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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第635页 > SI4542D
Si4542DY
2001年1月
Si4542DY
30V互补的PowerTrench
MOSFET
概述
此互补的MOSFET器件是使用产生的
飞兆半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已尽量减少接通状态
性，但保持低栅极电荷
出色的开关性能。
特点
Q1 ： N沟道
6 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q2 ： P通道
-6 A， -30 V
R
DS （ ON）
= 32毫欧@ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 45毫欧@ V
GS
= –4.5V
应用
DC / DC转换器
电源管理
D1
D
D1
D
D2
D
D
D2
5
6
Q2
4
3
Q1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
2
1
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
30
（注1A ）
Q2
–30
±20
–6
–20
2
1.6
1.2
1
-55到+175
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
±20
6
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
4542
设备
Si4542DY
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
仙童半导体国际
Si4542DY版本A
Si4542DY
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= –250 A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= +20 V, V
DS
= 0 V
TYPE
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
最小典型最大单位
30
–30
23
–21
1
–1
+100
+100
1
–1
1.5
–1.7
–4
4
19
32
25
21
29
30
3
–3
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
I
D（上）
g
FS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
栅极阈值电压
I
D
= 250μA ，引用至25℃
温度COEF网络cient
I
D
= -250 μA ，参考25℃
静态漏源
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –6 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -6 A，T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5 A
通态漏电流
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= –10 V, V
DS
= –5 V
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -10 V，I
D
= –6 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
Q1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
Q2
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
毫伏/°C的
Q2
28
48
35
32
51
45
m
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
–20
18
16
830
1540
185
400
80
170
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
pF
pF
pF
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
输入最小值典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DS
= -15 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A，V
GS
= 5 V
Q2
V
DS
= -10 V，I
D
= -6 A，V
GS
= –5V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
6
13
10
22
18
47
5
18
9
15
2.8
4
3.1
5
12
24
18
35
29
75
12
30
13
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Si4542DY版本A
Si4542DY
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
（注2 ）
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
0.7
–0.7
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
2
安装在一个0.02
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
Si4542DY版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
Si4542DY
2001年1月
Si4542DY
30V互补的PowerTrench
MOSFET
概述
此互补的MOSFET器件是使用产生的
飞兆半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已尽量减少接通状态
性，但保持低栅极电荷
出色的开关性能。
特点
Q1 ： N沟道
6 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q2 ： P通道
-6 A， -30 V
R
DS （ ON）
= 32毫欧@ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 45毫欧@ V
GS
= –4.5V
应用
DC / DC转换器
电源管理
D1
D
D1
D
D2
D
D
D2
5
6
Q2
4
3
Q1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
2
1
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
30
（注1A ）
Q2
–30
±20
–6
–20
2
1.6
1.2
1
-55到+175
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
±20
6
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
4542
设备
Si4542DY
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
仙童半导体国际
Si4542DY版本A
Si4542DY
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= –250 A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= +20 V, V
DS
= 0 V
TYPE
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
最小典型最大单位
30
–30
23
–21
1
–1
+100
+100
1
–1
1.5
–1.7
–4
4
19
32
25
21
29
30
3
–3
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
I
D（上）
g
FS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
栅极阈值电压
I
D
= 250μA ，引用至25℃
温度COEF网络cient
I
D
= -250 μA ，参考25℃
静态漏源
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –6 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -6 A，T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5 A
通态漏电流
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= –10 V, V
DS
= –5 V
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -10 V，I
D
= –6 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
Q1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
Q2
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
毫伏/°C的
Q2
28
48
35
32
51
45
m
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
–20
18
16
830
1540
185
400
80
170
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
pF
pF
pF
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
输入最小值典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DS
= -15 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A，V
GS
= 5 V
Q2
V
DS
= -10 V，I
D
= -6 A，V
GS
= –5V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
6
13
10
22
18
47
5
18
9
15
2.8
4
3.1
5
12
24
18
35
29
75
12
30
13
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Si4542DY版本A
Si4542DY
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
（注2 ）
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
0.7
–0.7
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
2
安装在一个0.02
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
Si4542DY版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
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SI-60057-F
SST29VE010-250-3C-U
SNJ54LVT573W
STSG-32-R
SN65LVDS16DRFR
SN74LVC139ADGVRG4
SG1503T/883B
SMR800PS24
SN74ABT162827A
SN65LVELT22D
SUF5402
S-1316W-CE
S29CD016J0MQFI033
S29GL256N10FFI010
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI4542D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SI4542D
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