Si4346DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.023 @ V
GS
= 10 V
30
0.025 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.0 V
0.036 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
8
7.5
6.8
6.0
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr第二代功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
应用
D
高端DC / DC转换器
笔记本
的DeskTop
服务器
D
笔记本逻辑DC / DC ，低端
6.5
65
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
订购信息： Si4346DY -E3
Si4346DY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"12
8
6.5
30
2.2
2.5
1.6
稳定状态
单位
V
5.9
4.7
A
1.20
1.31
0.84
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
43
74
22
最大
50
95
27
单位
° C / W
C / W
1
Si4346DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 6.0 A
前锋
跨
a
电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 8 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
二极管正向
20
0.019
0.021
0.023
0.027
32
0.75
1.1
0.023
0.025
0.030
0.036
S
V
W
0.7
2.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.25
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
6.5
2.3
1.1
0.5
9
11
40
7
20
0.75
15
17
60
11
35
ns
W
10
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
2V
V
GS
= 10直通3 V
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
T
C
= 125_C
5
0
0.0
25_C
55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
传输特性
0.5
1.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
2
Si4346DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0
5
10
15
20
25
30
200
0
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
Vishay Siliconix公司
电容
C
国际空间站
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 15 V
I
D
= 8 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
0.03
I
D
= 8 A
1
0.02
0.01
0.1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
3
Si4346DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
20
功率（W）的
60
100
单脉冲功率，结到环境
80
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限公司*
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
I
D（上）
有限
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
dc
0.01
0.1
BV
DSS
有限
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 71_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
Si4346DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?72958 。
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
Si4346DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.023 @ V
GS
= 10 V
30
0.025 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.0 V
0.036 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
8
7.5
6.8
6.0
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr第二代功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
应用
D
高端DC / DC转换器
笔记本
的DeskTop
服务器
D
笔记本逻辑DC / DC ，低端
6.5
65
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
订购信息： Si4346DY -E3
Si4346DY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"12
8
6.5
30
2.2
2.5
1.6
稳定状态
单位
V
5.9
4.7
A
1.20
1.31
0.84
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
43
74
22
最大
50
95
27
单位
° C / W
C / W
1
Si4346DY
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 6.0 A
前锋
跨
a
电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 8 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
二极管正向
20
0.019
0.021
0.023
0.027
32
0.75
1.1
0.023
0.025
0.030
0.036
S
V
W
0.7
2.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.25
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
6.5
2.3
1.1
0.5
9
11
40
7
20
0.75
15
17
60
11
35
ns
W
10
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
2V
V
GS
= 10直通3 V
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
T
C
= 125_C
5
0
0.0
25_C
55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
传输特性
0.5
1.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
2
Si4346DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0
5
10
15
20
25
30
200
0
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
Vishay Siliconix公司
电容
C
国际空间站
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 15 V
I
D
= 8 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
0.03
I
D
= 8 A
1
0.02
0.01
0.1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
3
Si4346DY
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
20
功率（W）的
60
100
单脉冲功率，结到环境
80
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限公司*
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
I
D（上）
有限
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
dc
0.01
0.1
BV
DSS
有限
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 71_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
Si4346DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?72958 。
文档编号： 72958
S- 41793 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
