Si4700DY
新产品
Vishay Siliconix公司
电源选择开关
特点
D
的MOSFET配置为提供单刀双掷开关
具有一个控制输入
D
2.5 8 V接地参考的控制输入
D
30 mW的主开关导通电阻
D
70 - mW的备用开关导通电阻
D
SOIC -8封装
D
3000 -V ESD保护控制输入
D
零功耗备用电源
模式
应用
D
ACPI电源开关在桌面
电脑
描述
该Si4700DY包括构造成用作两个MOSFET
一个单刀双掷（ SPDT ）开关。单一地
参考输入，开关控制是否打开。该Si4700DY
旨在用于在应用中，两个动力源
是可用的，该电路必须选择两个中的一个
根据不同的条件。这种电路的一个例子是
在计算机的ACPI实现，其中的电路的一部分，必须
切换到“永远在线”的电源，待计算机
在暂停模式，但运行关闭主电源
正常操作。
功能框图及引脚配置
4
V
S2
R
G
V
G
3
V
S1
8
Q1
5, 6, 7
V
D
Q2
C
O
1
开/关
Q3
2
GND
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
负载
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-1
Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
逻辑控制输入
连续漏电流
a
漏电流脉冲
b
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
符号
V
DS
V
IN
I
D
I
DM
10秒
12
–12
8
7.6
5.0
20
20
2.1
2.1
2.35
稳定状态
单位
V
5.3
3.5
A
1.15
1.15
1.25
-55到150
3
W
_C
KV
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD电压
c
I
S
P
D
T
j
, T
英镑
ESD
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
。相当于MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的1500
W)
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
b
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
43
82
25
最大
53
100
30
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。结到脚的热阻抗表示所有的载热在平行导线的有效的热阻抗和旨在用于结合
的印刷电路板焊盘到环境R中的热阻抗（
thJA
= R
thJF
+ R
thPCB -A
） 。它也可以被用来估计芯片温度如果功耗和
的载热（漏极）引线的引线的温度是已知的。
特定网络阳离子
范围
参数
P
符号
S B升
特异性T
S
IFI测试条件
迪我
Q1
Q2
Q3
Q2
Q3
Q3
Q1
Q1
Q2
Q2
0.6
25
32
58
90
30
40
70
110
mW
W
民
典型值
a
最大
单位
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
关冬
状态L·K
漏电流
C
I
DSS
V
DS
= –8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
门体漏
栅极阈值电压
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
导通电阻
R I
r
DS （ ON）
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
1
–1
1
–5
"1
V
mA
A
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文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
Si4700DY
新产品
引脚配置
Vishay Siliconix公司
SO-8
V
IN
GND
Q2源
Q1源
1
2
3
4
8
7
6
5
V
门
漏
漏
漏
真值表
V
IN
L
H
Q1
ON
关闭
Q2
关闭
ON
顶视图
订单号：
Si4700DY
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5, 6, 7
8
符号
V
开/关
GND
Q2源
Q1源
漏
V
门
逻辑输入信号
描述
接地（参考逻辑输入和电源地）
输入备用电源
输入主电源
产量
通过上拉电阻，栅极驱动电压
典型特征（ 25_C除非另有说明）
N沟道
V
降
与我
L
0.35
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.25
V
降
与我
L
0.28
0.20
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –2.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.21
125_C
0.14
25_C
0.07
0.15
125_C
0.10
25_C
0.05
0
0
2
4
I
L
(A)
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
3
4
5
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
www.vishay.com
S
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Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
0.015
0.012
0.08
V
降
方差（ V）
0.009
0.006
0.003
0.000
–0.003
0
0
2
4
V
S2
(V)
0.10
6
8
10
–0.006
–50
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
V
降
与S
2
V
降
方差与结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
0.02
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
1.6
r
DS （ ON）
变化与输入电压
归一化
DS （ ON）
- 结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
8
10
1.4
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
1.2
1.0
0.02
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
V
降
(V)
P沟道
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 2.5 V
I
L
= 1 A
1.0
0.70
0.8
0.56
V
降
(V)
0.6
125_C
0.4
25_C
0.42
125_C
25_C
0.28
0.2
0.14
0
0
2
4
I
L
(A)
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
3
4
5
2-4
Si4700DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与S
1
0.30
0.04
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
Vishay Siliconix公司
P沟道
V
降
方差与结温
0.24
V
降
方差（ V）
8
10
0.03
0.02
V
降
(V)
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
0.01
0.00
0.06
–0.01
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
–0.02
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
r
DS （ ON）
变化与输入电压
0.30
1.6
归一化
DS （ ON）
- 结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.24
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
1.4
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= 4.5 V
I
L
= 1 A
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
1.2
1.0
0.06
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
t
D（上）
变化有R
G
/V
S1
1.5
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
8
t
上升
变化有R
G
/V
S1
V
S!
= 2.5 V
6
1.2
V
S!
= 2.5 V
时间（
m
S)
V
S!
= 3.3 V
4
V
S!
= 5 V
V
S!
= 5 V
2
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
V
S!
= 3.3 V
时间（
m
S)
0.9
0.6
0.3
0
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
0
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
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Si4700DY
新产品
Vishay Siliconix公司
电源选择开关
特点
D
的MOSFET配置为提供单刀双掷开关
具有一个控制输入
D
2.5 8 V接地参考的控制输入
D
30 mW的主开关导通电阻
D
70 - mW的备用开关导通电阻
D
SOIC -8封装
D
3000 -V ESD保护控制输入
D
零功耗备用电源
模式
应用
D
ACPI电源开关在桌面
电脑
描述
该Si4700DY包括构造成用作两个MOSFET
一个单刀双掷（ SPDT ）开关。单一地
参考输入，开关控制是否打开。该Si4700DY
旨在用于在应用中，两个动力源
是可用的，该电路必须选择两个中的一个
根据不同的条件。这种电路的一个例子是
在计算机的ACPI实现，其中的电路的一部分，必须
切换到“永远在线”的电源，待计算机
在暂停模式，但运行关闭主电源
正常操作。
功能框图及引脚配置
4
V
S2
R
G
V
G
3
V
S1
8
Q1
5, 6, 7
V
D
Q2
C
O
1
开/关
Q3
2
GND
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
负载
www.vishay.com
S
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Si4700DY
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新产品
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
逻辑控制输入
连续漏电流
a
漏电流脉冲
b
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
符号
V
DS
V
IN
I
D
I
DM
10秒
12
–12
8
7.6
5.0
20
20
2.1
2.1
2.35
稳定状态
单位
V
5.3
3.5
A
1.15
1.15
1.25
-55到150
3
W
_C
KV
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD电压
c
I
S
P
D
T
j
, T
英镑
ESD
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
。相当于MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的1500
W)
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
b
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
43
82
25
最大
53
100
30
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。结到脚的热阻抗表示所有的载热在平行导线的有效的热阻抗和旨在用于结合
的印刷电路板焊盘到环境R中的热阻抗（
thJA
= R
thJF
+ R
thPCB -A
） 。它也可以被用来估计芯片温度如果功耗和
的载热（漏极）引线的引线的温度是已知的。
特定网络阳离子
范围
参数
P
符号
S B升
特异性T
S
IFI测试条件
迪我
Q1
Q2
Q3
Q2
Q3
Q3
Q1
Q1
Q2
Q2
0.6
25
32
58
90
30
40
70
110
mW
W
民
典型值
a
最大
单位
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
关冬
状态L·K
漏电流
C
I
DSS
V
DS
= –8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
门体漏
栅极阈值电压
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
导通电阻
R I
r
DS （ ON）
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
1
–1
1
–5
"1
V
mA
A
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文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
Si4700DY
新产品
引脚配置
Vishay Siliconix公司
SO-8
V
IN
GND
Q2源
Q1源
1
2
3
4
8
7
6
5
V
门
漏
漏
漏
真值表
V
IN
L
H
Q1
ON
关闭
Q2
关闭
ON
顶视图
订单号：
Si4700DY
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5, 6, 7
8
符号
V
开/关
GND
Q2源
Q1源
漏
V
门
逻辑输入信号
描述
接地（参考逻辑输入和电源地）
输入备用电源
输入主电源
产量
通过上拉电阻，栅极驱动电压
典型特征（ 25_C除非另有说明）
N沟道
V
降
与我
L
0.35
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.25
V
降
与我
L
0.28
0.20
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –2.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.21
125_C
0.14
25_C
0.07
0.15
125_C
0.10
25_C
0.05
0
0
2
4
I
L
(A)
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
3
4
5
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
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Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
0.015
0.012
0.08
V
降
方差（ V）
0.009
0.006
0.003
0.000
–0.003
0
0
2
4
V
S2
(V)
0.10
6
8
10
–0.006
–50
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
V
降
与S
2
V
降
方差与结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
0.02
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
1.6
r
DS （ ON）
变化与输入电压
归一化
DS （ ON）
- 结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
8
10
1.4
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
1.2
1.0
0.02
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
V
降
(V)
P沟道
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 2.5 V
I
L
= 1 A
1.0
0.70
0.8
0.56
V
降
(V)
0.6
125_C
0.4
25_C
0.42
125_C
25_C
0.28
0.2
0.14
0
0
2
4
I
L
(A)
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
3
4
5
2-4
Si4700DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与S
1
0.30
0.04
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
Vishay Siliconix公司
P沟道
V
降
方差与结温
0.24
V
降
方差（ V）
8
10
0.03
0.02
V
降
(V)
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
0.01
0.00
0.06
–0.01
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
–0.02
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
r
DS （ ON）
变化与输入电压
0.30
1.6
归一化
DS （ ON）
- 结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.24
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
1.4
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= 4.5 V
I
L
= 1 A
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
1.2
1.0
0.06
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
t
D（上）
变化有R
G
/V
S1
1.5
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
8
t
上升
变化有R
G
/V
S1
V
S!
= 2.5 V
6
1.2
V
S!
= 2.5 V
时间（
m
S)
V
S!
= 3.3 V
4
V
S!
= 5 V
V
S!
= 5 V
2
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
V
S!
= 3.3 V
时间（
m
S)
0.9
0.6
0.3
0
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
0
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
www.vishay.com
S
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2-5
Si4700DY
新产品
Vishay Siliconix公司
电源选择开关
特点
D
的MOSFET配置为提供单刀双掷开关
具有一个控制输入
D
2.5 8 V接地参考的控制输入
D
30 mW的主开关导通电阻
D
70 - mW的备用开关导通电阻
D
SOIC -8封装
D
3000 -V ESD保护控制输入
D
零功耗备用电源
模式
应用
D
ACPI电源开关在桌面
电脑
描述
该Si4700DY包括构造成用作两个MOSFET
一个单刀双掷（ SPDT ）开关。单一地
参考输入，开关控制是否打开。该Si4700DY
旨在用于在应用中，两个动力源
是可用的，该电路必须选择两个中的一个
根据不同的条件。这种电路的一个例子是
在计算机的ACPI实现，其中的电路的一部分，必须
切换到“永远在线”的电源，待计算机
在暂停模式，但运行关闭主电源
正常操作。
功能框图及引脚配置
4
V
S2
R
G
V
G
3
V
S1
8
Q1
5, 6, 7
V
D
Q2
C
O
1
开/关
Q3
2
GND
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
负载
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Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
逻辑控制输入
连续漏电流
a
漏电流脉冲
b
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
符号
V
DS
V
IN
I
D
I
DM
10秒
12
–12
8
7.6
5.0
20
20
2.1
2.1
2.35
稳定状态
单位
V
5.3
3.5
A
1.15
1.15
1.25
-55到150
3
W
_C
KV
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD电压
c
I
S
P
D
T
j
, T
英镑
ESD
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
。相当于MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的1500
W)
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
b
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
43
82
25
最大
53
100
30
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。结到脚的热阻抗表示所有的载热在平行导线的有效的热阻抗和旨在用于结合
的印刷电路板焊盘到环境R中的热阻抗（
thJA
= R
thJF
+ R
thPCB -A
） 。它也可以被用来估计芯片温度如果功耗和
的载热（漏极）引线的引线的温度是已知的。
特定网络阳离子
范围
参数
P
符号
S B升
特异性T
S
IFI测试条件
迪我
Q1
Q2
Q3
Q2
Q3
Q3
Q1
Q1
Q2
Q2
0.6
25
32
58
90
30
40
70
110
mW
W
民
典型值
a
最大
单位
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
关冬
状态L·K
漏电流
C
I
DSS
V
DS
= –8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
门体漏
栅极阈值电压
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
导通电阻
R I
r
DS （ ON）
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 4.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
V
S
= 2.5 V，I
D
= 1 A，V
开/关
= 2.5 V
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
1
–1
1
–5
"1
V
mA
A
2-2
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
Si4700DY
新产品
引脚配置
Vishay Siliconix公司
SO-8
V
IN
GND
Q2源
Q1源
1
2
3
4
8
7
6
5
V
门
漏
漏
漏
真值表
V
IN
L
H
Q1
ON
关闭
Q2
关闭
ON
顶视图
订单号：
Si4700DY
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5, 6, 7
8
符号
V
开/关
GND
Q2源
Q1源
漏
V
门
逻辑输入信号
描述
接地（参考逻辑输入和电源地）
输入备用电源
输入主电源
产量
通过上拉电阻，栅极驱动电压
典型特征（ 25_C除非另有说明）
N沟道
V
降
与我
L
0.35
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.25
V
降
与我
L
0.28
0.20
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –2.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.21
125_C
0.14
25_C
0.07
0.15
125_C
0.10
25_C
0.05
0
0
2
4
I
L
(A)
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
3
4
5
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
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S
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2-3
Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
0.015
0.012
0.08
V
降
方差（ V）
0.009
0.006
0.003
0.000
–0.003
0
0
2
4
V
S2
(V)
0.10
6
8
10
–0.006
–50
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
V
降
与S
2
V
降
方差与结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
0.02
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
1.6
r
DS （ ON）
变化与输入电压
归一化
DS （ ON）
- 结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
8
10
1.4
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
1.2
1.0
0.02
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
V
降
(V)
P沟道
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 2.5 V
I
L
= 1 A
1.0
0.70
0.8
0.56
V
降
(V)
0.6
125_C
0.4
25_C
0.42
125_C
25_C
0.28
0.2
0.14
0
0
2
4
I
L
(A)
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
3
4
5
2-4
Si4700DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与S
1
0.30
0.04
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
Vishay Siliconix公司
P沟道
V
降
方差与结温
0.24
V
降
方差（ V）
8
10
0.03
0.02
V
降
(V)
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
0.01
0.00
0.06
–0.01
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
–0.02
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
r
DS （ ON）
变化与输入电压
0.30
1.6
归一化
DS （ ON）
- 结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.24
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
1.4
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= 4.5 V
I
L
= 1 A
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
1.2
1.0
0.06
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
t
D（上）
变化有R
G
/V
S1
1.5
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
8
t
上升
变化有R
G
/V
S1
V
S!
= 2.5 V
6
1.2
V
S!
= 2.5 V
时间（
m
S)
V
S!
= 3.3 V
4
V
S!
= 5 V
V
S!
= 5 V
2
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
V
S!
= 3.3 V
时间（
m
S)
0.9
0.6
0.3
0
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
0
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-5
QQ：2881677436 复制
