【Si4532DYVishay Siliconix公司N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET】,IC型号SI4532DY,SI4532DY PDF资料,SI4532DY经销商,ic,电子元器件-51电子网

Si4532DY

Vishay Siliconix公司

N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

N沟道

30

R

DS （ ON）

(W)

0.065 @ V

GS

= 10 V

0.095 @ V

GS

= 4.5 V

P沟道

–30

0.085 @ V

GS

= –10 V

0.19 @ V

GS

= –4.5 V

I

D

(A)

"3.9

"3.1

"3.5

"2.5

D

1

S

2

SO-8

S

1

G

1

S

2

G

2

1

2

3

4

顶视图

8

7

6

5

D

1

D

1

D

2

D

2

G

1

G

2

S

1

N沟道MOSFET

D

2

P沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 150_C)

A

150 C)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

A

最大功率耗散

A

dissi通报BULLETIN

工作结存储温度范围

T

A

= 25_C

T

A

= 70_C

T

A

= 25_C

T

A

= 70_C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

N沟道

30

"20

"3.9

"3.1

"20

1.7

2.0

W

1.3

-55到150

_C

P沟道

–30

"20

"3.5

"2.8

"20

–1.7

A

V

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

A

笔记

一。表面安装在FR4板，T

v

10秒。

更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70155 。

通过万维网SPICE模型信息： http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm

日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054

S

电话(408)988-8000

S

FaxBack (408)970-5600

S

www.siliconix.com

S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93

Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司

符号

R

thJA

N或P沟道

62.5

单位

° C / W

3-1

Si4532DY

Vishay Siliconix公司

规格（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= –250

mA

V

DS

= 0 V V

GS

=

"20

V

V,

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55_C

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55_C

通态漏电流

B

I

D（上）

V

DS

w

5 V, V

GS

= 10 V

V

DS

w

–5 V, V

GS

= –10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 3.9 A

漏源导通状态

漏源导通电阻

B

r

DS （ ON）

V

GS

= -10 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.1 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –1.8 A

正向跨导

B

g

fs

V

DS

= 15 V，I

D

= 3.9 A

V

DS

= -15 V，I

D

= – 2.5 A

I

S

= 1.7 A，V

GS

= 0 V

I

S

= -1.7 A，V

GS

= 0 V

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

15

A

–15

0.043

0.066

0.075

0.125

7

S

5

0.8

–0.8

1.2

V

–1.2

0.065

0.085

0.095

0.19

W

1.0

V

–1.0

"100

1

–1

25

–25

mA

nA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

门体漏

I

GSS

二极管的正向电压

B

动态

A

V

SD

N沟道

总栅极电荷

Q

g

N沟道

V

DS

= 10 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 3.9 A

P沟道

V

DS

= –10 V, V

GS

= -10 V，I

D

= –2.5 A

10 V

25

栅极 - 漏极电荷

Q

gd

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

导通延迟时间

t

D（上）

N沟道

V

DD

= 10 V ，R

L

= 10

W

I

D

^

1 ，V

根

= 10 V ，R

G

= 6

W

P沟道

V

DD

= -10 V ，R

L

= 10

W

10 V

I

D

^

-1 A，V

根

= -10 V ，R

G

= 6

W

,

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

下降时间

源极 - 漏极

反向恢复时间

t

f

I

F

= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS

I

F

= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS

P沟道

N沟道

P沟道

9.8

8.7

2.1

15

nC

栅极 - 源电荷

Q

gs

1.9

1.6

1.3

9

7

6

9

18

14

6

8

52

50

15

18

27

ns

27

15

80

上升时间

t

r

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

t

rr

笔记

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

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Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司

3-2

Si4532DY

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

输出特性

20

V

GS

= 10通6 V

5V

16

I D - 漏电流（ A）

16

125_C

12

20

T

C

= –55_C

25_C

N沟道

传输特性

12

8

4V

8

4

3V

0

2

4

6

8

4

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏极电流

0.20

750

电容

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

0.16

- 电容（pF ）

V

GS

= 4.5 V

0.12

600

C

国际空间站

450

0.08

V

GS

= 10 V

0.04

300

C

OSS

150

C

RSS

0

4

8

12

16

20

0

5

10

15

20

25

30

I

D

- 漏极电流（ A）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

10

V

DS

= 10 V

I

D

= 3.9 A

栅极电荷

2.0

导通电阻与结温

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

（归一化）

8

1.6

V

GS

= 10 V

I

D

= 3.9 A

6

1.2

4

0.8

2

0

2

4

6

8

10

0.4

–50

–25

0

25

50

75

100

125

150

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

T

J

=结温（ ° C）

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S

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3-3

Si4532DY

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

源漏二极管正向电压

20

T

J

= 150_C

10

T

J

= 25_C

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

0.16

N沟道

导通电阻与栅极至源极电压

0.20

I S - 源电流（ A）

0.12

I

D

= 3.9 A

0.08

0.04

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0

2

4

6

8

10

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.4

0.2

–0.0

阈值电压

I

D

= 250

mA

30

单脉冲功率

25

V GS （ TH）方差（V ）

20

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–50

功率（W）的

15

10

5

–25

0

25

50

75

100

125

150

0

0.01

0.1

1

时间（秒）

10

30

T

J

- 温度（ _C ）

归一化瞬态热阻抗，结到环境

2

1

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

注意事项：

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

1.占空比D =

t

1

t

2

0.02

2.每单位基础= R

thJA

= 62.5℃ / W

3. T

JM

– T

A

= P

DM

Z

thJA （T ）

4.表层嵌

单脉冲

0.01

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

30

方波脉冲持续时间（秒）

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S

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3-4

Si4532DY

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

输出特性

20

V

GS

= 10, 9, 8, 7, 6 V

16

I D - 漏电流（ A）

5V

12

I D - 漏电流（ A）

16

25_C

12

125_C

8

20

T

C

= –55_C

P沟道

传输特性

8

4V

4

3V

0

2

4

6

8

4

0

1

2

3

4

5

6

7

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏极电流

0.40

700

600

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

0.32

- 电容（pF ）

500

400

300

电容

C

国际空间站

0.24

V

GS

= 4.5 V

0.16

V

GS

= 10 V

0.08

C

OSS

200

100

C

RSS

0

3

6

9

12

15

0

6

12

18

24

30

I

D

- 漏极电流（ A）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

10

V

DS

= 10 V

I

D

= 2.5 A

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

栅极电荷

2.0

1.8

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

（归一化）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

导通电阻与结温

V

GS

= 10 V

I

D

= 2.5 A

8

6

4

2

0

2

4

6

8

10

0.4

–50

–25

0

25

50

75

100

125

150

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

T

J

=结温（ ° C）

日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054

S

电话(408)988-8000

S

FaxBack (408)970-5600

S

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Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司

3-5

Si4532DY

1999年9月

Si4532DY*

双N沟道和P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些双N沟道和P沟道增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

propretary ，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻，提供出色的开关

性能。这些装置特别适用于

低电压应用，如笔记本电脑

功率管理和其它电池供电的电路

其中，快速开关，低线的功率损耗，并

需要抗瞬变。

特点

N通道3.9A ， 30V.R

DS （ ON）

= 0.065 @V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 0.095 @V

GS

= 4.5V.

P沟道-3.5A ， -30V.R

DS （ ON）

= 0.085 @V

GS

= -10V

R

DS （ ON）

= 0.190

@V

GS

= -4.5V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力的广泛

常用的表面贴装封装。

双（N & P沟道） MOSFET表面贴装

封装。

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1999

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Si4532DY ，版本C

Si4532DY

（ OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV

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Si4532DY ，版本C

Si4532DY

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注意事项：

1.

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θJA

是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热参考被定义为焊接安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一） 78 ° C / W时，

安装在一个0.05

2

垫的2盎司铜。

B） 125 ° C / W时，

安装在一个0.02

2

垫的2盎司铜。

C） 135 ° C / W时，

安装在一个最小

安装垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

Si4532DY ，版本C

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

快

放弃

FASTr

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

UHC

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

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