Si4916DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
R
DS （ ON）
(Ω)
0.018在V
GS
= 10 V
0.023在V
GS
= 4.5 V
0.018在V
GS
= 10 V
0.022在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
Q
g
（典型值）。
10
8.5
10.5
9.3
6.6
8.9
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
LITTLE FOOT
PLUS
集成肖特基
100 % R
g
经过测试
应用
DC / DC转换
- 笔记本电脑
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V在1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
SO-8
G
1
D
1
D
1
G
2
S
2
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si4916DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4916DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
8
7
6
5
G
1
S
1
/D
2
S
1
/D
2
S
1
/D
2
肖特基二极管
G
2
N沟道2
MOSFET
S
2
N沟道1
MOSFET
S
1
/D
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲源 - 漏电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
A，B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
文档编号： 74331
S09-0540 -REV 。 B， 06 -APR- 09
www.vishay.com
1
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
I
DM
I
S
I
SM
I
AS
E
AS
3.3
2.1
1.9
A， B，C
1.2
A， B，C
I
D
符号
V
DS
V
GS
10
8
7.5
A， B，C
6
A， B，C
40
3
1.7
A， B，C
40
15
11.2
3.5
2.2
2.0
A， B，C
1.3
A， B，C
°C
W
mJ
Channel-1
30
20
10.5
8.3
7.8
A， B，C
6.3
A， B，C
40
3.2
1.8
A， B，C
40
A
Channel-2
单位
V
- 55 150
Si4916DY
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
Channel-1
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
54
32
马克斯。
65
38
47
30
Channel-2
典型值。
马克斯。
60
35
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为112 ° C /通道1和W通道2 107 ° C / W 。
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
ΔV
DS
/T
J
I
D
= 250 A
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
=
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.3 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= - 10.5 A
Ch-1
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
0.5
0.5
6.6
8.9
2.9
3.4
2.3
2.4
1.9
2.3
2.9
3.5
Ω
10
14
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10.5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
20
0.0145
0.015
0.019
0.018
30
35
0.75
0.47
1.1
0.5
0.018
0.018
0.023
0.022
S
V
Ω
1.5
1.5
30
30
24
25
-6
-6
3.0
2.7
100
100
1
100
15
2000
A
A
nA
V
V
毫伏/°C的
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
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2
文档编号： 74331
S09-0540 -REV 。 B， 06 -APR- 09
Si4916DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
Ch-1
Channel-1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 μA / μs的
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 μA / μs的
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 μA / μs的
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 μA / μs的
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
8
9
11
13
21
27
6
9
28
24
17
12
12
11
16
13
ns
15
15
18
20
32
40
10
15
40
35
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125 °C
V
R
= 30 V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
R
= 30 V ，T
J
= 100 °C
V
R
= - 30 V ，T
J
= 125 °C
V
R
= 10 V
分钟。
典型值。
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
马克斯。
0.50
0.42
0.100
10
20
pF
mA
单位
V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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3
Si4916DY
Vishay Siliconix公司
CHANNEL -1的典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
V
GS
= 10直通5 V
35
4V
I
D
- 漏极电流（ A）
30
25
20
15
10
5
3V
0
0.00
0.30
0.60
0.90
1.20
1.50
I
D
- 漏极电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
35
40
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.025
传输特性
1050
900
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
750
600
450
300
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.022
0.019
0.016
V
GS
= 10 V
C
OSS
C
RSS
0.013
150
0.010
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 7.5 A
5
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 15 V
3
1.4
1.6
电容
V
GS
= 10 V和4.5 V
I
D
= 7.5 A
（归一化）
1.2
1.0
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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CHANNEL -1的典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
T
J
= 150 °C
I
S
–
源电流（ A）
10
R
DS （ ON）
–
导通电阻（ Ω ）
0.05
0.04
0.03
I
D
= 7.5 A
0.02
1
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
–
源极到漏极电压（V ）
V
GS
–
栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
120
100
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
0.0
80
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
-
0.2
60
-
0.4
40
-
0.6
20
-
0.8
-
50
0
-
25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
T
J
–
温度（℃）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
I
DM
有限
10
I
D
–
漏电流（ A）
1毫秒
1
I
D（上）
有限
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
–
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
＆ GT ;
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
1s
10 s
DC
安全工作区
文档编号： 74331
S09-0540 -REV 。 B， 06 -APR- 09
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5
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