Si4435DY
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-30
–––
–––
–––
-1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.019 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.015 0.020
V
GS
= -10V ，我
D
= -8.0A
0.026 0.035
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.0A
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
11 –––
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -8.0A
––– -10
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
A
––– -10
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -20V
nA
––– 100
V
GS
= 20V
40
60
I
D
= -4.6A
7.1 –––
nC
V
DS
= -15V
8.0 –––
V
GS
= -10V
16
24
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
76 110
I
D
= -1.0A
ns
130 200
R
G
= 6.0
90 140
R
D
= 15
2320 –––
V
GS
= 0V
390 –––
pF
V
DS
= -15V
270 –––
= 1.0kHz
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
34
33
-2.5
A
-50
-1.2
51
50
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.5A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
5sec.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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Si4435DY
8.0
0.20
0.10
-I
D
，漏电流（ A）
-V GS （ TH） ， Variace （ V）
6.0
0.00
ID = -250μA
-0.10
4.0
-0.20
2.0
-0.30
0.0
25
50
75
100
125
150
-0.40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
典型的Vgs （次）方差比。
Juction温度
100
D = 0.50
热响应（Z
thJA
)
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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5
SI4435DY
2001年10月
SI4435DY
30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压（ 4.5V - 25V ） 。
特点
-8.8 A， -30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷（ 17nC典型值）
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D
D
SO-8
DD
DD
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
s克
S S
S S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
–30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
–8.8
–50
2.5
1.2
1
-55到+175
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJ
C
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1C ）
（注1 ）
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
SI4435DY
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
SI4435DY
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
SI4435DY版本D1 （ W）
SI4435DY
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–21
–1
100
–100
–1
–1.7
5
15
22
19
–40
24
20
35
32
–3
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
m
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= –10 V,
I
D
= –8.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.7 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -8.8A ，T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V,
V
DS
= –5 V
I
D
= –8.8 A
I
D（上）
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1604
408
202
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
13
13.5
42
25
23
24
68
40
24
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5 V
I
D
= –8.8 A,
17
5
6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= –2.1 A
电压
–2.1
（注2 ）
A
V
–0.73
–1.2
一） 50℃ / W的时
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
SI4435DY版本D1 （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师H5
QQ：2880707522 复制
