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Si4425BDY
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
=
10
V
0.019 @ V
GS
=
4.5
V
I
D
(A)
11.4
9.1
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
先进的高密度
过程
应用
D
负载开关
笔记本电脑
台式电脑
无铅
可用的
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4425BDY
Si4425BDY -T1 （带编带和卷轴）
Si4425BDY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4425BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
D
P沟道MOSFET
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
30
"20
单位
V
11.4
9.1
50
2.1
2.5
1.6
55
150
8.8
7.0
A
1.3
1.5
0.9
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72000
S- 50366 -REV 。 D， 28 -FEB -05
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
70
15
最大
50
85
18
单位
° C / W
C / W
1
Si4425BDY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
11.4
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
9.1
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
11.4
A
I
S
=
2.5
A，V
GS
= 0 V
50
0.010
0.015
29
0.8
1.2
0.012
0.019
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2.5
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
15
V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
15
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
11.4
A
,
,
64
11
17
15
13
100
53
41
25
20
150
80
80
ns
100
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
漏电流（ A）
4V
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
20
T
C
= 125_C
25_C
0
55_C
3
4
5
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
0
1
2
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72000
S- 50366 -REV 。 D， 28 -FEB -05
www.vishay.com
2
Si4425BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.025
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
5000
电容
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
C
电容（pF）
0.020
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
C
RSS
0.005
1000
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 12 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
1.4
6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
30
40
50
60
70
80
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 12 A
0.03
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72000
S- 50366 -REV 。 D， 28 -FEB -05
www.vishay.com
3
Si4425BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.4
功率（W）的
0.2
0.0
0.2
0.4
50
30
25
20
单脉冲功率，结到环境
15
10
5
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
2
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
*r
DS （ ON）
有限
安全工作区
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
BV
DSS
有限
1
I
D（上）
有限
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72000
S- 50366 -REV 。 D， 28 -FEB -05
Si4425BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72000 。
文档编号： 72000
S- 50366 -REV 。 D， 28 -FEB -05
www.vishay.com
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SC92D
STTH5L06FP
SV-LED-113E
ST93C56B3TR
SST89V52RD2-33-C-PJ
SKQEABA010
SA5532A
SN65HVD75
S7DB-10E50H
SDR250AS48-F
SD24
SI5018-BM
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI4425BDY-T1
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    -
    -
    -
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
SI4425BDY-T1
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电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
SI4425BDY-T1
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
SI4425BDY-T1
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话：13910052844（微信同步）
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地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话：13681678667
联系人：吴
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联系人：胡先生 林小姐 朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602（公司是一般纳税人企业，可开17%增值税）公司网址：http://www.szolxd.com
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