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SPICE器件模型Si4920DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 71008
18-May-04
www.vishay.com
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SPICE器件模型Si4920DY
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
a
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.8 A
2
238
0.020
0.023
23
0.72
0.020
0.026
25
V
A
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.9 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
29
7.5
3.5
10
13
15
32
32
30
7.5
3.5
12
10
60
15
50
Ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
B 。通过设计保证，不受生产测试
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SPICE器件模型Si4920DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
a
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.8 A
2
238
0.020
0.023
23
0.72
0.020
0.026
25
V
A
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.9 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
29
7.5
3.5
10
13
15
32
32
30
7.5
3.5
12
10
60
15
50
Ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
B 。通过设计保证，不受生产测试
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电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
30
23
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
1
1.5
-4
0.023
0.036
0.029
20
18
830
185
80
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V ，R
根
=
6
6
10
18
5
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A,
V
GS
= 5 V
9
2.8
3.1
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
3
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.028
0.044
0.035
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
12
18
29
12
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.3
A
V
动态特性
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
（注2 ）
0.73
1.2
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
Si4920DY Rev.A的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
QQ：2880707522 复制
