Vishay Siliconix公司
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73208 。
文档编号： 73208
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5
Si5433BDC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
0.070 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.7
5.9
5.0
15
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr功率MOSFET
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
S
G
标识代码
BL
XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
零件编号代码
底部视图
订货信息：
Si5433BDC-T1—E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"8
单位
V
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
55
150
260
4.8
3.5
A
1.1
1.3
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
85
17
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
1
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
4.8
A
I
S
=
1.1
A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.041
0.056
18
0.8
1.2
0.037
0.050
0.070
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
15
2.4
3.6
10
12
25
80
55
30
25
40
120
85
60
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
12
12
125_C
8
传输特性
8
1.5 V
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
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2
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.12
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.8 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 4.8 A
0.06
0.04
0.02
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
3
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
时间（秒）
安全工作区
I
DM
有限
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
Vishay Siliconix公司
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73208 。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
5
Si5433BDC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
0.070 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.7
5.9
5.0
15
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr功率MOSFET
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
S
G
标识代码
BL
XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
零件编号代码
底部视图
订货信息：
Si5433BDC-T1—E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"8
单位
V
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
55
150
260
4.8
3.5
A
1.1
1.3
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
85
17
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
1
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
4.8
A
I
S
=
1.1
A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.041
0.056
18
0.8
1.2
0.037
0.050
0.070
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
15
2.4
3.6
10
12
25
80
55
30
25
40
120
85
60
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
12
12
125_C
8
传输特性
8
1.5 V
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
2
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.12
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.8 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 4.8 A
0.06
0.04
0.02
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
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3
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
时间（秒）
安全工作区
I
DM
有限
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
Vishay Siliconix公司
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73208 。
文档编号： 73208
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5
Si5433BDC
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
0.070 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.7
5.9
5.0
15
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr功率MOSFET
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
S
G
标识代码
BL
XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
零件编号代码
底部视图
订货信息：
Si5433BDC-T1—E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"8
单位
V
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
55
150
260
4.8
3.5
A
1.1
1.3
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
85
17
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
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1
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
4.8
A
I
S
=
1.1
A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.041
0.056
18
0.8
1.2
0.037
0.050
0.070
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.8
A
15
2.4
3.6
10
12
25
80
55
30
25
40
120
85
60
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
12
12
125_C
8
传输特性
8
1.5 V
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
V
DS
漏极至源极电压（ V）
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V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
2
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.12
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.8 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 4.8 A
0.06
0.04
0.02
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
www.vishay.com
3
Si5433BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
时间（秒）
安全工作区
I
DM
有限
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
Si5433BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
Vishay Siliconix公司
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73208 。
文档编号： 73208
S- 42241 - Rev.A的， 13日-12月04
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5
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