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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第917页 > SI4404DY-T1-E3
Si4404DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0065在V
GS
= 10 V
0.008在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
23
17
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶部
意见
8
7
6
5
D
D
D
G
D
D
S
订货信息：
Si4404DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4404DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
2.9
3.5
2.2
- 55 150
23
19
60
1.3
1.6
1
W
°C
10 s
30
± 20
15
12
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
29
67
13
最大
35
80
16
° C / W
单位
文档编号： 71247
S09-0228 -REV 。 H， 09 -FEB -09
www.vishay.com
1
Si4404DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
1.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 23 A
36
15
12
2.2
20
15
105
40
50
3.7
30
23
160
60
80
ns
Ω
55
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 17 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 23 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0045
0.0068
80
0.8
1.2
0.0065
0.008
1.0
3.0
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 10
V
直通4
V
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
60
50
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
50
40
40
30
30
20
3
V
10
20
T
C
= 125 °C
10
25 °C
- 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71247
S09-0228 -REV 。 H， 09 -FEB -09
Si4404DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.010
6000
C
国际空间站
5000
R
S（上）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5
V
0.006
V
GS
= 10
V
0.004
4000
3000
2000
C
OSS
0.002
1000
C
RSS
0
6
12
18
24
30
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15
V
I
D
= 23 A
R
DS （ ON）
- 在- RESI立场
1.8
V
GS
= 10
V
I
D
= 23 A
电容
V
的s
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
8
1.6
1.4
(
N
ormalized ）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
20
40
60
80
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
60
0.010
导通电阻与结温
T
J
= 150 °C
10
R
S（上）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
0.006
0.004
I
D
= 23 A
0.002
T
J
= 25 °C
1
0.00
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71247
S09-0228 -REV 。 H， 09 -FEB -09
www.vishay.com
3
Si4404DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
0.2
0.0
40
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
Po
w
ER （
W
)
I
D
= 250
A
60
50
V
的s （次）
V
ariance （
V
)
30
20
10
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 67 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71247 。
www.vishay.com
4
文档编号： 71247
S09-0228 -REV 。 H， 09 -FEB -09
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOIC
（狭义） ： 8引脚
JEDEC型号： MS- 012
8
7
6
5
E
1
2
3
4
H
S
D
0.25毫米（ Gage的平面）
A
高x 45
C
所有引线
q
L
0.101 mm
0.004"
e
B
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
民
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
1.27 BSC
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
最大
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
民
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
英寸
最大
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.050 BSC
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN ： C- 06527 -REV 。我， 11月， 06
DWG ： 5498
文档编号： 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
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S-1131B20PD-N4FTFG
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S422-0030-10
ST62T52CB6
SPX1581T-2.8
ST62T52
STTH1R02_07
SSY39L400554CU3
S-1131B34UC-N4TTFG
S29CD016G0MQFA210
STD3NK90Z
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI4404DY-T1-E3
    -
    -
    -
    -
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联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SI4404DY-T1-E3
VISHAY/威世
24+
9265
SOP-8
新到原装现货热卖
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
SI4404DY-T1-E3
VISHAY
25+
4500
SOP-8
全新原装现货特价销售！
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联系人：朱经理、张小姐
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SI4404DY-T1-E3
VISHAY
2019+
15000
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SI4404DY-T1-E3
VISHAY
2019+
15000
SOP8
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
SI4404DY-T1-E3
Vishay
2025+
26820
8-SO
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
SI4404DY-T1-E3
VISHAY/威世
22+
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电话：0755-88917652分机801-83200050
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