Si4416DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
9.0
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4416DY
Si4416DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
9.0
稳定状态
单位
V
6.9
5.6
50
A
1.2
1.4
0.9
- 55 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
7.5
2.1
2.5
1.6
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
稳态
稳态
R
thJA
R
thJF
符号
典型值
40
72
16
最大
50
90
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.0 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.012
0.019
23
1.2
0.018
0.028
1
"100
1
25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9.0 A
14
24
4.5
5.9
1.0
16
10
34
13
50
2.4
20
20
50
20
90
ns
W
20
35
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
30
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
2
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
1800
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
- 电容（pF ）
1500
C
国际空间站
1200
0.06
900
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
10
15
20
25
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
功率（W）的
40
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
9.0
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4416DY
Si4416DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
9.0
稳定状态
单位
V
6.9
5.6
50
A
1.2
1.4
0.9
- 55 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
7.5
2.1
2.5
1.6
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
稳态
稳态
R
thJA
R
thJF
符号
典型值
40
72
16
最大
50
90
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.0 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.012
0.019
23
1.2
0.018
0.028
1
"100
1
25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9.0 A
14
24
4.5
5.9
1.0
16
10
34
13
50
2.4
20
20
50
20
90
ns
W
20
35
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
30
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
2
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
1800
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
- 电容（pF ）
1500
C
国际空间站
1200
0.06
900
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
10
15
20
25
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si4416DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
功率（W）的
40
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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4
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
QQ：2881677436 复制
