Si5402DC
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
()
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.3
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AA XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息:
Si5402DC-T1
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
B,C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
20
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
1.1
1.3
0.7
--55到150
260
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚(漏极)
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜(未镀)作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证,并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号: 71062
S- 21251 -REV 。 C, 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5402DC
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
()
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.3
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AA XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息:
Si5402DC-T1
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
B,C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
20
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
1.1
1.3
0.7
--55到150
260
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚(漏极)
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜(未镀)作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证,并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号: 71062
S- 21251 -REV 。 C, 05 - 8 - 02
www.vishay.com
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
()
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.3
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AA XX
很多可追溯性
和日期代码
底部视图
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
订货信息:
Si5402DC-T1
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
B,C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
20
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
1.1
1.3
0.7
--55到150
260
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚(漏极)
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜(未镀)作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证,并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号: 71062
S- 21251 -REV 。 C, 05 - 8 - 02
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