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Si4882DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0105 @ V
GS
= 10 V
0.0205 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"11
"8
D D
D D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
N沟道MOSFET
G
S
S
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70
_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"25
"11
"9
"50
2.3
2.5
1.6
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
最大结到脚
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
R
thJF
19
25
符号
R
thJA
典型
35
68
最大
50
80
单位
° C / W
2-1
Si4882DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A
V
GS
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D
= 8 A
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DS
= 15 V，I
D
= 11 A
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S
= 2.3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0087
0.017
26
0.70
1.1
0.0105
0.0205
S
V
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
DS
= 15 V, V
GS
5 = 0 V I
D
= 11 A
V
5.0 V,
13.5
3.9
6.0
13
8
45
19
40
20
12
68
30
70
ns
17
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
50
传输特性
30
4V
20
30
20
T
C
= 125_C
10
10
3V
0
0
2
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6
8
10
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Si4882DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2000
Vishay Siliconix公司
电容
0.025
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.020
1200
0.015
V
GS
= 10 V
800
C
OSS
400
C
RSS
0.010
0.005
0
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10
20
30
40
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0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
DS
= 15 V
I
D
= 11 A
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
6
4
2
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
I
D
= 11 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
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S
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2-3
Si4882DY
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.2
–0.4
–0.6
10
–0.8
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–50
0
–25
0
25
50
75
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125
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0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
40
60
50
单脉冲功率
30
20
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 68 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
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4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
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热阻抗
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单脉冲
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10
–4
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–3
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–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
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2-4
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S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Si4882DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0105 @ V
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= 10 V
0.0205 @ V
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"11
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D D
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S
S
S
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1
2
3
4
顶视图
8
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D
D
D
D
N沟道MOSFET
G
S
S
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
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符号
V
DS
V
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I
D
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, T
英镑
极限
30
"25
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"9
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2.3
2.5
1.6
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
最大结到脚
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
R
thJF
19
25
符号
R
thJA
典型
35
68
最大
50
80
单位
° C / W
2-1
Si4882DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
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GS
= 10 V
V
GS
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D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
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DS
= 15 V，I
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S
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"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
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D
= 11 A
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13.5
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13
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19
40
20
12
68
30
70
ns
17
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
50
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30
4V
20
30
20
T
C
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10
10
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0
2
4
6
8
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25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Si4882DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2000
Vishay Siliconix公司
电容
0.025
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.020
1200
0.015
V
GS
= 10 V
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C
OSS
400
C
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I
D
- 漏极电流（ A）
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DS
- 漏极至源极电压（ V）
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GS
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DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
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Q
g
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导通电阻与结温
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GS
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DS （ ON）
- 导通电阻（
W
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- 源极到漏极电压（V ）
0
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2
4
6
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
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0.4
0.2
V
GS （ TH）
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Z
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2
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占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
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单脉冲
0.01
10
–4
10
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10
–2
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方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
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2-4
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新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0105 @ V
GS
= 10 V
0.0205 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"11
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D D
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S
S
S
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1
2
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顶视图
8
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D
D
D
N沟道MOSFET
G
S
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S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
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漏电流脉冲
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符号
V
DS
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, T
英镑
极限
30
"25
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-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
最大结到脚
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
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S
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t
v
10秒
稳定状态
R
thJF
19
25
符号
R
thJA
典型
35
68
最大
50
80
单位
° C / W
2-1
Si4882DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 11 A
I
S
= 2.3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0087
0.017
26
0.70
1.1
0.0105
0.0205
S
V
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
DS
= 15 V, V
GS
5 = 0 V I
D
= 11 A
V
5.0 V,
13.5
3.9
6.0
13
8
45
19
40
20
12
68
30
70
ns
17
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
50
传输特性
30
4V
20
30
20
T
C
= 125_C
10
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
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文档编号： 70878
S- 00271 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Si4882DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2000
Vishay Siliconix公司
电容
0.025
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.020
1200
0.015
V
GS
= 10 V
800
C
OSS
400
C
RSS
0.010
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
DS
= 15 V
I
D
= 11 A
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
6
4
2
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
I
D
= 11 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.2
–0.4
–0.6
10
–0.8
–1.0
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
40
60
50
单脉冲功率
30
20
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 68 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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SPC-1002-150
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SZ5518
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SFH615-2
SFF-023
STI4500
SW11-400-12
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