Si4830ADY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
特点
I
D
(A)
7.5
6.5
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.022在V
GS
= 10 V
0.030在V
GS
= 4.5 V
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50在1
I
F
(A)
2.0
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
LITTLE FOOT
PLUS
肖特基
Si4830DY引脚兼容
PWM优化
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
非对称降压 - 升压型DC / DC转换器
D
1
D
2
SO-8
S
1
/D
2
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶部
意见
S
1
S
2
N沟道
MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
G
1
S
1
/D
2
S
1
/D
2
G
2
肖特基二极管
订货信息：
Si4830ADY-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
Si4830ADY-T1-GE3
（铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10 s
稳定状态
30
± 20
7.5
6.0
30
1.7
2.0
1.3
- 55 150
0.9
1.1
0.7
5.7
4.6
单位
V
A
W
°C
热电阻额定值
MOSFET
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
52
93
35
马克斯。
62.5
110
40
肖特基
典型值。
马克斯。
53
62.5
93
110
35
40
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
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S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
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Si4830ADY
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MOSFET规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
导通状态漏极
当前
b
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
=
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= - 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
0.017
0.024
19
0.75
0.47
7
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A
0.5
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
Ch-1
Ch-2
2.9
2.5
1.5
9
10
19
9
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100微秒
35
32
2.4
15
17
30
15
55
55
ns
Ω
1.2
0.5
11
nC
0.022
0.030
1.4
3.0
± 100
1
100
15
2000
A
Ω
S
V
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125 °C
V
R
= 30 V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
R
= 30 V ，T
J
= 100 °C
V
R
= - 30 V ，T
J
= 125 °C
V
R
= 10 V
分钟。
典型值。
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
马克斯。
0.50
0.42
0.100
10
20
pF
mA
单位
V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10
V
直通5
V
4
V
25
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
25
30
20
20
15
15
10
10
T
C
= 125 °C
5
25 °C
- 55 °C
0
5
3
V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.040
1200
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.030
V
GS
= 4.5
V
0.020
- 电容（pF ）
960
C
国际空间站
720
V
GS
= 10
V
480
C
OSS
240
C
RSS
0.010
0.000
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
DS
= 15
V
I
D
= 7.5 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
GS
= 10
V
I
D
= 7.5 A
电容
1.6
1.4
(
N
ormalized ）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
10
R
DS （ ON）
- 在- ANCE抗（ Ω ）
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
0.06
0.05
0.04
I
D
= 7.5 A
0.03
T
J
= 150 °C
1
0.02
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
100
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
V
ariance （
V
)
0.0
80
60
- 0.2
功率（W）的
40
- 0.4
20
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
时间（s）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10
I
D
- 漏电流（ A）
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
DS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到脚
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
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