规格比较
Vishay Siliconix公司
Si4804BDY与Si4804DY
描述：双N通道， 30 -V （D -S ）的MOSFET
包装：
SOIC-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si4804BDY替换Si4804DY
Si4804BDY -E3 （无铅版）替换Si4804DY
Si4804BDY -T1替换Si4804DY -T1
Si4804BDY -T1 -E3 （无铅版）替换Si4804DY -T1
业绩概要：
该Si4804BDY是替代原有的Si4804DY ;这两部分进行相同的限制，包括对参
下面的表格。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si4804BDY
30
"20
7.5
6
30
2.3
1.7
2.0
55
150
62.5
Si4804DY
30
"20
7.5
6
20
1.7
2.0
1.3
55
150
62.5
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si4804BDY
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
D ( )
DS （ ON）
g
fs
V
SD
20
0.017
0.024
19
0.75
1.2
0.022
0.030
0.8
3.0
"100
1
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
V
nA
mA
A
W
S
V
Si4804DY
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Qg
QGS
QGD
R
g
0.5
7
2.9
2.5
1.5
2.6
11
13
2
2.7
NS
W
20
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
源漏反向恢复时间
NS表示在原始数据表中没有指定的参数。
文档编号： 72893
22-Mar-04
www.vishay.com
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
9
10
19
9
35
15
17
30
15
55
8
10
21
10
40
16
20
40
20
80
ns
1
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4804DY
Si4804DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
20
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
A
A
W
_C
0.9
1.1
0.7
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
52
93
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
13
2
2.7
1.9
8
10
21
10
40
4
16
20
40
20
80
ns
W
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
16
20
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
2
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1000
电容
C
电容（pF）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si4804BDY与Si4804DY
描述：双N通道， 30 -V （D -S ）的MOSFET
包装：
SOIC-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si4804BDY替换Si4804DY
Si4804BDY -E3 （无铅版）替换Si4804DY
Si4804BDY -T1替换Si4804DY -T1
Si4804BDY -T1 -E3 （无铅版）替换Si4804DY -T1
业绩概要：
该Si4804BDY是替代原有的Si4804DY ;这两部分进行相同的限制，包括对参
下面的表格。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si4804BDY
30
"20
7.5
6
30
2.3
1.7
2.0
55
150
62.5
Si4804DY
30
"20
7.5
6
20
1.7
2.0
1.3
55
150
62.5
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si4804BDY
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
D ( )
DS （ ON）
g
fs
V
SD
20
0.017
0.024
19
0.75
1.2
0.022
0.030
0.8
3.0
"100
1
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
V
nA
mA
A
W
S
V
Si4804DY
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Qg
QGS
QGD
R
g
0.5
7
2.9
2.5
1.5
2.6
11
13
2
2.7
NS
W
20
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
源漏反向恢复时间
NS表示在原始数据表中没有指定的参数。
文档编号： 72893
22-Mar-04
www.vishay.com
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
9
10
19
9
35
15
17
30
15
55
8
10
21
10
40
16
20
40
20
80
ns
1
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4804DY
Si4804DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
20
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
A
A
W
_C
0.9
1.1
0.7
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
52
93
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
13
2
2.7
1.9
8
10
21
10
40
4
16
20
40
20
80
ns
W
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
16
20
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
2
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1000
电容
C
电容（pF）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4804DY
Si4804DY -T1 （带编带和卷轴）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
20
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
A
A
W
_C
0.9
1.1
0.7
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
52
93
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
13
2
2.7
1.9
8
10
21
10
40
4
16
20
40
20
80
ns
W
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
16
20
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
2
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1000
电容
C
电容（pF）
0.032
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.016
800
C
国际空间站
600
0.024
400
C
OSS
200
C
RSS
0.008
0.000
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
1.4
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
D
= 7.5 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si4804DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 93_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71088
S- 31989 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
QQ：2881677436 复制
