Si5402BDC
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
6.7
6.1
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.042 @ V
GS
= 4.5 V
1206-8 ChipFETr
1
D
D
D
D
S
D
D
G
D
G
标识代码
AD
XXX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si5402BDC -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
"20
6.7
4.8
20
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
A
1.1
1.3
0.7
55
150
260
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
80
18
最大
50
95
22
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73051
S- 41495 -REV 。 A， 09军， 04
www.vishay.com
1
Si5402BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.9 A
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.029
0.035
19
0.8
1.2
0.035
0.042
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 4.9 A
10
1.9
1.6
14
10
10
27
10
20
15
15
40
15
60
ns
W
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
0
0.0
4
3V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73051
S- 41495 -REV 。 A， 09军， 04
2
Si5402BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
800
700
C
电容（pF）
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
C
国际空间站
600
500
400
300
200
100
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
Vishay Siliconix公司
电容
0.02
0.01
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 4.9 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.9 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
I
D
= 4.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73051
S- 41495 -REV 。 A， 09军， 04
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3
Si5402BDC
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
0
10
2
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
20
10
25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 73051
S- 41495 -REV 。 A， 09军， 04
Si5402BDC
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 73051
S- 41495 -REV 。 A， 09军， 04
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5
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