Si4412DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）额定MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.028在V
GS
= 10 V
0.042在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
± 7.0
± 5.8
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
SO-8
D
S
S
S
G
1
2
3
4
顶部
意见
S
订货信息：
Si4412DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4412DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
± 7.0
± 5.8
± 30
2.3
2.5
1.6
- 55 150
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
符号
R
thJA
极限
50
单位
° C / W
文档编号： 70154
S09-0705 -REV 。 D， 27 -APR- 09
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1
Si4412DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2 A
19.5
3.4
2.7
9
12
38
19
45
15
20
55
28
80
ns
29
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.0 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
30
0.021
0.030
16
0.75
1.1
0.028
0.042
1.0
± 100
2
25
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 70154
S09-0705 -REV 。 D， 27 -APR- 09
Si4412DY
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10
V,
9
V, 8 V,
7
V,
6
V,
5
V
24
I
D
- 漏电流（ A）
4
V
I
D
- 漏电流（ A）
24
30
18
18
12
12
6
3
V
0
0
1
2
3
4
5
6
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
3
4
5
6
0
0
1
2
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.05
1500
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
V
GS
= 4.5
V
0.03
V
GS
= 10
V
0.02
1200
C
国际空间站
- 电容（pF ）
900
C
OSS
600
0.01
300
C
RSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15
V
I
D
= 2 A
R
DS （ ON）
- 正电阻
2.0
V
GS
= 10
V
I
D
= 7 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
1.6
6
(
N
或M人我ZED ）
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
4
8
12
16
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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导通电阻与结温
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3
Si4412DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
0.10
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
0.04
I
D
= 7 A
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
10
- 0.8
- 1.0
- 50
0
0.01
功率（W）的
30
50
导通电阻与栅极至源极电压
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.10
1.00
时间（s）
10.00
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
N
或M人我ZED ê F F ECT我
v
TR A N SI耳鼻喉科
牛逼她的米人林P edance
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- TA
= P DM
Z
thJA
(t)
4.表层嵌
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?70154.
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4
文档编号： 70154
S09-0705 -REV 。 D， 27 -APR- 09
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOIC
（狭义） ： 8引脚
JEDEC型号： MS- 012
8
7
6
5
E
1
2
3
4
H
S
D
0.25毫米（ Gage的平面）
A
高x 45
C
所有引线
q
L
0.101 mm
0.004"
e
B
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
民
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
1.27 BSC
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
最大
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
民
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
英寸
最大
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.050 BSC
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN ： C- 06527 -REV 。我， 11月， 06
DWG ： 5498
文档编号： 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
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