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Si4835BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
0.030 @ V
GS
= - 4.5 V
- 7.5
特点
I
D
(A)
- 9.6
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= - 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
先进的高密度工艺
应用
D
负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
P沟道MOSFET
订购信息： Si4835BDY
Si4835BDY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.1
2.5
1.6
- 55 150
- 7.7
- 50
- 1.3
1.5
0.9
W
_C
- 5.9
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 30
"25
单位
V
- 9.6
- 7.4
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
39
70
18
最大
50
85
22
单位
° C / W
C / W
1
Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"25
V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.6 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7.5 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 9.6 A
I
S
= - 2.1 A，V
GS
= 0 V
- 50
0.014
0.023
30
- 0.8
- 1.2
0.018
0.030
- 1.0
- 3.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
1.0
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 9.6 A
25
6.5
12.5
2.9
15
13
60
45
45
4.9
25
20
100
70
80
ns
W
37
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
T
C
= - 55_C
25_C
125_C
30
30
20
20
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
Si4835BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.04
2400
C
国际空间站
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
1600
800
C
RSS
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
6
C
OSS
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9.6 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
20
30
40
50
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
80
单脉冲功率，结到环境
0.4
60
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
40
0.0
20
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区
100
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
P（吨） = 10
dc
P（吨） = 0.0001
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
Si4835BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
5
Si4835BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
0.030 @ V
GS
= - 4.5 V
- 7.5
特点
I
D
(A)
- 9.6
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= - 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
先进的高密度工艺
应用
D
负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
P沟道MOSFET
订购信息： Si4835BDY
Si4835BDY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.1
2.5
1.6
- 55 150
- 7.7
- 50
- 1.3
1.5
0.9
W
_C
- 5.9
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 30
"25
单位
V
- 9.6
- 7.4
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
39
70
18
最大
50
85
22
单位
° C / W
C / W
1
Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"25
V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.6 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7.5 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 9.6 A
I
S
= - 2.1 A，V
GS
= 0 V
- 50
0.014
0.023
30
- 0.8
- 1.2
0.018
0.030
- 1.0
- 3.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
1.0
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 9.6 A
25
6.5
12.5
2.9
15
13
60
45
45
4.9
25
20
100
70
80
ns
W
37
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
I
D
- 漏电流（ A）
40
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传输特性
T
C
= - 55_C
25_C
125_C
30
30
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20
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0
1
2
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4
5
6
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
Si4835BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.04
2400
C
国际空间站
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
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1600
800
C
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0.00
0
10
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C
OSS
12
18
24
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I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
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I
D
= 9.6 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
20
30
40
50
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
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4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
80
单脉冲功率，结到环境
0.4
60
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
40
0.0
20
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10
100
600
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安全工作区
100
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
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P（吨） = 10
dc
P（吨） = 0.0001
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
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2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
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方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
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A
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DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
Si4835BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
5
Si4835BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
0.030 @ V
GS
= - 4.5 V
- 7.5
特点
I
D
(A)
- 9.6
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= - 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
先进的高密度工艺
应用
D
负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
P沟道MOSFET
订购信息： Si4835BDY
Si4835BDY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.1
2.5
1.6
- 55 150
- 7.7
- 50
- 1.3
1.5
0.9
W
_C
- 5.9
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 30
"25
单位
V
- 9.6
- 7.4
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
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S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
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稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
39
70
18
最大
50
85
22
单位
° C / W
C / W
1
Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"25
V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.6 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7.5 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 9.6 A
I
S
= - 2.1 A，V
GS
= 0 V
- 50
0.014
0.023
30
- 0.8
- 1.2
0.018
0.030
- 1.0
- 3.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
1.0
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 9.6 A
25
6.5
12.5
2.9
15
13
60
45
45
4.9
25
20
100
70
80
ns
W
37
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
T
C
= - 55_C
25_C
125_C
30
30
20
20
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
Si4835BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.04
2400
C
国际空间站
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
1600
800
C
RSS
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
6
C
OSS
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9.6 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
20
30
40
50
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72029
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Si4835BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
80
单脉冲功率，结到环境
0.4
60
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
40
0.0
20
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区
100
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
P（吨） = 10
dc
P（吨） = 0.0001
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72029
S- 31062 -REV 。 C， 26日， 03
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S-L2985B15-H4T1
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