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Si4812DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
9
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
1.4
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
订货信息：
Si4812DY
Si4812DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4812DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4812DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
a,
最大功率耗散（ MOSFET ）
A B
符号
V
DS
V
GS
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
10秒
30
30
"20
9
7.5
50
2.1
1.4
30
2.5
1.6
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
6.9
5.6
1.2
0.8
1.4
0.9
1.2
0.8
55
150
_C
W
A
a,
最大功率耗散（肖特基）
A B
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境（T
v
10秒）
a
TI T A双向吨
)
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
40
50
72
85
最大
50
60
90
100
单位
R
thJA
° C / W
最大结到环境（ T =稳态）
a
结到环境
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
www.vishay.com
1
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET +肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100_C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
20
0.012
0.019
23
0.45
0.33
0.50
0.42
0.018
0.028
W
S
V
0.004
0.7
3.0
1
3
"100
0.100
10
20
A
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.2
16
10
35
13
35
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9 A
13
4
5.7
2.4
25
20
50
20
70
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
输出特性
V
GS
= 10直通5 V
50
传输特性
40
I
D
漏电流（ A）
4V
I
D
漏电流（ A）
40
30
30
20
20
T
C
= 125_C
10
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
25_C
0
0
1
2
3
55_C
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
1800
1500
C
电容（pF）
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
C
国际空间站
1200
900
600
C
RSS
300
0
C
OSS
0.06
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.00
0
10
20
30
40
50
I
D
漏电流（ A）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
www.vishay.com
3
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
源极 - 漏极二极管正向电压
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
T
J
= 150_C
0.08
0.06
I
D
= 9.0 A
1
T
J
= 25_C
0.04
0.02
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
反向电流（肖特基）
20
10
I
R
反向电流（mA ）
40
1
功率（W）的
30 V
0.1
0.01
10 V
30
50
单脉冲功率（ MOSFET ）
20
0.001
20 V
10
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境（ MOSFET ）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境（肖特基）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
www.vishay.com
5
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
9
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
1.4
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
订货信息：
Si4812DY
Si4812DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4812DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4812DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
a,
最大功率耗散（ MOSFET ）
A B
符号
V
DS
V
GS
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
10秒
30
30
"20
9
7.5
50
2.1
1.4
30
2.5
1.6
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
6.9
5.6
1.2
0.8
1.4
0.9
1.2
0.8
55
150
_C
W
A
a,
最大功率耗散（肖特基）
A B
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境（T
v
10秒）
a
TI T A双向吨
)
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
40
50
72
85
最大
50
60
90
100
单位
R
thJA
° C / W
最大结到环境（ T =稳态）
a
结到环境
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
www.vishay.com
1
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET +肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
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V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100_C
V
DS
= 30 V, V
GS
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J
= 125_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.0 A，V
GS
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J
= 125_C
20
0.012
0.019
23
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W
S
V
0.004
0.7
3.0
1
3
"100
0.100
10
20
A
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.2
16
10
35
13
35
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9 A
13
4
5.7
2.4
25
20
50
20
70
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
输出特性
V
GS
= 10直通5 V
50
传输特性
40
I
D
漏电流（ A）
4V
I
D
漏电流（ A）
40
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30
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C
= 125_C
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DS
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1
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55_C
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GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
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1800
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C
电容（pF）
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
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0.08
C
国际空间站
1200
900
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C
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300
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C
OSS
0.06
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
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GS
= 10 V
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0
10
20
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40
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I
D
漏电流（ A）
0
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DS
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GS
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V
DS
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1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
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8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
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15
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25
Q
g
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50
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125
150
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
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3
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
源极 - 漏极二极管正向电压
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导通电阻与栅极至源极电压
I
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10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
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J
= 150_C
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= 9.0 A
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8
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V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
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栅极 - 源极电压（ V）
反向电流（肖特基）
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I
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150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境（ MOSFET ）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境（肖特基）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
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5
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
9
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
D
LITTLE FOOTr
PLUS
功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
1.4
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
订货信息：
Si4812DY
Si4812DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4812DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4812DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
a,
最大功率耗散（ MOSFET ）
A B
符号
V
DS
V
GS
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
10秒
30
30
"20
9
7.5
50
2.1
1.4
30
2.5
1.6
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
6.9
5.6
1.2
0.8
1.4
0.9
1.2
0.8
55
150
_C
W
A
a,
最大功率耗散（肖特基）
A B
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境（T
v
10秒）
a
TI T A双向吨
)
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
40
50
72
85
最大
50
60
90
100
单位
R
thJA
° C / W
最大结到环境（ T =稳态）
a
结到环境
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
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1
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET +肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100_C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
20
0.012
0.019
23
0.45
0.33
0.50
0.42
0.018
0.028
W
S
V
0.004
0.7
3.0
1
3
"100
0.100
10
20
A
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.2
16
10
35
13
35
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9 A
13
4
5.7
2.4
25
20
50
20
70
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 71775
S- 41426 -REV 。 G， 26月， 04
Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
输出特性
V
GS
= 10直通5 V
50
传输特性
40
I
D
漏电流（ A）
4V
I
D
漏电流（ A）
40
30
30
20
20
T
C
= 125_C
10
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
25_C
0
0
1
2
3
55_C
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
1800
1500
C
电容（pF）
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
C
国际空间站
1200
900
600
C
RSS
300
0
C
OSS
0.06
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.00
0
10
20
30
40
50
I
D
漏电流（ A）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
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3
Si4812DY
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
源极 - 漏极二极管正向电压
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
T
J
= 150_C
0.08
0.06
I
D
= 9.0 A
1
T
J
= 25_C
0.04
0.02
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
反向电流（肖特基）
20
10
I
R
反向电流（mA ）
40
1
功率（W）的
30 V
0.1
0.01
10 V
30
50
单脉冲功率（ MOSFET ）
20
0.001
20 V
10
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境（ MOSFET ）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
100
600
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Si4812DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境（肖特基）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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联系人：陈泽强
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