Si4830DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4830DY
Si4830DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
肖特基二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
30
1.7
2.0
1.3
- 55 150
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
肖特基
典型值
53
93
35
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
52
93
35
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V
V,
导通状态漏极
当前
b
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A V
GS
= 0 V
A,
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
20
0.018
0.024
22
0.8
0.47
1.2
0.5
0.022
0.030
0.8
"100
1
100
15
2000
A
W
S
V
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1一7的di / dt = 100 A / MS
1.7 A,
通道1
Ch-1
Ch-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
8
10
21
10
40
32
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
,
,
13
2
2.7
3.2
16
20
40
20
80
70
ns
W
20
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= - 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
3V
16
20
MOSFET
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
- 55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
电容
- 电容（pF ）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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4
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
肖特基
正向电压降
10
T
J
= 150_C
反向电流与结温
0.1
30 V
24 V
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 25_C
0.01
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
200
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
F
- 正向压降（ V）
电容
160
- 电容（pF ）
120
80
C
OSS
40
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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5
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4830DY
Si4830DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
肖特基二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
30
1.7
2.0
1.3
- 55 150
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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t
v
10秒
稳态
稳态
肖特基
典型值
53
93
35
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
52
93
35
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V
V,
导通状态漏极
当前
b
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A V
GS
= 0 V
A,
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
20
0.018
0.024
22
0.8
0.47
1.2
0.5
0.022
0.030
0.8
"100
1
100
15
2000
A
W
S
V
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1一7的di / dt = 100 A / MS
1.7 A,
通道1
Ch-1
Ch-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
8
10
21
10
40
32
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
,
,
13
2
2.7
3.2
16
20
40
20
80
70
ns
W
20
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= - 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
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2
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
3V
16
20
MOSFET
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
- 55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
电容
- 电容（pF ）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
肖特基
正向电压降
10
T
J
= 150_C
反向电流与结温
0.1
30 V
24 V
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 25_C
0.01
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
200
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
F
- 正向压降（ V）
电容
160
- 电容（pF ）
120
80
C
OSS
40
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
5
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4830DY
Si4830DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
肖特基二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
30
1.7
2.0
1.3
- 55 150
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
肖特基
典型值
53
93
35
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
52
93
35
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V
V,
导通状态漏极
当前
b
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A V
GS
= 0 V
A,
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
20
0.018
0.024
22
0.8
0.47
1.2
0.5
0.022
0.030
0.8
"100
1
100
15
2000
A
W
S
V
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1一7的di / dt = 100 A / MS
1.7 A,
通道1
Ch-1
Ch-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
8
10
21
10
40
32
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
,
,
13
2
2.7
3.2
16
20
40
20
80
70
ns
W
20
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= - 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
3V
16
20
MOSFET
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
- 55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
电容
- 电容（pF ）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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4
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
Si4830DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
肖特基
正向电压降
10
T
J
= 150_C
反向电流与结温
0.1
30 V
24 V
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 25_C
0.01
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
200
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
F
- 正向压降（ V）
电容
160
- 电容（pF ）
120
80
C
OSS
40
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71161
S- 31989 -REV 。 C， 13 - OCT- 03
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