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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第326页 > SI4965DY
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
-8
r
DS （ ON）
(W)
0.021 @ V
GS
= - 4.5 V
0.027 @ V
GS
= - 2.5 V
0.040 @ V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 8.0
- 7.0
- 5.8
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4965DY
Si4965DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
P沟道MOSFET
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
-8
"8
- 8.0
- 6.4
- 30
- 1.7
2.0
1.3
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
典型
93
最大
62.5
单位
° C / W
1
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 7.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 5.8 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 8.0 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.0175
0.022
0.031
27
- 1.2
0.021
0.027
0.040
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 4 V ，R
L
= 4
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 4 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8.0 A
36
7.5
5.0
35
45
170
90
60
70
90
340
180
90
ns
55
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
30
2V
24
传输特性
T
C
= - 55_C
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
25_C
18
18
125_C
12
1.5 V
6
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
12
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.08
导通电阻与漏电流
7000
6000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.06
V
GS
= 1.8 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
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0.00
0
6
12
18
24
30
C
国际空间站
5000
4000
3000
2000
1000
C
RSS
0
0
2
4
6
8
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 8.0 A
栅极电荷
1.5
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8.0 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
16
24
32
40
4
1.2
3
2
0.9
1
0
0
8
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
0.06
I
D
= 8.0 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
I
D
= 250
mA
30
25
单脉冲功率
20
15
10
5
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
4
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
-8
r
DS （ ON）
(W)
0.021 @ V
GS
= - 4.5 V
0.027 @ V
GS
= - 2.5 V
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GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 8.0
- 7.0
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S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4965DY
Si4965DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
P沟道MOSFET
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
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T
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符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
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J
, T
英镑
极限
-8
"8
- 8.0
- 6.4
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2.0
1.3
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
典型
93
最大
62.5
单位
° C / W
1
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
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GS
, I
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DS
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=
"8
V
V
DS
= - 8 V, V
GS
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DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 7.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
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正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
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V
DS
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D
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S
= - 1.7 A，V
GS
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- 20
0.0175
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0.031
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0.021
0.027
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S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
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nA
mA
A
符号
测试条件
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典型值
最大
单位
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b
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栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
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Q
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D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
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F
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L
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I
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^
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根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
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= - 4 V, V
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= - 4.5 V，I
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5.0
35
45
170
90
60
70
90
340
180
90
ns
55
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70826
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Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
30
2V
24
传输特性
T
C
= - 55_C
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
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18
18
125_C
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1.5 V
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0.0
0.5
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导通电阻与漏电流
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电容
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W
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OSS
I
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导通电阻与结温
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
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50
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100
125
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T
J
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www.vishay.com
3
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
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10
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V
GS
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阈值电压
0.4
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方差（ V）
0.2
功率（W）的
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0.0
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1
时间（秒）
10
100
600
T
J
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2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
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归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
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单脉冲
0.01
10
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1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
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JM
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A
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DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
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10
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方波脉冲持续时间（秒）
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4
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
-8
r
DS （ ON）
(W)
0.021 @ V
GS
= - 4.5 V
0.027 @ V
GS
= - 2.5 V
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D
(A)
- 8.0
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SO-8
S
1
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1
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1
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顶视图
订购信息： Si4965DY
Si4965DY -T1 （带编带和卷轴）
8
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P沟道MOSFET
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
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符号
V
DS
V
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J
, T
英镑
极限
-8
"8
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热电阻额定值
参数
最大结到环境
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结到环境
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10秒。
文档编号： 70826
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单位
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1
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 7.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 5.8 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 8.0 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.0175
0.022
0.031
27
- 1.2
0.021
0.027
0.040
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 4 V ，R
L
= 4
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 4 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8.0 A
36
7.5
5.0
35
45
170
90
60
70
90
340
180
90
ns
55
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
30
2V
24
传输特性
T
C
= - 55_C
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
25_C
18
18
125_C
12
1.5 V
6
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
12
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.08
导通电阻与漏电流
7000
6000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.06
V
GS
= 1.8 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
6
12
18
24
30
C
国际空间站
5000
4000
3000
2000
1000
C
RSS
0
0
2
4
6
8
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 8.0 A
栅极电荷
1.5
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8.0 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
16
24
32
40
4
1.2
3
2
0.9
1
0
0
8
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70826
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4965DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
0.06
I
D
= 8.0 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
I
D
= 250
mA
30
25
单脉冲功率
20
15
10
5
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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