Si4418DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
200
特点
I
D
(A)
3
2.8
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= 10 V
0.142 @ V
GS
= 6.0 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100 ％通过Rg测试
应用
D
初级侧开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4418DY -E3
Si4418DY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量（占空比
v1%)
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
200
"20
3
2.1
12
6
1.8
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
2.3
1.6
A
mJ
1.25
1.5
0.8
A
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
36
71
15
最大
50
85
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4418DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 2.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
12
0.110
0.120
13
0.8
1.2
0.130
0.142
2
4
"100
1
20
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 100 V ，R
L
= 100
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
F = 1 MHz的
1
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
20
4.5
6.5
2
15
15
40
20
70
3.4
25
25
60
30
110
ns
W
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
10
I
D
漏电流（ A）
8
6
4
2
4V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0
1
V
GS
= 10通6 V
12
10
I
D
漏电流（ A）
5V
8
6
传输特性
T
C
= 125_C
4
2
25_C
55_C
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
2
Si4418DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
V
GS
= 6.0 V
0.12
V
GS
= 10 V
0.08
1200
1000
800
600
400
200
0.00
0
2
4
6
8
10
12
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 100 V
I
D
= 3 A
8
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
2.0
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
1.5
4
1.0
2
0.5
0
0
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 3 A
0.12
0.08
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
3
Si4418DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
10
功率（W）的
30
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率
20
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
1
0.1
0.01
0.001
0.1
1
10
100
1000
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 71_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
Si4418DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
5
Si4418DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
200
特点
I
D
(A)
3
2.8
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= 10 V
0.142 @ V
GS
= 6.0 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100 ％通过Rg测试
应用
D
初级侧开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4418DY -E3
Si4418DY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量（占空比
v1%)
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
200
"20
3
2.1
12
6
1.8
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
2.3
1.6
A
mJ
1.25
1.5
0.8
A
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
36
71
15
最大
50
85
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4418DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 2.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
12
0.110
0.120
13
0.8
1.2
0.130
0.142
2
4
"100
1
20
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 100 V ，R
L
= 100
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
F = 1 MHz的
1
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
20
4.5
6.5
2
15
15
40
20
70
3.4
25
25
60
30
110
ns
W
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
10
I
D
漏电流（ A）
8
6
4
2
4V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0
1
V
GS
= 10通6 V
12
10
I
D
漏电流（ A）
5V
8
6
传输特性
T
C
= 125_C
4
2
25_C
55_C
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
2
Si4418DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
V
GS
= 6.0 V
0.12
V
GS
= 10 V
0.08
1200
1000
800
600
400
200
0.00
0
2
4
6
8
10
12
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 100 V
I
D
= 3 A
8
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
2.0
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
1.5
4
1.0
2
0.5
0
0
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 3 A
0.12
0.08
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
3
Si4418DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
10
功率（W）的
30
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率
20
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
I
DM
有限
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
1
0.1
0.01
0.001
0.1
1
10
100
1000
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 71_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
Si4418DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
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