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Si4864DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 4.5 V
0.0047 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
25
20
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 2.5 V额定
D
低3.5毫瓦
DS （ ON）
D
PWM （Q
gd
和R
G
）优化
应用
D
在同步降压低侧MOSFET
在服务器和路由器的DC / DC转换器
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
S
N沟道MOSFET
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
20
"8
25
稳定状态
单位
V
17
13
60
A
1.3
1.6
1
- 55 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
20
2.9
3.5
2.2
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
29
67
13
最大
35
80
16
单位
° C / W
1
Si4864DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 6 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0028
0.0038
70
0.70
1.1
0.0035
0.0047
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
47
10
13.4
1.5
40
44
150
72
57
2.6
60
65
240
110
80
ns
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 5通2.5 V
50
2V
50
60
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
D
- 漏电流（ A）
40
30
30
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
Si4864DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.005
7500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
6000
C
国际空间站
0.003
V
GS
= 4.5 V
4500
0.002
3000
C
OSS
0.001
1500
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 25 A
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
24
36
48
60
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
12
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.010
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.008
I
S
- 源电流（ A）
0.006
I
D
= 25 A
0.004
0.002
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4864DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
10
I
D
= 250
mA
40
功率（W）的
60
50
单脉冲功率
V
GS （ TH）
方差（ V）
30
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 2
10
- 1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
Si4864DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 4.5 V
0.0047 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
25
20
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 2.5 V额定
D
低3.5毫瓦
DS （ ON）
D
PWM （Q
gd
和R
G
）优化
应用
D
在同步降压低侧MOSFET
在服务器和路由器的DC / DC转换器
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
S
N沟道MOSFET
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
20
"8
25
稳定状态
单位
V
17
13
60
A
1.3
1.6
1
- 55 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
20
2.9
3.5
2.2
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
29
67
13
最大
35
80
16
单位
° C / W
1
Si4864DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 6 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0028
0.0038
70
0.70
1.1
0.0035
0.0047
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
47
10
13.4
1.5
40
44
150
72
57
2.6
60
65
240
110
80
ns
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 5通2.5 V
50
2V
50
60
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
D
- 漏电流（ A）
40
30
30
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
Si4864DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.005
7500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
6000
C
国际空间站
0.003
V
GS
= 4.5 V
4500
0.002
3000
C
OSS
0.001
1500
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 25 A
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
24
36
48
60
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
12
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.010
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.008
I
S
- 源电流（ A）
0.006
I
D
= 25 A
0.004
0.002
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4864DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
10
I
D
= 250
mA
40
功率（W）的
60
50
单脉冲功率
V
GS （ TH）
方差（ V）
30
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 2
10
- 1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
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- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
Si4864DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 4.5 V
0.0047 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
25
20
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 2.5 V额定
D
低3.5毫瓦
DS （ ON）
D
PWM （Q
gd
和R
G
）优化
应用
D
在同步降压低侧MOSFET
在服务器和路由器的DC / DC转换器
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
S
N沟道MOSFET
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
20
"8
25
稳定状态
单位
V
17
13
60
A
1.3
1.6
1
- 55 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
20
2.9
3.5
2.2
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
29
67
13
最大
35
80
16
单位
° C / W
1
Si4864DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 6 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0028
0.0038
70
0.70
1.1
0.0035
0.0047
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
47
10
13.4
1.5
40
44
150
72
57
2.6
60
65
240
110
80
ns
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 5通2.5 V
50
2V
50
60
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
D
- 漏电流（ A）
40
30
30
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71449
S- 03662 -REV 。 B， 14 -APR- 03
Si4864DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.005
7500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
6000
C
国际空间站
0.003
V
GS
= 4.5 V
4500
0.002
3000
C
OSS
0.001
1500
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 25 A
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
24
36
48
60
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
12
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.010
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.008
I
S
- 源电流（ A）
0.006
I
D
= 25 A
0.004
0.002
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71449
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3
Si4864DY
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
10
I
D
= 250
mA
40
功率（W）的
60
50
单脉冲功率
V
GS （ TH）
方差（ V）
30
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 2
10
- 1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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ST95P02
SP6683EU/TR
SM120FL
SST29VE010A-90-4I-W
SIM1-1515S-DIL8
ST1CC40
STHW-680-VTR
SA101A271JAR
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