Si4720/21
广播FM无线电收发器用于便携式应用
描述
该Si4720 / 21是第一款单芯片FM广播收发器。
该Si4720的证明和专利的数字架构/
21结合了Si470x FM广播的功能
接收器与Si471x FM发射器，提供完整的FM
接收并在一个单一的，超小发送能力
3x3x0.55毫米QFN封装。该设备利用Silicon
实验室的非常成功和成熟的调频技术，
提供无与伦比的集成度和性能，使FM
接收和发送给由被添加到任何便携设备
使用单一芯片。作为与Si470x和Si471x
产品， Si4720 / 21提供业界领先的尺寸，
性能，功耗低，并且易于使用。
该Si4720 / 21的数字集成减少了所需
传统产品的外部元件，从而产生
解决方案只需要一个外部电感器和旁路
电容器，以及大约15mm的PCB空间
2
。该
Si4720 / 21是布局与Silicon Laboratories的兼容“
Si470x FM广播接收器，的Si473x AM / FM无线电接收器，
与Si471x FM广播发射机的解决方案，允许一个
单PCB布局，以适应各种音乐
功能。产量高可制造性，无与伦比的
性能方面，
易
设计时，
和
软件
可编程性是Si4720 / 21的关键优势。
Si4721是唯一一款业界首款单芯片集成FM
无线电收发机，包括接收和发送
欧洲无线电数据系统（ RDS ）和支持
美国无线电广播数据系统（RBDS ） 。 RDS
允许从广播电台发送的数字信息，以便
显示，如站ID ，歌曲名称和音乐
类别。在欧洲，备用频率（ AF ）信息
还提供自动改变在区站
其中，广播电台使用多个频率。在发射
模式，数字化信息，如艺术家名字，歌曲名称，
音乐类别，品牌的消息可
发送和任何RDS / RBDS接收器显示。
用户有责任调整其系统的辐射
功率等级符合射频地方法规
传输（FCC ，ETSI， ARIB等）。
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
内置FM天线支持
出色的实际性能
只需要两个外部元件
在全球FM频段支持（ 76至108兆赫）
RDS / RBDS处理器（ Si4721 ）
频率合成器与集成式VCO
可调式电台搜寻参数
可调式单声道/立体声混合
可调式软静音
可编程发送输出电压控制
音频动态范围控制
先进的调制控制
模拟/数字音频接口
可编程参考时钟输入
可编程预加重/去加重（ 50/75微秒）
2线和3线控制接口
集成的LDO稳压器
2.7至5.5 V电源电压
3x3x0.55毫米的20引脚无铅QFN封装
蜂窝手机/免提
MP3播放器
便携式媒体播放器
GPS /导航设备
卫星数字音频无线电
个人电脑
应用
Si472x
TX
蚂蚁
L1
120 uH容
TXO
LIN
/ DFS
凛
/ DIO
RX
蚂蚁
FMI
RFGND
ADC
PGA
MUX
LNA
AGC
DSP
ADC
DAC
大败
/ DIO
糊涂人
/ DFS
DAC
2.7–5.5 V
VDD
C1
22 uF的
GND
LDO
AFC
RDS
(Si4721)
GPO
控制
接口
GPO2
SCLK
RCLK
GPO1
SEN
RST
FM收发器
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
GPO3/DCLK
SDIO
VIO
1.18.07
Si4720/21
广播FM无线电收发器用于便携式应用
选的电气规范
参数
频带
灵敏度
输入IP3
相邻信道选择性
备用信道选择性
RX音频输出电压
RX音频频带限制
RX音频S / N
RX音频THD
可编程发送输出
电压， TXO （最大电压）
可编程发送输出
电压， TXO （最低电压）
传输电压稳定
传输电压，升压
传输通道边沿电源
传邻道功率
预加重/去加重时间常数
TX音频信噪比
TX音频THD
TX音频立体声分离度
TX副载波抑制比
TX音频输入信号电平（0 dB为单位）
符号
f
RF
测试条件
（S + N） / N = 26分贝
|f
2
– f
1
| >为1 MHz ; F
0
= 2 X F
1
– f
2
AGC关闭
±200千赫
± 400千赫
-1.5分贝
民
76
—
—
—
—
72
30
—
—
—
—
–1
—
—
—
70
45
—
—
30
—
—
典型值
—
2.2
108
50
70
80
—
63
0.1
115
83
—
1
—
–30
75
50
63
0.1
35
–50
—
最大
108
—
—
—
—
90
15k
—
—
—
—
1
2
–20
–26
80
54
—
—
—
–40
0.636
单位
兆赫
μV EMF
dBμV的EMF
dB
dB
毫伏有效值
Hz
dB
%
dBμV的
dBμV的
dB
dB
dBc的
dBc的
us
us
dB
%
dB
dB
V
pk
FMPE [1： 0] = 00
FMPE [1： 0] = 01
SCR
V
AI
V
IO
= 1.8 V
引脚分配
GPO3/DCLK
LIN / DFS
GPO1
GPO2
包装信息
NC
1
FMI 2
RFGND 3
4 TXO
RST 5
6
SEN
7
SCLK
8
SDIO
9
RCLK
NC
20 19 18 17 16
15 RIN / DIO
GND
PAD
14 LOUT / DFS
13 ROUTDIO
12 GND
10 11 VDD
VIO
符号
A
A1
b
c
D
D2
e
E
E2
民
0.50
0.00
0.18
0.27
1.60
1.60
MILLIMETERS
喃
0.55
0.02
0.25
0.32
3.00 BSC
1.70
0.50 BSC
3.00 BSC
1.70
符号
最大
0.60
0.05
0.30
0.37
1.80
f
L
L1
aaa
bbb
ccc
ddd
eee
MILLIMETERS
民
喃
2.53 BSC
0.35
0.40
0.00
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
0.45
0.10
0.10
0.10
0.08
0.10
0.10
1.80
FM收发器
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
1.18.07
Silicon Laboratories公司和Silicon Labs的是Silicon Laboratories Inc.的商标。
本文提及的其他产品或品牌名称均为其各自所有者的注册商标。
Si4720
Vishay Siliconix公司
蓄电池断路开关
描述
该Si4720CY为两电平转换P沟道MOSFET 。
一起操作，这些MOSFET可被用作一个
反向电池断开应用无阻塞交换。
它是对多个电池技术设计或溶液
需要时从电源总线隔离设计
充电。
该Si4720CY是采用16引脚SOIC封装，
额定的商业级温度范围 - 25 ° C至
85 °C.
特点
解决方案为双向阻断
6 V至30 V工作
接地参考的逻辑电平输入
集成低R
DS （ ON）
MOSFET
电平转换栅极驱动器，内置MOSFET
两个独立的输入
在关闭状态超低功耗
（仅泄漏电流）
逻辑电源电压不需要
功能框图
6
G
1
IN
1
5
9, 10, 11
D
1
ESD
逻辑
和
门
DRIVE
水平
移
GND
1
12
V
GS
限
这里示出一半的电路。
7, 8
S
1
文档编号： 70664
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1
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Si4720
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绝对最大额定值
参数
电压参考GND V
S
, V
Da
V
SD
V
IN1
, V
IN2
V
GS
储存温度
功耗
b
吨≤ 10秒
T =稳态
符号
极限
- 0.3 32
- 0.3-30
- 0.315
20
- 55 150
2.5
1.5
°C
W
V
单位
注意事项：
A. V
SD
30 V
DC
.
B 。设备安装与焊接到1" X 1" FR4与铜层压印刷电路板的所有线索。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参数
V
S
, V
D
V
IN1
, V
IN2
I
DS
工作温度范围
结温
符号
极限
630个
0至13.2
06
- 25-85
- 25至150
单位
V
A
°C
该器件具有85 ℃的最高推荐工作结温。这一温度限值用于电气规范，如逻辑转换
只有电压和不可靠性限度。该设备可以与结温度可高达150 ℃，如果放宽的规格是可以容忍的使用，虽然对于限制
这些规范可能不会给出。性能曲线可以用来给出的规格在较高的温度的指示，但不能保证。
特定网络阳离子
参数
导通电阻
漏电流
电源电流
输入电压低
输入电压高
输入漏电流
导通延迟
关断延时
突破前先
d
上升时间
下降时间
跨引脚6和7的电压
正向二极管
IN
到D或S
符号
r
DS
I
DS （关闭）
I
S（ OFF）
I
秒（上）
V
INL
V
INH
I
INH
t
开（ IN）的
t
关（ IN）的
t
BBM
t
上升
t
秋天
V
GS
V
SD
V
S
= 10 V ，R
L
= 5
,
图1
V
S
= 30
I
D
= - 1 A
测试条件
除非另有说明
V
S
= 10 V，I
D
= 1 A，V
IN
= H
V
DS
= 10 V
V
S
= 21 V
V
S
= 10和V
S
= 21
V
IN
= 5 V
V
S
= 10 V ，R
L
= 5
,
图1
范围
温度。
a
房间
房间
房间
房间
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
2.2
2.9
1.5
1.05
1.3
50
10.2
2.5
100
18
1.1
ns
V
2.5
5
10
2.1
s
1.1
分钟。
b
典型值。
c
0.0155
马克斯。
b
0.020
1
1
6
1
V
A
A
单位
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
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Si4720
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时序图
10 V
来源
V
IN
0V
50 %
50 %
漏
V
D
5
t
开（ IN）的
90 %
10 %
t
关（ IN）的
t
r
90 %
10 %
t
f
图1 。
引脚配置和真理
V
IN1
0
0
1
1
V
IN2
0
1
0
1
开关1
关闭
关闭
On
On
开关2
关闭
On
关闭
On
D
2
D
2
D
2
GND
2
IN
1
G
1(OUT)
S
1
S
1
1
2
3
4
5
6
7
8
SO-16
16
15
14
13
12
11
10
9
顶视图
订单号：
Si4720CY
S
2
S
2
G
2(OUT)
IN
2
GND
1
D
1
D
1
D
1
引脚说明
（如有变化）
引脚数
1, 2, 3
4, 12
5
6
7, 8
9, 10, 11
13
14
15, 16
符号
D
2
GND
IN
1
G
1(OUT)
S
1
D
1
IN
2
G
2(OUT)
S
2
描述
漏了MOSFET - 2连接。
地
逻辑输入，IN
1
。高电平接通开关。
门输出到MOSFET - 1 。
源连接的MOSFET - 1 。
漏了MOSFET - 1连接。
逻辑输入，IN
2
。高电平接通开关。
栅极输出到MOSFET -2。
源连接的MOSFET - 2 。
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Si4720
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典型特征
（25℃除非另有说明）
0.030
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
0.10
0.025
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
0.08
0.020
V
S
= 10 V
0.015
0.06
0.04
I
S
= 1 A
0.02
0.010
0.005
0.000
0
1
2
3
I
S
(A)
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
V
S
(V)
12
14
16
18
20
导通电阻与漏电流
1.8
1.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
V
S
= 10 V
I
S
= 1 A
导通电阻与电压源
2500
2000
C
OSS
（PF ）
1.2
1.0
0.8
1500
1000
V
IN
= 0 V
500
0.6
0.4
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
V
S
(V)
20
25
30
T
J
- 结温（ ° C）
归一化的导通电阻与
结温
10.000
T
J
= 150 °C
1.000
1.000
10.000
输出电容与电压源
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
I
S
( A)
I
S
( A)
T
J
= 25 °C
0.100
0.100
0.010
0.010
0.001
0
5
10
15
V
S
(V)
20
25
30
0.001
0
5
10
15
V
S
(V)
20
25
30
断电源电流与电压源
在电源电流与电压源
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典型特征
（25℃除非另有说明）
10
1.8
1.6
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
V
IN
TRIP POINT
1.4
V
S
= 21 V
1.2
V
S
= 10 V
1.0
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.4
0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
A
=环境温度（℃）
漏源二极管的正向电压
4.0
V
S
= 10 V
RL = 5
3.6
输入电压跳变点与温度的关系
2.0
V
S
= 10 V
RL = 5
1.8
2.8
t
D（关闭）
(s)
- 25
0
25
50
75
100
125
150
t
D（上）
(s)
3.2
1.6
1.4
2.4
1.2
2.0
- 50
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
温度（℃）
导通延迟与温度
关闭延迟与温度的关系
1.8
V
S
= 10 V
RL = 5
80
V
S
= 10 V
RL = 5
1.6
70
1.4
t
上升
(s)
t
秋天
（纳秒）
60
1.2
50
1.0
40
0.8
30
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
温度（℃）
上升时间与温度的关系
下降时间与温度的关系
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