Si4884BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
a
16.5
13.2
r
DS （ ON）
(W)
0.0090 @ V
GS
= 10 V
0.012 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
10.5
10 5 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
RoHS指令
柔顺
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4884BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 150_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
源漏
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
16.5
13.2
12.4
B，C
10.0
B，C
50
4.0
2.3
B，C
4.45
2.85
2.50
B，C
1.6
B，C
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大值为85
° C / W 。
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
www.vishay.com
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
22
最大
50
28
单位
° C / W
1
Si4884BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
30
0.007
0.0095
45
0.0090
0.012
1
30
30
6
3
"100
1
10
毫伏/°C的
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
W
I
D
^
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
W
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
W
I
D
^
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1525
295
120
23.5
10.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12 A
4.3
3
1.4
18
160
18
8
8
11
22
8
2.2
30
240
30
15
15
18
35
15
ns
W
35
17
nC
pF
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 9.5 A， di / dt的= 100 A / MS ，T
J
= 25_C
95A
A / MS
I
S
= 2.3 A
0.75
25
15
13
12
ns
T
C
= 25_C
4
A
50
1.1
40
25
V
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
2
Si4884BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
1.2
Vishay Siliconix公司
传输特性
1.0
0.8
30
0.6
T
C
= 125_C
0.4
25_C
20
10
3V
0
0.0
0.2
–55_C
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
0.014
2000
电容
C
国际空间站
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ W）
0.012
- 电容（pF ）
1600
0.010
V
GS
= 4.5 V
1200
0.008
V
GS
= 10 V
800
0.006
400
C
RSS
C
OSS
0.004
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 12 A
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
1.4
1.6
导通电阻与结温
I
D
= 10 A
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4884BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ W）
10
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
1
0.05
I
D
= 10 A
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
0.03
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0.02
T
J
= 125_C
0.01
T
J
= 25_C
0.00
0.001
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.3
80
I
D
= 250
mA
功率（W）的
60
V
GS （ TH）
(V)
0.0
–0.3
40
–0.6
20
–0.9
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
安全工作区，结到环境
100
*仅限为r
DS （ ON）
10
I
D
- 漏极电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
10 s
dc
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
www.vishay.com
4
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
Si4884BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电流降额*
20
Vishay Siliconix公司
16
I
D
- 漏极电流（ A）
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
动力方面，结到脚
5.5
2.0
动力方面，结到环境
4.4
1.6
3.3
动力
动力
2.2
1.2
0.8
1.1
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150_C ，利用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散限制更实用
情况下，额外的散热装置被使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
www.vishay.com
5
Si4884BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
a
16.5
13.2
r
DS （ ON）
(W)
0.0090 @ V
GS
= 10 V
0.012 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
10.5
10 5 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
RoHS指令
柔顺
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4884BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 150_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
源漏
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
16.5
13.2
12.4
B，C
10.0
B，C
50
4.0
2.3
B，C
4.45
2.85
2.50
B，C
1.6
B，C
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大值为85
° C / W 。
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
www.vishay.com
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
22
最大
50
28
单位
° C / W
1
Si4884BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
30
0.007
0.0095
45
0.0090
0.012
1
30
30
6
3
"100
1
10
毫伏/°C的
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
W
I
D
^
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
W
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
W
I
D
^
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1525
295
120
23.5
10.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12 A
4.3
3
1.4
18
160
18
8
8
11
22
8
2.2
30
240
30
15
15
18
35
15
ns
W
35
17
nC
pF
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 9.5 A， di / dt的= 100 A / MS ，T
J
= 25_C
95A
A / MS
I
S
= 2.3 A
0.75
25
15
13
12
ns
T
C
= 25_C
4
A
50
1.1
40
25
V
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
2
Si4884BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
1.2
Vishay Siliconix公司
传输特性
1.0
0.8
30
0.6
T
C
= 125_C
0.4
25_C
20
10
3V
0
0.0
0.2
–55_C
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
0.014
2000
电容
C
国际空间站
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ W）
0.012
- 电容（pF ）
1600
0.010
V
GS
= 4.5 V
1200
0.008
V
GS
= 10 V
800
0.006
400
C
RSS
C
OSS
0.004
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 12 A
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
1.4
1.6
导通电阻与结温
I
D
= 10 A
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4884BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ W）
10
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
1
0.05
I
D
= 10 A
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
0.03
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0.02
T
J
= 125_C
0.01
T
J
= 25_C
0.00
0.001
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.3
80
I
D
= 250
mA
功率（W）的
60
V
GS （ TH）
(V)
0.0
–0.3
40
–0.6
20
–0.9
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
安全工作区，结到环境
100
*仅限为r
DS （ ON）
10
I
D
- 漏极电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
10 s
dc
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
www.vishay.com
4
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
Si4884BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电流降额*
20
Vishay Siliconix公司
16
I
D
- 漏极电流（ A）
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
动力方面，结到脚
5.5
2.0
动力方面，结到环境
4.4
1.6
3.3
动力
动力
2.2
1.2
0.8
1.1
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150_C ，利用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散限制更实用
情况下，额外的散热装置被使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 73454
S- 51450 -REV 。 A， 01 - 8 - 05
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
