Si4558DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
= 10 V
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"6
"4.8
"6
"4.4
P沟道
–30
0.040 @ V
GS
= –10 V
0.070 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
2
D
G
1
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"6
"4.7
"30
2
2.4
P沟道
–30
"20
"6
"4.7
"30
–2
单位
V
A
W
1.5
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P沟道
52
单位
° C / W
2-1
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
V
GS
= -10 V，I
D
= –6 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.4 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –6 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2 A ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.045
0.056
13
10.6
0.77
0.77
1.2
–1.2
V
0.060
0.070
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
–30
8.0
–8.0
0.032
0.032
0.040
0.040
W
A
N沟道
P沟道
1.0
–1.0
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
N沟道
CH
l
V
DS
= 15 V V
GS
= 10 V I
D
= 6 A
V,
V,
P沟道
P CH
l
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
I
D
= –6 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2 A ， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
16
22
3.4
5.4
2.3
3.6
12
12
12
12
27
38
24
25
45
50
25
25
25
25
55
55
50
50
80
80
ns
30
35
nC
C
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
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FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
30
N沟道
传输特性
24
I D - 漏电流（ A）
24
I D - 漏电流（ A）
18
4V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
0
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.150
1500
电容
0.125
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
1200
C
国际空间站
900
0.100
0.075
V
GS
= 4.5 V
0.050
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.025
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
4
8
12
16
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70633
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
T
J
= 150_C
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I S - 源电流（ A）
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
32
40
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
功率（W）的
24
–0.2
16
–0.4
8
–0.6
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
24
30
T
C
= –55_C
25_C
P沟道
传输特性
18
4V
12
18
125_C
12
6
3V
0
0
2
4
6
8
10
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
2000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.15
- 电容（pF ）
1500
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
0.05
V
GS
= 10 V
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
5
10
15
20
25
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
= 10 V
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"6
"4.8
"6
"4.4
P沟道
–30
0.040 @ V
GS
= –10 V
0.070 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
2
D
G
1
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"6
"4.7
"30
2
2.4
P沟道
–30
"20
"6
"4.7
"30
–2
单位
V
A
W
1.5
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
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S
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符号
R
thJA
N或P沟道
52
单位
° C / W
2-1
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
V
GS
= -10 V，I
D
= –6 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.4 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –6 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2 A ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.045
0.056
13
10.6
0.77
0.77
1.2
–1.2
V
0.060
0.070
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
–30
8.0
–8.0
0.032
0.032
0.040
0.040
W
A
N沟道
P沟道
1.0
–1.0
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
N沟道
CH
l
V
DS
= 15 V V
GS
= 10 V I
D
= 6 A
V,
V,
P沟道
P CH
l
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
I
D
= –6 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2 A ， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
16
22
3.4
5.4
2.3
3.6
12
12
12
12
27
38
24
25
45
50
25
25
25
25
55
55
50
50
80
80
ns
30
35
nC
C
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
30
N沟道
传输特性
24
I D - 漏电流（ A）
24
I D - 漏电流（ A）
18
4V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
0
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.150
1500
电容
0.125
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
1200
C
国际空间站
900
0.100
0.075
V
GS
= 4.5 V
0.050
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.025
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
4
8
12
16
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
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2-3
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
T
J
= 150_C
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I S - 源电流（ A）
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
32
40
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
功率（W）的
24
–0.2
16
–0.4
8
–0.6
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
24
30
T
C
= –55_C
25_C
P沟道
传输特性
18
4V
12
18
125_C
12
6
3V
0
0
2
4
6
8
10
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
2000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.15
- 电容（pF ）
1500
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
0.05
V
GS
= 10 V
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
5
10
15
20
25
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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Si4558DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
= 10 V
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"6
"4.8
"6
"4.4
P沟道
–30
0.040 @ V
GS
= –10 V
0.070 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
2
D
G
1
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"6
"4.7
"30
2
2.4
P沟道
–30
"20
"6
"4.7
"30
–2
单位
V
A
W
1.5
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
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符号
R
thJA
N或P沟道
52
单位
° C / W
2-1
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
V
GS
= -10 V，I
D
= –6 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.4 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –6 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2 A ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.045
0.056
13
10.6
0.77
0.77
1.2
–1.2
V
0.060
0.070
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
–30
8.0
–8.0
0.032
0.032
0.040
0.040
W
A
N沟道
P沟道
1.0
–1.0
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
N沟道
CH
l
V
DS
= 15 V V
GS
= 10 V I
D
= 6 A
V,
V,
P沟道
P CH
l
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
I
D
= –6 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2 A ， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
16
22
3.4
5.4
2.3
3.6
12
12
12
12
27
38
24
25
45
50
25
25
25
25
55
55
50
50
80
80
ns
30
35
nC
C
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
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S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
Si4558DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
30
N沟道
传输特性
24
I D - 漏电流（ A）
24
I D - 漏电流（ A）
18
4V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
0
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.150
1500
电容
0.125
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
1200
C
国际空间站
900
0.100
0.075
V
GS
= 4.5 V
0.050
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.025
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
4
8
12
16
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
T
J
= 150_C
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I S - 源电流（ A）
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
32
40
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
功率（W）的
24
–0.2
16
–0.4
8
–0.6
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
24
30
T
C
= –55_C
25_C
P沟道
传输特性
18
4V
12
18
125_C
12
6
3V
0
0
2
4
6
8
10
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
2000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.15
- 电容（pF ）
1500
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
0.05
V
GS
= 10 V
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
5
10
15
20
25
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70633
S- 56944 -REV 。 E， 23 - NOV- 98
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