Si4973DY
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道25 - V（G -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
0.029 @ V
GS
= - 6 V
- 6.8
特点
I
D
(A)
- 7.6
r
DS （ ON）
(W)
0.023 @ V
GS
= - 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
25-V V
GS
提供额外的头部空间为
安全运行
应用
D
笔记本
- 负荷开关
- 电池充电器开关
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
订购信息： Si4973DY
Si4973DY -T1 （带编带和卷轴）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 1.7
2.0
1.3
- 55 150
- 6.1
- 30
- 0.9
1.1
0.7
W
_C
- 4.6
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 30
"25
单位
V
- 7.6
- 5.8
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
45
85
26
最大
62.5
110
35
单位
° C / W
C / W
1
Si4973DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
门体
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"25
V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
V
GS
= - 6 V，I
D
= - 6.8 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.018
0.023
22
- 0.8
- 1.2
0.023
0.029
-1
-3
"100
nA
"200
-1
- 25
mA
A
W
S
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
37
6
11
10
15
115
90
80
15
25
180
140
120
ns
56
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
4V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
18
18
24
30
传输特性
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
- 55_C
0
0.0
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
2
Si4973DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
500
0.005
0.000
0
6
12
18
24
30
0
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
2500
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 10 V
1000
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.6 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.6 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
20
30
40
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 7.6 A
T
J
= 25_C
0.04
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
3
Si4973DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
I
D
= 250
mA
0.0
功率（W）的
30
20
- 0.2
10
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到环境
100
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
1
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
Si4973DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
5
Si4973DY
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道25 - V（G -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
0.029 @ V
GS
= - 6 V
- 6.8
特点
I
D
(A)
- 7.6
r
DS （ ON）
(W)
0.023 @ V
GS
= - 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
25-V V
GS
提供额外的头部空间为
安全运行
应用
D
笔记本
- 负荷开关
- 电池充电器开关
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
订购信息： Si4973DY
Si4973DY -T1 （带编带和卷轴）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 1.7
2.0
1.3
- 55 150
- 6.1
- 30
- 0.9
1.1
0.7
W
_C
- 4.6
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 30
"25
单位
V
- 7.6
- 5.8
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
45
85
26
最大
62.5
110
35
单位
° C / W
C / W
1
Si4973DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
门体
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"25
V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
V
GS
= - 6 V，I
D
= - 6.8 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.018
0.023
22
- 0.8
- 1.2
0.023
0.029
-1
-3
"100
nA
"200
-1
- 25
mA
A
W
S
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 7.6 A
37
6
11
10
15
115
90
80
15
25
180
140
120
ns
56
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
4V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
18
18
24
30
传输特性
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
- 55_C
0
0.0
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
2
Si4973DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
500
0.005
0.000
0
6
12
18
24
30
0
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
2500
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 10 V
1000
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.6 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.6 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
20
30
40
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 7.6 A
T
J
= 25_C
0.04
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
3
Si4973DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
I
D
= 250
mA
0.0
功率（W）的
30
20
- 0.2
10
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到环境
100
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
1
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
Si4973DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72164
S- 03599 -REV 。 A， 31 -MAR -03
www.vishay.com
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