Si4396DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0115在V
GS
= 10 V
0.016在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
16
12.7
Q
g
（典型值）
13.3 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
应用
笔记本逻辑直流/直流
- 低端
RoHS指令
柔顺
肖特基体二极管产品
摘要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.4在2A
I
S
(A)
5
a
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶部
意见
订购信息：
Si4396DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道
MOSFET
D
肖特基二极管
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
16
12.7
12.3
B，C
9.7
B，C
40
5
2.8
B，C
20
20
5.4
3.4
3.1
B，C
2.0
B，C
- 55 150
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大值为
85
° C / W 。
文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
www.vishay.com
1
B，D
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
34
17
最大
40
23
单位
° C / W
Si4396DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
在-State漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 4 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.35
29
18
14
15
T
C
= 25 °C
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1675
410
150
29.6
13.3
4.5
4.3
1.55
22
71
22
7
11
29
24
8
2.4
33
110
33
14
18
45
36
15
5
40
0.4
45
27
ns
Ω
45
20
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=
8
A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
20
0.0095
0.0132
40
0.0115
0.0160
0.18
22
30
1.2
2.6
± 100
1
100
V
V
nA
mA
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源体二极管和肖特基特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
Si4396DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
50
25 ° C，除非另有说明
2.0
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
VGS =
10通4
V
30
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
40
1.6
1.2
T
C
= 125 °C
0.8
20
10
3
V
0.4
T
C
= 25 °C
T
C
= - 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.018
2200
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.016
V
GS
= 4.5
V
0.014
- 电容（pF ）
1760
C
国际空间站
1320
0.012
880
0.010
V
GS
= 10
V
440
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.008
0
10
20
30
40
50
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 10 A
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
DS
= 10
V
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
(
N
ormalized ）
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 20
V
4
1.5
1.7
I
D
= 10 A
电容
V
GS
= 4.5
V
1.3
1.1
V
GS
= 10
V
2
0.9
0
0.0
6.2
12.4
18.6
24.8
31.0
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
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3
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典型特征
25 ° C，除非另有说明
100
r
DS （ ON）
- 漏 - 所以，
u
RCE导通电阻（ Ω ）
0.10
I
D
= 10 A
0.08
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
T
J
= 150 °C
10
0.06
T
A
= 125 °C
0.04
T
J
= 25 °C
1
0.02
T
A
= 25 °C
0.00
0
2
4
6
8
10
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
160
IR - 反向（ A）
30
V
0.01
20
V
Po
w
ER （
W
)
120
0.001
80
0.0001
0.00001
40
0.000001
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
反向电流（肖特基）
100
T
J
- 温度（ _C ）
结到环境
*有限
by
r
DS （ ON）
10
I
D
- D R A C语言
u
R R简T（A ）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
dc
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
*V
GS
1
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
GS
100
0.1
0.01
安全工作区
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Si4396DY
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典型特征
25 ° C，除非另有说明
19
15
漏电流（ A）
11
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
电流降额*
7.0
2.0
5.6
1.6
Po
w
ER （
W
)
4.2
Po
w
ER （
W
)
0
25
50
75
100
125
150
1.2
2.8
0.8
1.4
0.4
0.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
A
- 外壳温度（ ℃）
功率降额，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
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N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0115在V
GS
= 10 V
0.016在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
16
12.7
Q
g
（典型值）
13.3 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
应用
笔记本逻辑直流/直流
- 低端
RoHS指令
柔顺
肖特基体二极管产品
摘要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.4在2A
I
S
(A)
5
a
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶部
意见
订购信息：
Si4396DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道
MOSFET
D
肖特基二极管
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
16
12.7
12.3
B，C
9.7
B，C
40
5
2.8
B，C
20
20
5.4
3.4
3.1
B，C
2.0
B，C
- 55 150
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大值为
85
° C / W 。
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1
B，D
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
34
17
最大
40
23
单位
° C / W
Si4396DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
在-State漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 4 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.35
29
18
14
15
T
C
= 25 °C
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1675
410
150
29.6
13.3
4.5
4.3
1.55
22
71
22
7
11
29
24
8
2.4
33
110
33
14
18
45
36
15
5
40
0.4
45
27
ns
Ω
45
20
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=
8
A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
20
0.0095
0.0132
40
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0.18
22
30
1.2
2.6
± 100
1
100
V
V
nA
mA
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源体二极管和肖特基特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
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Vishay Siliconix公司
典型特征
50
25 ° C，除非另有说明
2.0
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
VGS =
10通4
V
30
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
40
1.6
1.2
T
C
= 125 °C
0.8
20
10
3
V
0.4
T
C
= 25 °C
T
C
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0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.018
2200
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.016
V
GS
= 4.5
V
0.014
- 电容（pF ）
1760
C
国际空间站
1320
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0.010
V
GS
= 10
V
440
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.008
0
10
20
30
40
50
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 10 A
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
DS
= 10
V
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
(
N
ormalized ）
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 20
V
4
1.5
1.7
I
D
= 10 A
电容
V
GS
= 4.5
V
1.3
1.1
V
GS
= 10
V
2
0.9
0
0.0
6.2
12.4
18.6
24.8
31.0
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
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3
Si4396DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非另有说明
100
r
DS （ ON）
- 漏 - 所以，
u
RCE导通电阻（ Ω ）
0.10
I
D
= 10 A
0.08
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
T
J
= 150 °C
10
0.06
T
A
= 125 °C
0.04
T
J
= 25 °C
1
0.02
T
A
= 25 °C
0.00
0
2
4
6
8
10
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
160
IR - 反向（ A）
30
V
0.01
20
V
Po
w
ER （
W
)
120
0.001
80
0.0001
0.00001
40
0.000001
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
反向电流（肖特基）
100
T
J
- 温度（ _C ）
结到环境
*有限
by
r
DS （ ON）
10
I
D
- D R A C语言
u
R R简T（A ）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
dc
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
*V
GS
1
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
GS
100
0.1
0.01
安全工作区
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文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
Si4396DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非另有说明
19
15
漏电流（ A）
11
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
电流降额*
7.0
2.0
5.6
1.6
Po
w
ER （
W
)
4.2
Po
w
ER （
W
)
0
25
50
75
100
125
150
1.2
2.8
0.8
1.4
0.4
0.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
A
- 外壳温度（ ℃）
功率降额，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 74252
S- 61223 -REV 。 A， 17 -JUL- 06
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