规格比较
Vishay Siliconix公司
Si5404BDC与Si5404DC
描述：N沟道， 2.5 -V （G -S ）的MOSFET
包装：
1206-8 ChipFETr
引脚输出：
相同
型号替换：
Si5404BDC -T1替换Si5404DC -T1
Si5404BDC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费版）替换Si5404DC -T1 -E3
业绩概要：
该Si5404BDC是替代原有的Si5404DC ;这两部分进行相同的限制，包括对参
下面的表格。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si5404BDC
20
"12
7.5
5.4
20
2.1
2.5
1.3
55
150
50
Si5404DC
20
"12
7.2
5.2
20
2.1
2.5
1.3
55
150
50
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si5404BDC
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
20
0.022
0.031
26
0.7
0.028
0.039
0.6
1.5
"100
1
20
0.016
0.038
20
0.8
1.2
0.019
0.045
0.6
"100
1
V
nA
mA
A
W
S
V
Si5404DC
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
7
1.7
2
1.7
11
12
2.4
3.2
NS *
W
18
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
源漏反向恢复时间
* NS表示在原始数据表中没有指定的参数。
文档编号： 73275
05-Jan-05
www.vishay.com
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
12
12
25
10
20
20
20
40
20
40
20
40
40
15
30
30
60
60
23
60
ns
1
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
7.2
5.9
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AB XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息：
Si5404DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
7.2
5.2
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
5.2
3.8
A
1.1
1.3
0.7
- 55 150
260
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
1
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.2 A
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.025
0.038
20
0.8
1.2
0.030
0.045
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
12
2.4
3.2
20
40
40
15
30
30
60
60
23
60
ns
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
16
20
传输特性
12
12
8
2V
4
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
8
T
C
= 125_C
4
25_C
0
0.0
- 55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
V
GS
= 2.5 V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
- 电容（pF ）
1800
1500
1200
900
600
300
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.2 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.2 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.06
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 5.2 A
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.0
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
7.2
5.9
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AB XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息：
Si5404DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
7.2
5.2
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
5.2
3.8
A
1.1
1.3
0.7
- 55 150
260
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
1
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.2 A
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.025
0.038
20
0.8
1.2
0.030
0.045
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
12
2.4
3.2
20
40
40
15
30
30
60
60
23
60
ns
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
16
20
传输特性
12
12
8
2V
4
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
8
T
C
= 125_C
4
25_C
0
0.0
- 55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
V
GS
= 2.5 V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
- 电容（pF ）
1800
1500
1200
900
600
300
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.2 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.2 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.06
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 5.2 A
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.0
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
SPICE器件模型Si5404BDC
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 5V栅极驱动下的温度范围内工作。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73127
08-Sep-04
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1
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
7.2
5.9
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AB XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息：
Si5404DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
7.2
5.2
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
5.2
3.8
A
1.1
1.3
0.7
- 55 150
260
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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1
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.2 A
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.025
0.038
20
0.8
1.2
0.030
0.045
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.2 A
12
2.4
3.2
20
40
40
15
30
30
60
60
23
60
ns
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
16
20
传输特性
12
12
8
2V
4
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
8
T
C
= 125_C
4
25_C
0
0.0
- 55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
V
GS
= 2.5 V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
- 电容（pF ）
1800
1500
1200
900
600
300
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.2 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.2 A
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.06
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 5.2 A
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
T
J
= 25_C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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3
Si5404DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.0
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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4
文档编号： 71057
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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