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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第407页 > SI4816DY-T1
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
通道2
r
DS （ ON）
()
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.013 @ V
GS
= 10 V
0.0185 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.3
5.4
10
8.6
特点
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
SO-8
G
1
A / S
2
A / S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4816DY
Si4816DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4816DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4816DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
N沟道2
MOSFET
S
2
A
8
7
6
5
D
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
肖特基二极管
G
2
G
1
N沟道1
MOSFET
S
1
/D
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Channel-1
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管
雪崩
当前
b
能源
b
L = 0.1 mH的
01
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
单脉冲雪崩
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Channel-2
10秒]
30
20
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
稳定状态
单位
V
6.3
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
1.4
P
D
T
J
, T
英镑
0.9
1.3
12
7.2
5.4
30
5.3
4.2
0.9
10
8.2
40
2.2
25
31.25
7.7
6.2
A
1.15
mJ
1.25
0.8
W
_C
最大功率耗散
a
1.0
0.64
--55到150
2.4
1.5
工作结存储温度范围
热电阻额定值
Channel-1
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。出发日期代码W46BAA 。
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
www.vishay.com
t
≤
10秒
稳态
稳态
Channel-2
典型值
43
82
25
肖特基
典型值
48
80
28
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
72
100
51
最大
90
125
63
最大
53
100
30
最大
60
100
35
单位
° C / W
C/
1
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
= 20 V
V,
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V
V,
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V,
V,
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V V
GS
= 10 V
V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 1.3 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
门体
门体漏
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
30
0.018
0.0105
0.024
0.015
17
28
0.7
0.47
1.1
0.5
V
S
0.022
0.013
0.030
0.0185
A
0.8
1.0
2
3
100
100
1
100
15
2000
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
动态
a
Ch-1
总栅极电荷
Q
g
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 6.3 A
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
通道2
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= --10 A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
R
g
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100
毫安/ MS
Channel-1
通道1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
通道2
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
栅极电阻
Ch-2
Ch-1
开启
打开延迟时间
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1.5
0.5
10
15
5
5
26
44
8
12
30
32
8.0
15
1.75
5.3
3.2
4.6
3.1
2.6
20
30
10
10
50
80
16
24
60
70
ns
nC
12
23
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= -30 V，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
a
u
E E SE EA岁的Cu （E T）
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通4 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
24
30
CHANNEL-1
传输特性
18
3V
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
6
1V
0
0
2
4
6
8
10
2V
--55_C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
1000
电容
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
- 电容（pF ）
0.024
800
C
国际空间站
600
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
400
C
OSS
200
C
RSS
r
0.006
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.3 A
8
r
DS （ ON）
- 在- Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
0.4
--50
1.8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
6
4
2
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
CHANNEL-1
导通电阻与栅极至源极电压
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
I
D
= 10 A
0.01
r
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
--0.0
--0.2
--0.4
--0.6
20
--0.8
--1.0
--50
0
--25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（ _C ）
125
150
I
D
= 250
mA
功率（W）的
80
100
单脉冲功率，结到环境
60
40
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
10
-
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
CHANNEL-1
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
CHANNEL-2
传输特性
24
24
T
C
= 125_C
16
16
8
3V
2V
8
25_C
--55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.024
V
GS
= 4.5 V
0.018
V
GS
= 10 V
0.012
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.006
500
C
RSS
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
5
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
通道2
r
DS （ ON）
()
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.013 @ V
GS
= 10 V
0.0185 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.3
5.4
10
8.6
特点
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
SO-8
G
1
A / S
2
A / S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4816DY
Si4816DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4816DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4816DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
N沟道2
MOSFET
S
2
A
8
7
6
5
D
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
肖特基二极管
G
2
G
1
N沟道1
MOSFET
S
1
/D
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Channel-1
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管
雪崩
当前
b
能源
b
L = 0.1 mH的
01
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
单脉冲雪崩
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Channel-2
10秒]
30
20
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
稳定状态
单位
V
6.3
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
1.4
P
D
T
J
, T
英镑
0.9
1.3
12
7.2
5.4
30
5.3
4.2
0.9
10
8.2
40
2.2
25
31.25
7.7
6.2
A
1.15
mJ
1.25
0.8
W
_C
最大功率耗散
a
1.0
0.64
--55到150
2.4
1.5
工作结存储温度范围
热电阻额定值
Channel-1
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。出发日期代码W46BAA 。
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
www.vishay.com
t
≤
10秒
稳态
稳态
Channel-2
典型值
43
82
25
肖特基
典型值
48
80
28
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
72
100
51
最大
90
125
63
最大
53
100
30
最大
60
100
35
单位
° C / W
C/
1
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
= 20 V
V,
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V
V,
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V,
V,
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V V
GS
= 10 V
V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 1.3 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
门体
门体漏
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
30
0.018
0.0105
0.024
0.015
17
28
0.7
0.47
1.1
0.5
V
S
0.022
0.013
0.030
0.0185
A
0.8
1.0
2
3
100
100
1
100
15
2000
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
动态
a
Ch-1
总栅极电荷
Q
g
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 6.3 A
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
通道2
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= --10 A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
R
g
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100
毫安/ MS
Channel-1
通道1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
通道2
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
栅极电阻
Ch-2
Ch-1
开启
打开延迟时间
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1.5
0.5
10
15
5
5
26
44
8
12
30
32
8.0
15
1.75
5.3
3.2
4.6
3.1
2.6
20
30
10
10
50
80
16
24
60
70
ns
nC
12
23
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= -30 V，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
a
u
E E SE EA岁的Cu （E T）
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通4 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
24
30
CHANNEL-1
传输特性
18
3V
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
6
1V
0
0
2
4
6
8
10
2V
--55_C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
1000
电容
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
- 电容（pF ）
0.024
800
C
国际空间站
600
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
400
C
OSS
200
C
RSS
r
0.006
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.3 A
8
r
DS （ ON）
- 在- Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
0.4
--50
1.8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
6
4
2
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
CHANNEL-1
导通电阻与栅极至源极电压
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
I
D
= 10 A
0.01
r
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
--0.0
--0.2
--0.4
--0.6
20
--0.8
--1.0
--50
0
--25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（ _C ）
125
150
I
D
= 250
mA
功率（W）的
80
100
单脉冲功率，结到环境
60
40
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
10
-
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
CHANNEL-1
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
CHANNEL-2
传输特性
24
24
T
C
= 125_C
16
16
8
3V
2V
8
25_C
--55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.024
V
GS
= 4.5 V
0.018
V
GS
= 10 V
0.012
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.006
500
C
RSS
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
5
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
通道2
r
DS （ ON）
()
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.013 @ V
GS
= 10 V
0.0185 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.3
5.4
10
8.6
特点
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
2.0
D
1
SO-8
G
1
A / S
2
A / S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4816DY
Si4816DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4816DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4816DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
N沟道2
MOSFET
S
2
A
8
7
6
5
D
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
D
2
/S
1
肖特基二极管
G
2
G
1
N沟道1
MOSFET
S
1
/D
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Channel-1
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管
雪崩
当前
b
能源
b
L = 0.1 mH的
01
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
单脉冲雪崩
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Channel-2
10秒]
30
20
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
稳定状态
单位
V
6.3
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
1.4
P
D
T
J
, T
英镑
0.9
1.3
12
7.2
5.4
30
5.3
4.2
0.9
10
8.2
40
2.2
25
31.25
7.7
6.2
A
1.15
mJ
1.25
0.8
W
_C
最大功率耗散
a
1.0
0.64
--55到150
2.4
1.5
工作结存储温度范围
热电阻额定值
Channel-1
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。出发日期代码W46BAA 。
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
www.vishay.com
t
≤
10秒
稳态
稳态
Channel-2
典型值
43
82
25
肖特基
典型值
48
80
28
符号
R
thJA
R
thJC
典型值
72
100
51
最大
90
125
63
最大
53
100
30
最大
60
100
35
单位
° C / W
C/
1
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
= 20 V
V,
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V
V,
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V V
GS
= 0 V T，
J
= 85_C
V,
V,
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V V
GS
= 10 V
V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 1.3 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
门体
门体漏
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
30
0.018
0.0105
0.024
0.015
17
28
0.7
0.47
1.1
0.5
V
S
0.022
0.013
0.030
0.0185
A
0.8
1.0
2
3
100
100
1
100
15
2000
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
动态
a
Ch-1
总栅极电荷
Q
g
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 6.3 A
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
通道2
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= --10 A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
R
g
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100
毫安/ MS
Channel-1
通道1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
通道2
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
栅极电阻
Ch-2
Ch-1
开启
打开延迟时间
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1.5
0.5
10
15
5
5
26
44
8
12
30
32
8.0
15
1.75
5.3
3.2
4.6
3.1
2.6
20
30
10
10
50
80
16
24
60
70
ns
nC
12
23
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= -30 V，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
a
u
E E SE EA岁的Cu （E T）
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通4 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
24
30
CHANNEL-1
传输特性
18
3V
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
6
1V
0
0
2
4
6
8
10
2V
--55_C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
1000
电容
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
- 电容（pF ）
0.024
800
C
国际空间站
600
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
400
C
OSS
200
C
RSS
r
0.006
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.3 A
8
r
DS （ ON）
- 在- Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
0.4
--50
1.8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
6
4
2
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
CHANNEL-1
导通电阻与栅极至源极电压
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
I
D
= 10 A
0.01
r
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
--0.0
--0.2
--0.4
--0.6
20
--0.8
--1.0
--50
0
--25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（ _C ）
125
150
I
D
= 250
mA
功率（W）的
80
100
单脉冲功率，结到环境
60
40
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
10
-
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
600
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4
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
Si4816DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
CHANNEL-1
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
CHANNEL-2
传输特性
24
24
T
C
= 125_C
16
16
8
3V
2V
8
25_C
--55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.030
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.024
V
GS
= 4.5 V
0.018
V
GS
= 10 V
0.012
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.006
500
C
RSS
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
文档编号： 71121
S- 41697 -REV 。 E， 20 09月04
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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