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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1384页 > SI5330A-A00202-GM
Si5330
1 。 8/2 。 5/3 。 3 V L
O w制备
- J
I T T E
, L
O w制备
- S
EW
C
1。· C k的
B
ü F F é
/ L
V 左
T
R A北南L A T O服务
特点
18
17
16
15
14
13
7
8
9
10
11
12
支持单端或
差分输入时钟信号
产生四个差分
( LVPECL , LVDS , HCSL )或八
单端( CMOS , SSTL ,
HSTL )输出
提供信号电平转换
差分至单端
单端至差分
差分至差分
单端转单端
宽的频率范围
LVPECL,LVDS : 5至710 MHz的
HCSL : 5至250 MHz的
SSTL , HSTL : 5至350 MHz的
CMOS :5至200兆赫
附加抖动: 150 fs的RMS (典型值)
RSVD_GND
CLK0A
CLK0B
VDD
VDDO0
20
小尺寸: 24引脚4 ×4mm的
QFN
24
23
22
21
19
OEB
CLK1A
CLK1B
VDDO1
VDDO2
CLK2A
CLK2B
RSVD_GND
输出输出偏斜: 100 ps的
传播延迟: 2.5纳秒(典型值)
单核供应优良
PSRR : 1.8 , 2.5或3.3 V
输出驱动器电源电压
自主核心供电: 1.5 ,
1.8 , 2.5或3.3 V
信号丢失( LOS )指示
允许系统时钟监控
输出使能( OEB )引脚允许
输出时钟毛刺控制
低功耗10 mA典型的核心
当前
工业级温度范围:
-40至+85
°
C
订货信息:
参见第14页。
引脚分配
IN1
IN2
IN3
1
应用
2
3
高速时钟分配
以太网交换机/路由器
SONET / SDH的
的PCI Express 2.0 / 3.0
光纤通道
MSAN / DSLAM / PON
电信线卡
RSVD_GND
RSVD_GND
RSVD_GND
GND
GND
CLK3B
功能框图
V
DD
V
DDO0
CLK0
Si5330
V
DDO1
CLK1
单端
or
迪FF erential
IN
V
DDO2
CLK2
单端
or
迪FF erential
V
DDO3
LOS
OEB
控制
CLK3
1.0版4/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
VDDO3
VDD
LOS
CLK3A
4
5
6
Si5330
Si5330
基于订购的部件编号1.功能框图
*
1 : 4差分至差分缓冲器
Si5330A/B/C
V
DDO0
CLK0A
CLK0B
IN1
IN2
IN3
V
DDO1
CLK1A
CLK1B
V
DDO2
CLK2A
CLK2B
LOS
OEB
控制
V
DDO3
CLK3A
CLK3B
LOS
OEB
控制
IN1
IN2
IN3
1 : 8单端至单端缓冲区
Si5330F
V
DDO0
CLK0A
CLK0B
V
DDO1
CLK1A
CLK1B
V
DDO2
CLK2A
CLK2B
V
DDO3
CLK3A
CLK3B
1 : 8路差分至单端缓冲区
Si5330G/H/J
V
DDO0
CLK0A
CLK0B
IN1
IN2
IN3
V
DDO1
CLK1A
CLK1B
V
DDO2
CLK2A
CLK2B
LOS
OEB
1 : 4单端至差分缓冲器
Si5330K/L/M
V
DDO0
CLK0A
CLK0B
IN3
IN1
IN2
V
DDO1
CLK1A
CLK1B
V
DDO2
CLK2A
CLK2B
LOS
OEB
控制
V
DDO3
CLK3A
CLK3B
控制
V
DDO3
CLK3A
CLK3B
图1. Si5330功能框图
*注意:
请参阅表11详细的订购信息。
2
1.0版
Si5330
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
基于可订购的部件号* 1功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
2.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
3.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.1 。 VDD和VDDO用品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.2 。丢失信号指示灯( LOS ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.3 。输出使能( OEB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.4 。输入信号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.5 。输出驱动器格式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
3.6 。输入和输出终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
4.订购的Si5330 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
5.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
6.可订购的部件号和设备功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
7.包装外形: 24引脚QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
8.推荐的PCB布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
9.顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
9.1 。 Si5330顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
9.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.18
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.19
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
1.0版
3
Si5330
2.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
(V
DD
= 1.8 V -5% + 10 % , 2.5 V± 10 % ,或3.3 V± 10 % ,T
A
= -40 85 ℃)下
参数
环境温度
符号
T
A
测试条件
–40
2.97
典型值
25
3.3
2.5
1.8
最大
85
3.63
2.75
1.98
3.63
单位
°C
V
V
V
V
核心供电电压
V
DD
2.25
1.71
输出缓冲器供应
电压
V
DDon
1.4
注意:
所有的最小值和最大值的保证,并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于标称电源电压和25℃的操作温度,除非另有说明。
表2.直流特性
(V
DD
= 1.8 V -5% + 10 % , 2.5 V± 10 % ,或3.3 V± 10 % ,T
A
= -40 85 ℃)下
参数
核心供电电流
符号
I
DD
测试条件
50 MHz的REFCLK
LVPECL , 710兆赫
LVDS , 710兆赫
HCSL , 250兆赫
2 pF负载电容
典型值
10
最大
30
8
20
19
28
28
19
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
输出缓冲器的电源电流
I
DDOX
SSTL , 350 MHz的
CMOS , 50 MHz的
15 pF的电容负载
CMOS , 200 MHz的
2 pF负载电容
HSTL , 350 MHz的
4
1.0版
Si5330
表3.性能特点
(V
DD
= 1.8 V -5% + 10 % , 2.5 V± 10 % ,或3.3 V± 10 % ,T
A
= -40 85 ℃)下
参数
信号断言的CLKIN损失
时间
信号解除断言的CLKIN损失
时间
输入 - 输出传输
延迟
输出输出扭曲
POR到输出时钟有效
符号
t
LOS
t
LOS_B
t
PROP
t
DSKEW
t
开始
测试条件
典型值
2.6
0.2
2.5
最大
5
1
4.0
100
2
单位
s
s
ns
ps
ms
在最初的启动时间有
过期
0.01
在输出相同的信号
格式
启动时间输出
表4.输入和输出时钟特性
(V
DD
= 1.8 V -5% + 10 % , 2.5 V± 10 % ,或3.3 V± 10 % ,T
A
= -40 85 ℃)下
参数
符号
测试条件
典型值
最大
单位
输入时钟(AC耦合差分时钟输入引脚电平IN1 / 2 )
频率
差分电压摆幅
上升/下降时间
占空比
输入阻抗
输入电容
f
IN
V
PP
t
R
/t
F
DC
R
IN
C
IN
710 MHz的输入
20%–80%
< 1纳秒TR / TF
5
0.4
40
10
50
3.5
710
2.4
1.0
60
兆赫
V
PP
ns
%
k
pF
输入时钟( DC -再配上针IN3单端输入时钟)
频率
输入电压
输入电压摆幅
( CMOS标准)
上升/下降时间
占空比
输入电容
输出时钟(差分)
频率
f
OUT
LVPECL , LVDS
HCSL
5
5
710
250
兆赫
兆赫
t
R
/t
F
DC
C
IN
f
IN
V
I
200兆赫, TR /铁蛋白= 1.3纳秒
20%–80%
< 2纳秒TR / TF
CMOS
HSTL , SSTL
5
5
–0.1
0.8
40
50
2
200
350
VDD
4
60
兆赫
兆赫
V
VPP
ns
%
pF
1.0版
5
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    SI5330A-A00202-GM
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    -
    -
    -
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