Si4442DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0045在V
GS
= 10 V
0.005在V
GS
= 4.5 V
0.0075在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
22
19
17
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET ： 2.5 V额定
100 % R
g
经过测试
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订货信息：
Si4442DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4442DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
2.9
3.5
2.2
- 55 150
22
17
60
1.3
1.6
1
W
°C
10 s
30
± 12
15
11
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
29
67
13
最大
35
80
16
° C / W
单位
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
www.vishay.com
1
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 22 A
36
8
10.5
1.5
17
11
125
47
50
2.6
30
20
180
70
80
ns
Ω
50
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 22 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 17 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 22 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0035
0.0041
0.0062
100
0.75
1.1
0.0045
0.005
0.0075
S
V
Ω
0.6
1.5
± 100
1
5
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 5 V通2.5 V
50
50
I
D
- 漏电流（ A）
60
I
D
- 漏电流（ A）
40
2V
30
40
30
T
C
= 125
°C
25
°C
- 55
°C
20
20
10
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
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2
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.010
6000
5000
R
DS （ ON）
- 在-Restistance （ Ω ）
0.008
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.004
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
0.002
1000
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 22 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 22 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
1.6
1.4
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
60
0.020
导通电阻与结温
T
J
= 150
°C
10
T
J
= 25
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.016
I
S
- 源电流（ A）
0.012
0.008
I
D
= 22 A
0.004
1
0.00
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
-
栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
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3
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
60
50
I
D
= 250
A
0.0
功率（W）的
40
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.2
30
- 0.4
20
- 0.6
10
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67
° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71358 。
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4
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOIC
（狭义） ： 8引脚
JEDEC型号： MS- 012
8
7
6
5
E
1
2
3
4
H
S
D
0.25毫米（ Gage的平面）
A
高x 45
C
所有引线
q
L
0.101 mm
0.004"
e
B
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
民
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
1.27 BSC
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
最大
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
民
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
英寸
最大
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.050 BSC
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN ： C- 06527 -REV 。我， 11月， 06
DWG ： 5498
文档编号： 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
LM2727 / LM2737 N沟道FET同步降压稳压器控制器的低输出电压
2003年6月
LM2727/LM2737
N沟道FET同步降压稳压器控制器
对于低输出电压
概述
的LM2727和LM2737是高速，同步
开关稳压器控制器。它们的目的是控制
0.7A的电流20A与高达95 ％的转化率efficien-
资本投资者入境计划。该LM2727采用了输出过压和欠压
电压闭锁。对于应用闭锁不DE-
sired的LM2737可以使用。上电和断电
测序实现了与电源良好标记，可调
软启动和输出使能功能。该LM2737和
LM2737从低电流的5V偏置操作，可以转换
从一个2.2V至16V电源轨。这两款器件采用一个固定
频率，电压模式， PWM控制结构和
开关频率为50kHz至2MHz的可调所
调节的外部电阻器的值。电流限制
通过在导通监测的电压降达到
低侧MOSFET的电阻，从而提高低
占空比工作。广泛经营frequen-
资本投资者入境计划使电源设计人员能够灵活地细
调分量的大小，成本，噪音和效率。该适配
略去，非重叠的MOSFET栅极驱动器和高侧
引导结构有助于进一步提高效率。该
高侧功率FET的漏极电压可以从2.2V至16V
和输出电压是可调低至0.6V 。
特点
n
输入电源从2.2V至16V
n
输出电压可调低至0.6V
n
电源良好标记，可调软启动和输出使能
为便于电源排序
n
输出过压和欠压闭锁
(LM2727)
n
输出过压和欠压标志（ LM2737 ）
n
基准准确度： 1.5 ％ （ 0 °C - 125°C ）
n
无检测电阻限流
n
软启动
n
开关频率从50千赫至2兆赫
n
TSSOP -14封装
应用
n
n
n
n
n
电缆调制解调器
机顶盒/家庭网关
DDR的核心动力
高效率分布式电源
核心力量的地方性法规
典型用途
20049410
2003美国国家半导体公司
DS200494
www.national.com
LM2727/LM2737
接线图
20049411
14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
NS包装数MTC14
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 电源轨的N沟道MOSFET栅极
驾驶。该电压应为至少一个栅极阈值
以上所述稳压器的输入电压，以正常打开
高端N -FET 。
LG （引脚2 ）
- 栅极驱动为低侧N沟道MOSFET 。
这个信号联锁与HG ，以避免直通
问题。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 接地的FET驱动电路。它应该
被连接到系统地。
SGND （引脚4 ）
- 接地信号电平的电路。它应该是
连接到系统接地。
V
CC
（引脚5 ）
- 电源轨的控制器。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好。这是一个开漏输出。
该引脚被拉低时，芯片处于UVP ， OVP ， UVLO或
模式。在正常操作期间，此引脚连接到V
CC
或通过一个上拉电阻器等的电压源。
ISEN （引脚7 ）
- 电流限制阈值设置。这个来源
固定50μA电流。适当值的电阻应为
连接在这个引脚和低侧的漏极之间
FET 。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。的电压电平
在这个引脚与内部产生的斜坡进行比较
信号，以确定所述占空比。该引脚是必要的
补偿的控制回路。
SS （引脚9 ）
- 软启动引脚。连接之间的电容
该引脚与地台的速度输出
电压斜坡上升。在较慢的更大的电容值结果
输出电压斜坡也降低浪涌电流。
FB （引脚10 ）
- 这是误差放大器的反相输入端，
其用于感测输出电压和compen-
sating控制回路。
FREQ （引脚11 ）
- 开关频率由连接 - 设置
荷兰国际集团在该引脚与地之间的电阻。
SD （引脚12 ）
- 集成电路逻辑关断。当该引脚被拉低
芯片关断高压侧开关和导通所述低
侧开关。当该引脚为低电平时， IC将不会启动。一
内部20μA上拉了连接该引脚到V
CC
.
HG （引脚14 ）
- 栅极驱动器的高侧的N沟道MOSFET导
FET 。这个信号互锁与LG避免拍摄开启
通过问题。
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2
LM2727/LM2737
绝对最大额定值
（注1 ）
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值
235C
2千伏
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
BOOTV
结温
储存温度
焊接信息
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
7V
21V
150C
-65_C到150_C
工作额定值
电源电压（V
CC
)
结温范围
热阻（ θ
JA
)
4.5V至5.5V
-40 ° C至+ 125°C
155C/W
电气特性
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
条件
V
CC
= 4.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
FB_ADJ
FB引脚电压
V
CC
= 5.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V ， -40°C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， -40 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5.5V ， -40°C至+ 125°C
V
ON
UVLO门槛值
升起
落下
SD = 5V ， FB = 0.55V
FSW = 600kHz的
SD = 5V ， FB = 0.65V
FSW = 600kHz的
SD = 0V
FB电压上升
FB电压正在下降
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
1
0.8
0.15
民
0.591
0.591
0.591
0.589
0.589
0.589
典型值
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
4.2
3.6
1.5
1.7
0.4
6
6
20
8
5
11
11
95
35
28
50
50
65
65
15
15
2
mA
2.2
0.7
mA
s
s
A
A
最大
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
V
V
单位
I
Q-V5
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SD
I
SS -ON
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SD引脚内部上拉电流
SS引脚源电流
I
SS- OC
SS引脚吸收电流在过SS电压= 2.5V
当前
I
SEN
端子源极电流跳闸
点
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
FB引脚偏置电流
EAO引脚电流源和
下沉
误差放大器的最大摆幅
FB = 0.55V
FB = 0.65V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
0
0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
A
A
I
SEN- TH
误差放大器器
GBW
G
SR
I
FB
I
EAO
V
EA
5
60
6
15
30
2.8
0.8
1.2
3.2
100
155
兆赫
dB
V / μA
nA
mA
V
3
www.national.com
LM2727/LM2737
电气特性
（续）
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
BOOT引脚的静态电流
条件
BOOTV = 12V ， EN = 0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
民
典型值
最大
单位
栅极驱动器
I
Q- BOOT
95
95
3
2
3
2
160
215
A
R
DS1
R
DS2
R
DS3
R
DS4
振荡器
热门FET驱动器上的上拉
阻力
热门FET驱动器上拉下来
阻力
底部FET驱动器上的上拉
阻力
底部FET驱动器下拉
抗性
R
FADJ
= 590k
R
FADJ
= 88.7k
f
OSC
PWM频率
R
FADJ
= 42.2kΩ ， 0 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 42.2kΩ ， -40 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 17.4k
R
FADJ
= 11.3k
D
最大占空比
f
PWM
= 300kHz的
f
PWM
= 600kHz的
500
490
50
300
600
600
1400
2000
90
88
2.6
3.5
%
700
700
千赫
逻辑输入和输出
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压正在下降
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压上升
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
1.3
1.25
0.413
0.410
0.691
0.688
V
V
1.6
1.6
0.430
0.430
0.710
0.710
35
110
0.446
0.446
0.734
0.734
V
V
PWGD - TH- HI
PWGD引脚触发点
V
V
PWGD - HYS
PWGD迟滞（ LM2737只） FB电压去下FB电压
往上走
mV
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备的条件
正确运行。
Opearting评级
并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。
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4
LM2727/LM2737
典型性能特性
英法fi效率（V
O
= 1.5V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25C
英法fi效率（V
O
= 3.3V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25C
20049412
20049413
V
CC
工作电流与温度
F
SW
= 600kHz的，空载
Bootpin电流与温度的BOOTV = 12V
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
20049415
20049414
Bootpin电流与温度与5V引导
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
PWM频率与温度
对于R
FADJ
= 43.2k
20049416
20049417
5
www.national.com
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0045在V
GS
= 10 V
0.005在V
GS
= 4.5 V
0.0075在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
22
19
17
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET ： 2.5 V额定
100 % R
g
经过测试
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订货信息：
Si4442DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4442DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
2.9
3.5
2.2
- 55 150
22
17
60
1.3
1.6
1
W
°C
10 s
30
± 12
15
11
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
29
67
13
最大
35
80
16
° C / W
单位
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
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1
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 22 A
36
8
10.5
1.5
17
11
125
47
50
2.6
30
20
180
70
80
ns
Ω
50
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 22 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 17 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 22 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0035
0.0041
0.0062
100
0.75
1.1
0.0045
0.005
0.0075
S
V
Ω
0.6
1.5
± 100
1
5
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 5 V通2.5 V
50
50
I
D
- 漏电流（ A）
60
I
D
- 漏电流（ A）
40
2V
30
40
30
T
C
= 125
°C
25
°C
- 55
°C
20
20
10
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
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2
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.010
6000
5000
R
DS （ ON）
- 在-Restistance （ Ω ）
0.008
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.004
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
0.002
1000
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 22 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 22 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
1.6
1.4
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
60
0.020
导通电阻与结温
T
J
= 150
°C
10
T
J
= 25
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.016
I
S
- 源电流（ A）
0.012
0.008
I
D
= 22 A
0.004
1
0.00
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
-
栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
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3
Si4442DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
60
50
I
D
= 250
A
0.0
功率（W）的
40
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.2
30
- 0.4
20
- 0.6
10
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67
° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71358 。
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4
文档编号： 71358
S09-0228 -REV 。 E， 09 -FEB -09
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOIC
（狭义） ： 8引脚
JEDEC型号： MS- 012
8
7
6
5
E
1
2
3
4
H
S
D
0.25毫米（ Gage的平面）
A
高x 45
C
所有引线
q
L
0.101 mm
0.004"
e
B
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
民
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
1.27 BSC
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
最大
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
民
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
英寸
最大
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.050 BSC
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN ： C- 06527 -REV 。我， 11月， 06
DWG ： 5498
文档编号： 71192
11-Sep-06
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1
LM2727 ， LM2737
www.ti.com
SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
LM2727 / LM2737 N沟道FET同步降压稳压器控制器的低输出
电压
检查样品：
LM2727 ， LM2737
1
特点
输入电源从2.2V至16V
输出电压可调低至0.6V
电源良好标记，可调软启动和
输出使能，便于电源排序
输出过压和欠压闩
关闭（ LM2727 ）
输出过压和欠压标志
(LM2737)
基准准确度： 1.5 ％ （ 0 °C - 125°C ）
无检测电阻限流
软启动
开关频率从50千赫至2兆赫
TSSOP -14封装
描述
该LM2727和LM2737是高速，
同步开关稳压控制器。他们
都是控制0.7A的电流20A与
高达95％的转换效率。该LM2727
采用输出过压和欠压闩
关。对于应用闭锁是不是需要，
LM2737可以使用。上电和断电
测序实现了与电源良好标记，
可调软启动和输出使能功能。该
LM2737和LM2737从低电流5V操作
偏见和可转换从2.2V至16V电源轨。
两个部件利用固定频率电压模式，
PWM控制结构和开关
频率在50kHz到2MHz的可调所
调节的外部电阻器的值。当前
限制是通过监测电压降达到
跨过低侧MOSFET的导通电阻，
从而提高低占空比操作。宽
工作频率范围提供动力
电源设计人员能够灵活地微调组件
尺寸，成本，噪音和效率。自适应，非
重叠MOSFET栅极驱动器和高边
引导结构有助于进一步提升
效率。高侧功率FET的漏极电压可以
是从2.2V至16V ，输出电压为
可调低至0.6V 。
2
应用
电缆调制解调器
机顶盒/家庭网关
DDR的核心动力
高效率分布式电源
核心力量的地方性法规
典型用途
+5V
D1
R
IN
10:
C
IN
2.2PF
R
FADJ
63.4k
C
SS
12n
V
CC
SD
PWGD
频率
SS
SGND
EAO
C
C1
C
C2
180p
2.2p
R
C1
392k
HG
BOOT
I
SEN
R
CS
2.2k
Q2
C
BOOT
0.1P
Q1
Si4884DY
1.5
PH
6.1 ，9.6 M：
L1
Si4884DY
R
FB2
10k
+
V
IN
= 3.3V
C
IN
1,2
10PF
6.3V
V
O
= 1.2V@5A
C
O
1,2
2200PF
6.3V ， 2.8A
LM27x7
LG
保护地
保护地
FB
R
FB1
10k
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM2727 ， LM2737
SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
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接线图
1
2
3
4
5
6
7
BOOT
LG
保护地
SGND
VCC
PWGD
艾辛河
LM27x7
HG
保护地
SD
频率
FB
SS
EAO
14
13
12
11
10
9
8
图1. 14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
见包装数PW0014A
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 电源轨的N沟道MOSFET栅极驱动器。该电压应高于调节器的至少一个栅极阈值
输入电压，以正常打开高侧N型场效应晶体管。
LG （引脚2 ）
- 栅极驱动为低侧N沟道MOSFET 。这个信号联锁与HG ，以避免直通问题。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 接地的FET驱动电路。它应该被连接到系统地。
SGND （引脚4 ）
- 接地信号电平的电路。它应该被连接到系统地。
V
CC
（引脚5 ）
- 电源轨的控制器。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好。这是一个开漏输出。该引脚被拉低时，芯片处于UVP ， OVP ，或UVLO模式。中
正常运行时，此引脚连接到V
CC
或通过一个上拉电阻器等的电压源。
ISEN （引脚7 ）
- 电流限制阈值设置。该源的固定50μA电流。适当值的电阻应连接
之间的引脚和低边FET的漏极。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。该引脚上的电压电平与内部产生的斜坡信号，以确定比较
占空比。该引脚是必要的补偿控制回路。
SS （引脚9 ）
- 软启动引脚。连接在此引脚与地之间的电容设定的速度，输出电压斜坡上升。较大
在较慢的输出电压斜坡电容值的结果，但也降低浪涌电流。
FB （引脚10 ）
- 这是误差放大器，其用于感测输出电压和补偿控制的反相输入端
循环。
FREQ （引脚11 ）
- 开关频率由连接在该引脚与地之间的电阻器来设定。
SD （引脚12 ）
- 集成电路逻辑关断。当该引脚被拉低，芯片将关断高侧开关和导通的低压侧开关。而
该引脚为低电平时， IC将不会启动。内部20μA的上拉连接该引脚到V
CC
.
HG （引脚14 ）
- 栅极驱动器的高侧的N沟道MOSFET 。这个信号互锁与LG ，以避免直通问题。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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LM2727 LM2737
版权所有 2002至13年，德州仪器
LM2727 ， LM2737
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
BOOTV
结温
储存温度
焊接信息
焊接温度（焊接， 10秒）
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值
(3)
(1)
(2)
(3)
260°C
235°C
2千伏
7V
21V
150°C
65°C
至150℃
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备正常运行。
Opearting评级
并不意味着确保的性能极限。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。
工作额定值
电源电压（V
CC
)
结温范围
热阻（ θ
JA
)
4.5V至5.5V
40°C
至+ 125°C
155°C/W
电气特性
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。由设计确保数据的最小/最大规格的限制，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
条件
V
CC
= 4.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
FB_ADJ
FB引脚电压
V
CC
= 5.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V,
40°C
至+ 125°C
V
CC
= 5V,
40°C
至+ 125°C
V
CC
= 5.5V,
40°C
至+ 125°C
V
ON
UVLO门槛值
升起
落下
SD = 5V ， FB = 0.55V
FSW = 600kHz的
SD = 5V ， FB = 0.65V
FSW = 600kHz的
SD = 0V
FB电压上升
FB电压正在下降
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
35
28
1
0.8
0.15
民
0.591
0.591
0.591
0.589
0.589
0.589
典型值
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
4.2
3.6
1.5
1.7
0.4
6
6
20
8
5
11
11
95
50
50
65
65
15
15
2
mA
2.2
0.7
mA
s
s
A
A
A
A
最大
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
V
V
单位
I
Q-V5
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SD
I
SS -ON
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SD引脚内部上拉电流
SS引脚源电流
I
SS- OC
I
SEN- TH
SS引脚吸收电流在过
当前
I
SEN
端子源极电流跳变点
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3
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
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电气特性（续）
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。由设计确保数据的最小/最大规格的限制，
测试，或者进行统计分析。
符号
误差放大器器
GBW
G
SR
I
FB
I
EAO
V
EA
栅极驱动器
I
Q- BOOT
BOOT引脚的静态电流
BOOTV = 12V ， EN = 0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
95
95
3
2
3
2
160
215
A
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
FB引脚偏置电流
EAO引脚电流源和
下沉
误差放大器的最大摆幅
FB = 0.55V
FB = 0.65V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
0
0
5
60
6
15
30
2.8
0.8
1.2
3.2
100
155
兆赫
dB
V / μA
nA
mA
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
R
DS1
R
DS2
R
DS3
R
DS4
振荡器
热门FET驱动器上的上拉
阻力
热门FET驱动器上拉下来
阻力
底部FET驱动器上的上拉
阻力
底部FET驱动器上拉下来
阻力
R
FADJ
= 590k
R
FADJ
= 88.7k
f
OSC
PWM频率
R
FADJ
= 42.2kΩ ， 0 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 42.2kΩ ， -40 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 17.4k
R
FADJ
= 11.3k
D
最大占空比
f
PWM
= 300kHz的
f
PWM
= 600kHz的
500
490
50
300
600
600
1400
2000
90
88
2.6
3.5
%
700
700
千赫
逻辑输入和输出
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压正在下降
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压上升
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压去下FB电压
往上走
1.3
1.25
0.413
0.410
0.691
0.688
V
V
0.446
0.446
0.734
0.734
V
1.6
1.6
0.430
0.430
0.710
0.710
35
110
V
PWGD - TH- HI
PWGD引脚触发点
V
mV
V
PWGD - HYS
PWGD迟滞（ LM2737只）
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
典型性能特性
英法fi效率（V
O
= 1.5V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25°C
100
90
80
效率（％）
70
60
50
40
30
20
0.2
1
3
5
7
9
输出电流（A ）
VIN = 12V
VIN = 5V
效率（％）
VIN = 3.3V
100
VIN = 5V
90
80
70
60
50
40
30
0.1
VIN = 12V
英法fi效率（V
O
= 3.3V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25°C
0.5
2
4
6
8
10
输出电流（A ）
图2中。
V
CC
工作电流
vs
温度
F
SW
= 600kHz的，空载
1.64
1.62
OPEARTING电流（mA）
1.6
1.58
1.56
1.54
1.52
1.5
1.48
1.46
0
20
35
55
75
95
115
环境温度（
o
C)
28.9
同
引导
(V
BOOT
= 5V)
没有
引导
(V
BOOT
= 12V)
网络连接gure 3 。
Bootpin电流
vs
温度BOOTV = 12V
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
30.3
30.1
BOOT引脚电流（mA）
29.9
29.7
29.5
29.3
29.1
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95105115 125
环境温度（
o
C)
图4中。
Bootpin电流
vs
温度与5V引导
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
8.6
8.4
BOOT引脚电流（mA）
8.2
8
7.8
7.6
7.4
7.2
7
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95 105115125
环境温度（
o
C)
PWM频率（kHz ）
630
628
626
624
622
620
618
616
614
612
图5中。
PWM频率
vs
温度
对于R
FADJ
= 43.2k
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95 105115 125
环境温度（
o
C)
图6 。
图7 。
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