Si4300DY
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S），降低的Qg
快速开关MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0185 @ V
GS
= 10 V
0.033 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
9
7
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
LITTLE FOOT
Plust集成肖特基
D
PWM优化
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
应用
D
低功耗Sychronous整改
I
F
(A)
2.0
D
K
V
SD
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 1
SO-8
S / A
S / A
S / A
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4300DY
Si4300DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D / K
D / K
D / K
D / K
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
150 C)
管（MOSFET ）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
DA
V
GS
10秒]
30
30
"20
9
稳定状态
单位
V
6.4
5.1
40
A
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
7
2.3
2.3
20
2.5
1.6
2.2
1.4
- 55 150
1.25
1.25
1.38
0.88
1.25
0.80
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
稳态
稳态
R
thJA
R
thJF
肖特基
典型值
45
78
25
符号
典型值
40
70
18
最大
50
90
23
最大
55
100
30
单位
° C / W
C / W
2-1
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
肖特基二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
30
0.0155
0.0275
16
0.47
0.5
0.0185
0.033
0.8
"100
100
2000
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
11
8
22
9
32
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9 A
,
,
8.7
2.25
4.2
2.7
16
15
30
15
60
ns
W
13
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 24 V
V
r
= 24 V ，T
J
= 100_C
V
r
= - 24 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.5
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
g
I
rm
mA
结电容
C
T
pF
www.vishay.com
2-2
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通5 V
32
4V
I
D
- 漏电流（ A）
24
I
D
- 漏电流（ A）
24
32
40
MOSFET
传输特性
16
3V
8
16
T
C
= 125_C
8
25_C
- 55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
电容
- 电容（pF ）
0.12
1000
C
国际空间站
800
0.09
600
C
OSS
400
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
200
C
RSS
0.00
0
8
16
24
32
40
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.4
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
6
4
2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71772
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Si4300DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.20
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.12
I
D
= 9 A
0.08
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
5
- 0.8
- 1.0
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
功率（W）的
20
I
D
= 250
mA
30
25
单脉冲功率
15
10
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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文档编号： 71772
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
MOSFET
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
肖特基
正向电压降
10
T
J
= 150_C
反向电流与结温
1
0.1
30 V
24 V
I
F
- 正向电流（ A）
T
J
= 25_C
0.01
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
F
- 正向压降（ V）
电容
200
160
- 电容（pF ）
120
80
C
OSS
40
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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Si4300DY
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S），降低的Qg
快速开关MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0185 @ V
GS
= 10 V
0.033 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
9
7
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
LITTLE FOOT
Plust集成肖特基
D
PWM优化
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
应用
D
低功耗Sychronous整改
I
F
(A)
2.0
D
K
V
SD
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 1
SO-8
S / A
S / A
S / A
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4300DY
Si4300DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D / K
D / K
D / K
D / K
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
150 C)
管（MOSFET ）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
DA
V
GS
10秒]
30
30
"20
9
稳定状态
单位
V
6.4
5.1
40
A
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
7
2.3
2.3
20
2.5
1.6
2.2
1.4
- 55 150
1.25
1.25
1.38
0.88
1.25
0.80
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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稳态
稳态
R
thJA
R
thJF
肖特基
典型值
45
78
25
符号
典型值
40
70
18
最大
50
90
23
最大
55
100
30
单位
° C / W
C / W
2-1
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
正向跨导
b
肖特基二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
30
0.0155
0.0275
16
0.47
0.5
0.0185
0.033
0.8
"100
100
2000
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
11
8
22
9
32
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9 A
,
,
8.7
2.25
4.2
2.7
16
15
30
15
60
ns
W
13
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 24 V
V
r
= 24 V ，T
J
= 100_C
V
r
= - 24 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.5
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
g
I
rm
mA
结电容
C
T
pF
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2-2
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通5 V
32
4V
I
D
- 漏电流（ A）
24
I
D
- 漏电流（ A）
24
32
40
MOSFET
传输特性
16
3V
8
16
T
C
= 125_C
8
25_C
- 55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
电容
- 电容（pF ）
0.12
1000
C
国际空间站
800
0.09
600
C
OSS
400
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
200
C
RSS
0.00
0
8
16
24
32
40
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.4
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
6
4
2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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2-3
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.20
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.12
I
D
= 9 A
0.08
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
5
- 0.8
- 1.0
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
功率（W）的
20
I
D
= 250
mA
30
25
单脉冲功率
15
10
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
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文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
Si4300DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
MOSFET
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
肖特基
正向电压降
10
T
J
= 150_C
反向电流与结温
1
0.1
30 V
24 V
I
F
- 正向电流（ A）
T
J
= 25_C
0.01
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
F
- 正向压降（ V）
电容
200
160
- 电容（pF ）
120
80
C
OSS
40
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71772
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
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