Si4463BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
=
10
V
20
0.014 @ V
GS
=
4.5
V
0.020 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
13.7
12.3
10.3
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4463BDY - E3 （无铅）
Si4463BDY -T1 -E3 （无铅带卷带式）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
20
"12
单位
V
13.7
11.1
50
2.7
3.0
1.9
55
150
9.8
7.9
A
1.36
1.5
0.95
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
70
17
最大
42
84
21
单位
° C / W
C / W
1
Si4463BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
13.7
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
12.3
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
10
V，I
D
=
13.7
A
I
S
=
2.7
A，V
GS
= 0 V
30
0.0085
0.010
0.015
44
0.7
1.1
0.011
0.014
0.020
S
V
W
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2.3
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
13.7
A
37
8.7
11
2.7
35
60
115
75
50
55
90
170
115
75
ns
W
56
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10通2.5 V
40
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
2V
20
30
20
T
C
= 125_C
10
25_C
0
0.0
55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4463BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.04
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
5000
Vishay Siliconix公司
电容
0.03
C
电容（pF）
4000
C
国际空间站
3000
0.02
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
2000
C
OSS
1000
0.01
V
GS
= 10 V
0.00
0
10
20
30
40
50
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 13.7 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 13.7 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 5 A
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 13.7 A
0.03
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si4463BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区
I
DM
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si4463BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si4463BDY
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
=
10
V
20
0.014 @ V
GS
=
4.5
V
0.020 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
13.7
12.3
10.3
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4463BDY - E3 （无铅）
Si4463BDY -T1 -E3 （无铅带卷带式）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
20
"12
单位
V
13.7
11.1
50
2.7
3.0
1.9
55
150
9.8
7.9
A
1.36
1.5
0.95
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
70
17
最大
42
84
21
单位
° C / W
C / W
1
Si4463BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
13.7
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
12.3
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
10
V，I
D
=
13.7
A
I
S
=
2.7
A，V
GS
= 0 V
30
0.0085
0.010
0.015
44
0.7
1.1
0.011
0.014
0.020
S
V
W
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2.3
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
13.7
A
37
8.7
11
2.7
35
60
115
75
50
55
90
170
115
75
ns
W
56
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10通2.5 V
40
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
2V
20
30
20
T
C
= 125_C
10
25_C
0
0.0
55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4463BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.04
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
5000
Vishay Siliconix公司
电容
0.03
C
电容（pF）
4000
C
国际空间站
3000
0.02
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
2000
C
OSS
1000
0.01
V
GS
= 10 V
0.00
0
10
20
30
40
50
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 13.7 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 13.7 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 5 A
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 13.7 A
0.03
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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3
Si4463BDY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区
I
DM
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si4463BDY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72789
S- 40433 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
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