Si4936DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(W)
0.037 @ V
GS
= 10 V
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"5.8
"4.7
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
A
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
A
最大功率耗散
A
dissi通报BULLETIN
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
"5.8
"4.6
"30
1.7
2
W
1.3
-55到150
_C
A
V
单位
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70150 。
通过万维网SPICE模型的信息: http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm 。
日前,Vishay Siliconix公司, LAURELWOOD路2201 ,圣克拉拉, CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 49532 -REV 。 D, 02 - 98
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
3-1
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
B
漏源导通电阻
B
正向跨导
B
二极管的正向电压
B
动态
A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
1 ,V
根
= 10 V ,R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 5.8 A
18
4.5
2.5
10
10
27
24
45
16
16
40
35
80
ns
25
nC
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 5.8 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.7 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 5.8 A
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
20
0.030
0.042
13
0.8
1.2
0.037
W
0.055
S
V
1
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
A
最大
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
日前,Vishay Siliconix公司, LAURELWOOD路2201 ,圣克拉拉, CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
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Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-2
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I D - 漏电流( A)
I D - 漏电流( A)
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
4V
12
12
6
2, 1 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
3V
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏极电流
0.10
1250
电容
C
国际空间站
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.08
- 电容(pF )
1000
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
750
500
C
OSS
0.02
250
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
36
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.8 A
栅极电荷
2.00
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
(归一化)
8
1.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.8 A
1.50
6
1.25
4
1.00
2
0.75
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温( ° C)
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S
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S
FaxBack (408)970-5600
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3-3
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
源漏二极管正向电压
100
0.09
0.08
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流( A)
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.1
0.07
0.06
I
D
= 5.8 A
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
0.4
阈值电压
50
单脉冲功率
0.2
40
V GS ( TH)方差(V )
–0.0
–0.2
功率(W)的
I
D
= 250
mA
30
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
1.00
时间(秒)
10.00
T
J
- 温度( _C )
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
归一化瞬态热阻抗,结到环境
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
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S
电话(408)988-8000
S
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Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-4
Si4936DY
1999年6月
Si4936DY*
双N沟道增强型MOSFET
概述
这些N沟道增强型MOSFET的
利用飞兆半导体提前生产
已特别针对减少流程
通态电阻,但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
5.8 A, 30 V
DS ( ON)
= 0.037
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.055
@ V
GS
= 4.5 V
低栅极电荷。
快速开关速度。
高功率和电流处理能力。
应用
电池开关
负荷开关
电机控制
'
'
'
'
62
$ EVROXWH 0D [ LPXP 5DWLQJV
6\PERO
W
'66
W
*66
D
'
9hvTprWyhtr
BH ?? R'牛逼?????? prW ,θY ?? HTR
9hv8r
8v
? AQ ,θY ?? RQ
Q
'
6
*
6
*
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$
3DUDPHWHU
5DWLQJV
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8QLWV
W
W
6
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!
?我???? RA H +
$'
& QUOT ;?
!
Qr9vvhvsTvtyrPrhv
Qr9vvhvsTvtyrPrhv
?我???? RA H +
?我????协?
?我???? RA P ?
X
%
(
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U
-
U
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P 10 R 14 H 23 V 40 TAH ?? QAT ?????? htrE ???? P ?? V ???? AUR ???? R 11 ??????皮疹? TR
°
8
7KHUPDO &KDUDFWHULVWLFV
S
θ
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S
θ
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°
8X
°
8X
3DFNDJH 2XWOLQHV DQG 2UGHULQJ , QIRUPDWLRQ
“ HYLFH 0DUNLQJ
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“ HYLFH
5HHO 6L ]
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7DSH ふ
!
4XDQWLW\
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TD#("%9`
9vrhqhshpvtpriwrppuhtrvuvvsvphv
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si4936DY版本A
Si4936DY
( OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV
6\PERO
7W
9TT
ü A2A ! $ ?? 8A ????年???? - 答????乌尔???? V ?? ?????? RA RQ
$
3DUDPHWHU
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W ,θY ?? HTR
7HVW &RQGLWLRQV
W
BT
2WD
9
2!$
0LQ
& QUOT ;?
7\S
0D[
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W
2II &KDUDFWHULVWLFV
6
7W
U
D
9TT
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7rhxqWyhtr
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D
9
2!$
6Srsrrprq!$
°
8
°
!
W 8
°
E
W
9T
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BT
2W
W
9T
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BT
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W
BT
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2W
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6
6
D
BTTA
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D
BTTS
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W
BT
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2W
6
2Q &KDUDFWHULVWLFV
W
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W
9T
2W
BT
D
9
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D
9
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6
#
W
W 8
W
U
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°
8
°
°
E
S
9T
W
BT
2
W
BT
2
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9
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9
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E
2
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W
BT
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9
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D
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W
BT
2
W
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2
WW
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9
2$'6
6
T
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8
v
8
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W
9T
2
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$WW
BT
2W
#%
$
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A
A
A
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6ZLWFKLQJ &KDUDFWHULVWLFV
q
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s
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UPss9ryhUvr
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R
t
R
t
R
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BhrTpr8uhtr
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W
99
2
W
BT
2
$ AW ? AD
9
2
6S
G
2
$
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$
'
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#
" $
'
T
D
A
2
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6
(
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W
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2
W
BT
2
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9
2$'6
W
!$
8
8
8
“ UDLQ ? 6RXUFH ” LRGH &KDUDFWHULVWLFV DQG 0D [ LPXP 5DWLQJV
D
T
W
T9
Hhv8v9hvTpr9vqrAhq8r
9hvTpr9vqrAhq
W ,θY ?? HTR
W
BT
2WD
T
2
&6
AAAAAAA ?我????ラ!?
?? &
!
6
W
注意事项:
1.
R
θJA
是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热参考被定义为焊接安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 78 ° C / W时,
安装在一个0.5
2
垫的2盎司铜。
B) 125 ° C / W时,
安装在一个0.02
2
垫的2盎司铜。
C) 135 ° C / W时,
安装在一个最小
垫的2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si4936DY版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(W)
0.037 @ V
GS
= 10 V
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"5.8
"4.7
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
A
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
A
最大功率耗散
A
dissi通报BULLETIN
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
"5.8
"4.6
"30
1.7
2
W
1.3
-55到150
_C
A
V
单位
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70150 。
通过万维网SPICE模型的信息: http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm 。
日前,Vishay Siliconix公司, LAURELWOOD路2201 ,圣克拉拉, CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 49532 -REV 。 D, 02 - 98
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
3-1
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
B
漏源导通电阻
B
正向跨导
B
二极管的正向电压
B
动态
A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
1 ,V
根
= 10 V ,R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 5.8 A
18
4.5
2.5
10
10
27
24
45
16
16
40
35
80
ns
25
nC
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 5.8 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.7 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 5.8 A
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
20
0.030
0.042
13
0.8
1.2
0.037
W
0.055
S
V
1
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
A
最大
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
日前,Vishay Siliconix公司, LAURELWOOD路2201 ,圣克拉拉, CA 95054
S
电话(408)988-8000
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FaxBack (408)970-5600
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3-2
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I D - 漏电流( A)
I D - 漏电流( A)
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
4V
12
12
6
2, 1 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
3V
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏极电流
0.10
1250
电容
C
国际空间站
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.08
- 电容(pF )
1000
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
750
500
C
OSS
0.02
250
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
36
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.8 A
栅极电荷
2.00
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
(归一化)
8
1.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.8 A
1.50
6
1.25
4
1.00
2
0.75
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温( ° C)
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3-3
Si4936DY
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
源漏二极管正向电压
100
0.09
0.08
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流( A)
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.1
0.07
0.06
I
D
= 5.8 A
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
0.4
阈值电压
50
单脉冲功率
0.2
40
V GS ( TH)方差(V )
–0.0
–0.2
功率(W)的
I
D
= 250
mA
30
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
1.00
时间(秒)
10.00
T
J
- 温度( _C )
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
归一化瞬态热阻抗,结到环境
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
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