Si4948BEY
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道60 - V（D -S） 175°的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
60
r
DS （ ON）
(W)
0.120 @ V
GS
=
10
V
0.150 @ V
GS
=
4.5
V
I
D
(A)
3.1
2.8
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
订购信息： Si4948BEY - E3 （无铅）
Si4948BEY
-T1 -E3 （带编带和卷轴无铅）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
60
"20
3.1
2.6
25
2
15
11
2.4
1.7
稳定状态
单位
V
2.4
2.0
A
1.1
mJ
1.4
0.95
W
_C
55
175
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
53
85
30
最大
62.5
110
37
单位
° C / W
C / W
1
Si4948BEY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
3.1
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
3.1
A
I
S
=
2
A，V
GS
= 0 V
25
0.100
0.126
8.5
0.8
1.2
0.120
0.150
W
S
V
1
3
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
30
V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
30
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
3.1
A
14.5
2.2
3.7
14
10
15
50
35
30
15
22
75
55
50
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10直通5 V
20
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
4V
10
15
10
T
C
= 125_C
25_C
0
55_C
0
1
2
3
4
5
6
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4948BEY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.40
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
800
C
国际空间站
1000
Vishay Siliconix公司
电容
600
400
200
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 3.1 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
6
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 3.1 A
T
J
= 25_C
1
0.0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si4948BEY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
40
功率（W）的
0.2
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区，结至外壳
I
DM
有限
有限
由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
100
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si4948BEY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si4948BEY
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道60 - V（D -S） 175°的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
60
r
DS （ ON）
(W)
0.120 @ V
GS
=
10
V
0.150 @ V
GS
=
4.5
V
I
D
(A)
3.1
2.8
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
订购信息： Si4948BEY - E3 （无铅）
Si4948BEY
-T1 -E3 （带编带和卷轴无铅）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
60
"20
3.1
2.6
25
2
15
11
2.4
1.7
稳定状态
单位
V
2.4
2.0
A
1.1
mJ
1.4
0.95
W
_C
55
175
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
53
85
30
最大
62.5
110
37
单位
° C / W
C / W
1
Si4948BEY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
3.1
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
3.1
A
I
S
=
2
A，V
GS
= 0 V
25
0.100
0.126
8.5
0.8
1.2
0.120
0.150
W
S
V
1
3
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
30
V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
30
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
3.1
A
14.5
2.2
3.7
14
10
15
50
35
30
15
22
75
55
50
ns
W
22
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10直通5 V
20
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
4V
10
15
10
T
C
= 125_C
25_C
0
55_C
0
1
2
3
4
5
6
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4948BEY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.40
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
800
C
国际空间站
1000
Vishay Siliconix公司
电容
600
400
200
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 3.1 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
6
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 3.1 A
T
J
= 25_C
1
0.0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si4948BEY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
40
功率（W）的
0.2
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区，结至外壳
I
DM
有限
有限
由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
100
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si4948BEY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72847
S- 40430 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
