Si533
R
EVISION
D
D
ü A L
F
Q ü简
C
R的TA L
O
S·C I L L A T O服务
（XO）
（ 10 M·H
T O服务
1.4克
Z
)
特点
适用于任何速率输出
从10兆赫至945兆赫的频率
并选择频率为1.4 GHz的
2可选输出频率
第三代DSPLL
具有超强的
抖动性能
3倍优于频率稳定度
基于SAW的振荡器
1脚输出使能（ OE ）
内部固定晶振频率
确保高可靠性和低
老化
可用CMOS ， LVPECL ，
LVDS和CML输出
3.3 ， 2.5 ，和1.8 V电源选项
行业标准的5× 7毫米
封装和引脚排列，
无铅/符合RoHS标准
Si5602
应用
SONET / SDH的
联网
SD / HD视频
时钟和数据恢复
FPGA / ASIC时钟发生器
订货信息：
见第7页。
描述
该Si533双频XO采用Silicon Laboratories的高级
DSPLL
电路，用以提供一个低抖动时钟在高频率。该Si533
可在任一速率输出频率为10至945兆赫和选择
频率为1400兆赫。不同于传统的XO ，在不同的晶体
需要对每一个输出频率， Si533使用一个固定的晶向
提供宽范围的输出频率。该IC为基础的方法可以让
晶体谐振器，提供卓越的频率稳定性和可靠性。
此外， DSPLL时钟合成提供优越的电源噪声抑制，
简化了产生在嘈杂环境中的低抖动时钟的任务
通常在通信系统中。该Si533 IC基于XO是工厂
可配置为各种用户规范包括频率，
供电电压，输出格式和温度稳定性。具体
配置是厂家在出厂时编程，从而
消除了与定制振荡器相关的交货时间长。
引脚分配：
请参见第6页。
（ TOP VIEW ）
OE
FS
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
CLK “
CLK +
LVDS / LVPECL / CML
功能框图
V
DD
CLK- CLK +
OE
FS
1
2
3
CMOS
6
5
4
V
DD
NC
CLK +
固定
频率
XO
任意速率
10-1400兆赫
DSPLL
时钟
合成
GND
OE
FS
GND
修订版1.1 6/07
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
Si533
Si533
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
电源电压
1
符号
V
DD
测试条件
3.3 V选项
2.5 V选项
1.8 V选项
电源电流
I
DD
输出启用
LVPECL
CML
LVDS
CMOS
三态模式
输出使能（ OE ）
和频率选择（ FS ）
2
工作温度范围
T
A
V
IH
V
IL
民
2.97
2.25
1.71
—
—
—
—
—
0.75× V
DD
—
–40
典型值
3.3
2.5
1.8
111
99
90
81
60
—
—
—
最大
3.63
2.75
1.89
121
108
98
88
75
—
0.5
85
V
C
V
单位
mA
注意事项：
1.
部件编号指定的可选参数。请参阅第7页上的第3 "Ordering Information"进一步的细节。
2.
OE和FS管脚包括一个17 kΩ的上拉电阻到V
DD
.
表2. CLK ±输出频率特性
参数
标称频率
1,2
符号
f
O
测试条件
LVPECL / LVDS / CML
CMOS
民
10
10
—
–7
–20
–50
典型值
—
—
±1.5
—
—
—
—
—
最大
945
160
—
+7
+20
+50
±3
±10
单位
兆赫
初始精度
f
i
1,3
测量温度为25 ℃，时间
航运
PPM
温度稳定性
PPM
PPM
PPM
老化
f
a
频率漂移元年
频率漂移超过15年的寿命
—
—
注意事项：
1.
请参阅第7页上的第3 "Ordering Information"进一步的细节。
2.
部件编号指定在订购时。在频率也可从970到1134 MHz和1213年至1417年兆赫。
3.
部件编号指定的可选参数。
4.
从上电或三态模式到f时间
O
.
2
修订版1.1
Si533
表2. CLK ±输出频率特性（续）
参数
符号
测试条件
温度稳定性为± 7ppm的
总稳定性
温度稳定性=± 20 ppm的
温度稳定性= ± 50 ppm的
通电时间
4
建立时间FS更改后
t
OSC
t
FRQ
民
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
±20
±31.5
±61.5
10
10
单位
PPM
PPM
PPM
ms
ms
注意事项：
1.
请参阅第7页上的第3 "Ordering Information"进一步的细节。
2.
部件编号指定在订购时。在频率也可从970到1134 MHz和1213年至1417年兆赫。
3.
部件编号指定的可选参数。
4.
从上电或三态模式到f时间
O
.
表3. CLK ±输出电平与对称
参数
LVPECL输出选项
1
符号
V
O
V
OD
V
SE
测试条件
中级
摆动（DI FF ）
摆动（单端）
中级
摆动（DI FF ）
民
V
DD
– 1.42
1.1
0.55
1.125
0.5
典型值
—
最大
V
DD
– 1.25
1.9
0.95
1.275
0.9
单位
V
V
PP
V
PP
V
V
PP
—
—
1.20
0.7
LVDS输出选项
2
V
O
V
OD
CML输出选项
2
V
O
V
OD
中级
摇摆
（ DIFF ）
I
OH
= 32毫安
I
OL
= 32毫安
—
0.70
0.8× V
DD
V
DD
– 0.75
0.95
—
—
—
1
—
—
1.20
V
DD
V
V
PP
V
CMOS输出选项
3
V
OH
V
OL
—
—
—
45
0.4
350
—
55
上升/下降时间（20 /80％ ）
t
R,
t
F
LVPECL / LVDS / CML
CMOS用C
L
= 15 pF的
ps
ns
%
对称性（占空比）
符号
LVPECL ：
LVDS ：
CMOS ：
V
DD
- 1.3 V （差异）
1.25 V （差异）
V
DD
/2
注意事项：
1.
50
到V
DD
– 2.0 V.
2.
R
TERM
= 100
（差分） 。
3.
C
L
= 15 pF的
修订版1.1
3
Si533
表4. CLK ±输出相位抖动
参数
相位抖动（ RMS ） *
适用于F
OUT
> 500兆赫
相位抖动（ RMS ） *
适用于F
OUT
125至500兆赫的
符号
测试条件
12 kHz至20 MHz的（ OC- 48 ）
50 kHz至80 MHz的（ OC -192 ）
民
—
—
—
—
典型值
0.25
0.26
0.36
0.34
最大
0.40
0.37
0.50
0.42
ps
单位
ps
φ
J
φ
J
12 kHz至20 MHz的（ OC- 48 ）
50千赫至20兆赫（ OC-192 ）
*注意：
差分模式： LVPECL / LVDS / CML 。请参考AN256了解更多信息。
表5. CLK ±输出周期抖动
参数
周期抖动*
符号
J
每
测试条件
RMS
峰 - 峰值
民
—
—
典型值
2
14
最大
—
—
单位
ps
*注意：
任何输出模式，包括CMOS ， LVPECL ， LVDS ， CML 。 N = 1000次。请参考AN279了解更多信息。
表6. CLK ±输出相位噪声（典型值）
偏移频率（f ）
100赫兹
1千赫
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
100兆赫
120.00兆赫
LVDS
–112
–122
–132
–137
–144
–150
不适用
156.25兆赫
LVPECL
–105
–122
–128
–135
–144
–147
不适用
622.08兆赫
LVPECL
–97
–107
–116
–121
–134
–146
–148
单位
dBc的/赫兹
4
修订版1.1
Si533
表7.绝对最大额定值
1
参数
最大工作温度
电源电压
输入电压（任何输入引脚）
储存温度
ESD敏感度（ HBM ，每JESD22- A114 ）
焊接温度（无铅资料）
2
焊接温度时间@ T
PEAK
（无铅资料）
2
符号
T
AMAX
V
DD
V
I
T
S
ESD
T
PEAK
t
P
等级
85
-0.5到+3.8
-0.5到V
DD
+ 0.3
-55到+125
2500
260
20–40
单位
C
伏
伏
C
伏
C
秒
注意事项：
1.
超出的绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。实用
操作或技术要求的不是在这些条件暗示的保证。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2.
该器件符合JEDEC J- STD-020C标准。请参阅Si5xx包装常见问题可供下载
www.silabs.com/VCXO
欲了解更多信息，包括焊接型材。
表8.环保法规
该Si533符合下列资格考试的要求。
参数
机械冲击
机械振动
可焊性
格罗斯&精细泄漏
耐溶剂性
条件/试验方法
MIL- STD- 883F ，方法2002.3 B
MIL- STD- 883F ，方法2007.3一
MIL- STD- 883F ，方法203.8
MIL- STD- 883F ，方法1014.7
MIL- STD- 883F ，方法; 2016年
修订版1.1
5
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