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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第912页 > SI4430BDY
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si4430BDY与Si4430DY
描述：
包装：
引脚输出：
N通道， 30 -V （D -S ）的MOSFET
SO-8
相同
型号替换：
Si4430BDY -T1 -E3替换Si4430DY -T1 -E3
Si4430BDY -T1 -E3替换Si4430DY -T1
业绩概要：
该Si4430BDY是替换原始Si4430DY ;这两部分进行相同的，包括限制向参
下面的表格。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
Si4430BDY
Si4430DY
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
30
+20
20
16
60
2.7
3.0
2.0
-55到150
41
30
+20
23
19
60
2.9
3.5
2.2
-55到150
35
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
40
0.0037
0.0048
80
0.72
24
10.5
7.5
1.1
20
14
60
18
35
1.1
36
0.0045
0.006
1.0
3.0
+100
1
30
0.004
0.0068
80
0.8
36
15
12
2.2
20
15
105
40
50
1.2
55
nC
3.7
30
23
160
60
80
ns
NS
0.008
1.7
+100
1
V
nA
A
A
S
V
符号
民
Si4430BDY
典型值
最大
民
Si4430DY
典型值
最大
单位
动态
总负责人
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
0.5
1.7
30
22
90
30
50
1.0
开关
开启时间*
关断时间*
源漏反向恢复时间
文档编号74061
06-May-05
www.vishay.com
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SI4430BDY
    -
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    -
    -
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SI4430BDY
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