Si4200DY
Vishay Siliconix公司
双N沟道25 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
25
R
DS （ ON）
(Ω)
0.025在V
GS
= 10 V
0.030在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
8
a
7.9
Q
g
（典型值）。
3.6 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
第三代功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
DC / DC转换器
-
游戏机
- 笔记本系统电源
8
7
6
5
顶部
意见
S
1
S
2
N沟道
MOSFET
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
订货信息：
Si4200DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
25
± 16
8
a
6.9
7.3
B，C
5.8
B，C
30
2.3
1.7
B，C
12
7.2
2.8
1.8
2.0
B，C
1.3
B，C
- 55 150
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
58
38
最大
62.5
45
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
文档编号： 66825
S10-2005 -REV 。 A， 06 - 09月10
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1
Si4200DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 16 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
=
10 V，I
D
= 7.3 A
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 6.7 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 7.3 A
分钟。
25
典型值。
马克斯。
单位
V
25
- 4.4
1.0
2.2
± 100
1
10
20
0.020
0.024
20
415
0.025
0.030
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
V
DS
= 13 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 13 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 13 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 13 V ，R
L
= 2.2
Ω
I
D
5.8 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
0.8
96
37
7.6
3.6
1.3
0.9
4.1
9
10
9
8
3
8.2
18
20
18
16
6
20
20
16
2.3
30
0.8
17
7
10
7
1.2
26
14
12
6
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= 13 V ，R
L
= 2.2
Ω
I
D
5.8 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
10
11
8
T
C
= 25 °C
I
S
= 5.8 A，V
GS
= 0 V
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 5.8 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 66825
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
30
V
GS
= 10 V直通4 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
10
8
18
V
GS
= 3 V
6
T
C
= 25 °C
4
12
6
2
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.032
600
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.027
V
GS
= 4.5 V
0.022
V
GS
= 10 V
- 电容（pF ）
450
C
国际空间站
300
0.017
150
C
OSS
C
RSS
0.012
0
6
12
18
24
30
0
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 7.3 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
1.5
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 6.7 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
8
V
DS
= 6.25 V
6
V
DS
= 12.5 V
4
V
DS
= 20 V
2
1.3
（归一化）
1.1
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7.3 A
0.9
0
0
2
4
6
8
10
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.08
I
D
= 7.3 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
0.06
0.04
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
T
J
= 25 °C
0.02
0.1
0
0.5
1.0
1.5
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.8
50
导通电阻与栅极至源极电压
1.6
I
D
= 250 μA
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
40
1.4
30
1.2
20
1.0
10
0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
单脉冲功率
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
BVDSS有限公司
1s
10 s
DC
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
8
I
D
- 漏电流（ A）
包装有限公司
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
3.5
1.5
2.8
1.2
功率（W）的
1.4
功率（W）的
2.1
0.9
0.6
0.7
0.3
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
功率降额，结到环境
功率降额，结到脚
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 66825
S10-2005 -REV 。 A， 06 - 09月10
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5
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