Si4453DY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.0065 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.00775 @ V
GS
= - 2.5 V
0.01025 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 14
- 13
- 12
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
负荷开关
D
电池开关
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
订购信息： Si4453DY
Si4453DY -T1 （带编带和卷轴）
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.7
3.0
1.9
- 55 150
- 11.5
- 50
- 1.36
1.5
0.95
W
_C
-8
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 14
- 10
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
33
70
16
最大
42
84
21
单位
° C / W
C / W
1
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 600
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 13 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 12 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 6 V，I
D
= - 14 A
I
S
= - 2.7 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.0051
0.0062
0.0082
80
- 0.6
- 1.1
0.0065
0.00775
0.01025
S
V
W
- 0.4
- 0.9
"100
-1
- 10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电阻
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 14 A
110
15
27.5
110
235
410
285
3.6
180
270
170
350
620
430
W
ns
ns
165
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 5通2 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
1.5 V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
2
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
12000
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.012
V
GS
= 1.8 V
0.009
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.003
10000
8000
6000
C
OSS
C
RSS
4000
2000
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 14 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 14 A
1.4
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
52
78
104
130
5
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
26
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.030
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.018
I
D
= 14 A
T
J
= 25_C
1
0.012
0.006
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.0
1.6
3.2
4.8
6.4
8.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 600
mA
0.2
功率（W）的
80
60
0.0
40
- 0.2
20
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
100毫秒
1
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
1毫秒
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
5
Si4453DY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.0065 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.00775 @ V
GS
= - 2.5 V
0.01025 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 14
- 13
- 12
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
负荷开关
D
电池开关
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
订购信息： Si4453DY
Si4453DY -T1 （带编带和卷轴）
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.7
3.0
1.9
- 55 150
- 11.5
- 50
- 1.36
1.5
0.95
W
_C
-8
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 14
- 10
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
33
70
16
最大
42
84
21
单位
° C / W
C / W
1
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 600
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 13 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 12 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 6 V，I
D
= - 14 A
I
S
= - 2.7 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.0051
0.0062
0.0082
80
- 0.6
- 1.1
0.0065
0.00775
0.01025
S
V
W
- 0.4
- 0.9
"100
-1
- 10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电阻
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 14 A
110
15
27.5
110
235
410
285
3.6
180
270
170
350
620
430
W
ns
ns
165
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 5通2 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
1.5 V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
2
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
12000
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.012
V
GS
= 1.8 V
0.009
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.003
10000
8000
6000
C
OSS
C
RSS
4000
2000
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 14 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 14 A
1.4
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
52
78
104
130
5
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
26
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.030
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.018
I
D
= 14 A
T
J
= 25_C
1
0.012
0.006
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.0
1.6
3.2
4.8
6.4
8.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 600
mA
0.2
功率（W）的
80
60
0.0
40
- 0.2
20
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
100毫秒
1
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
1毫秒
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
5
Si4453DY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.0065 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.00775 @ V
GS
= - 2.5 V
0.01025 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 14
- 13
- 12
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
负荷开关
D
电池开关
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
订购信息： Si4453DY
Si4453DY -T1 （带编带和卷轴）
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 2.7
3.0
1.9
- 55 150
- 11.5
- 50
- 1.36
1.5
0.95
W
_C
-8
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 14
- 10
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
33
70
16
最大
42
84
21
单位
° C / W
C / W
1
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 600
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 13 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 12 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 6 V，I
D
= - 14 A
I
S
= - 2.7 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.0051
0.0062
0.0082
80
- 0.6
- 1.1
0.0065
0.00775
0.01025
S
V
W
- 0.4
- 0.9
"100
-1
- 10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电阻
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
t
rr
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 14 A
110
15
27.5
110
235
410
285
3.6
180
270
170
350
620
430
W
ns
ns
165
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 5通2 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
1.5 V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
2
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
12000
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.012
V
GS
= 1.8 V
0.009
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.003
10000
8000
6000
C
OSS
C
RSS
4000
2000
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 14 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 14 A
1.4
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
52
78
104
130
5
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
26
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.030
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.018
I
D
= 14 A
T
J
= 25_C
1
0.012
0.006
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.0
1.6
3.2
4.8
6.4
8.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4453DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 600
mA
0.2
功率（W）的
80
60
0.0
40
- 0.2
20
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
100毫秒
1
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
1毫秒
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
Si4453DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72175
S- 03849 -REV 。 A， 28 -APR- 03
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
