半导体
SI5315 -H / SI5315 -H （B ）
IRED
特点
无色透明镜片类型
φ5mm(T-13/4)
所有塑料模具类型
低功耗
高辐射强度
应用
具有低正向电压红外遥控和自由的空气传输系统和
结合舒适的照射角度要求与PIN光电二极管或光敏晶体管。
外形尺寸
单位：
mm
直筒型
5.0±
0.2
挡块型
5.0±
0.2
8.6±
0.2
0.8±
0.2
0.8±
0.2
8.6±
0.2
3.4±
0.5
0.5
23.0 MIN
0.5
23.0 MIN
1.0分钟
2.54喃
2.54喃
1.0分钟
1
2
5.8±
0.2
1
2
5.8±
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLI-8006-001
1
SI5315 -H / SI5315 -H （B ）
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
*
2
焊接温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
评级
150
100
1
4
-25½85
-30½100
260 ℃ ，持续5秒
单位
mW
mA
A
V
℃
℃
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到红外发光二极管封装的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电气特性
特征
正向电压
辐射强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
符号
V
F
I
E
测试条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
=4V
I
F
= 50毫安
分钟。
-
20
-
-
-
-
典型值。
1.3
40
950
50
-
±20
马克斯。
1.7
-
-
-
10
-
单位
V
毫瓦/ SR
nm
nm
uA
度
λ
P
Δ
λ
I
R
θ
1
/
2
*
3
半角
*3.
θ
1/2是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度
KLI-8006-001
2
SI5315 -H / SI5315 -H （B ）
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
E
- I
F
正向电压V
F
[V]
辐射强度I
E
[毫瓦/锶]
正向电流I
F
[马]
正向电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
正向电流I
F
[马]
相对强度[％]
环境温度Ta [
℃
]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5辐射图
相对辐射强度I
E
[%]
KLI-8006-001
3
QQ：2880707522 复制
