Si3981DV
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.185 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.260 @ V
GS
=
2.5
V
0.385 @ V
GS
=
1.8
V
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
1.9
1.6
0.7
应用
D
电池开关用于便携式设备
D
电脑
总线开关
负荷开关
TSOP-6
顶视图
G1
3 mm
6
5
D1
G
1
S
1
S
2
1
2
S2
S1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
订购信息： Si3981DV -T1 -E3
标识代码： MCxxx
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"8
单位
V
1.9
1.5
8
1.0
1.08
0.69
55
150
1.6
1.3
A
0.72
0.80
0.51
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72502
S- 40575 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
97
132
78
最大
115
155
95
单位
° C / W
C / W
1
Si3981DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.9
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.6
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.7
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
1.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
5
0.146
0.210
0.306
4
0.84
1.1
0.185
0.260
0.385
S
V
W
0.40
1.1
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.00
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.9
A
3.2
0.42
0.84
6
30
50
45
21
20
45
85
85
50
40
ns
W
5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
7
I D
漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
1.5 V
2V
V
GS
= 5通3 V
8
7
I D
漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
0.0
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
2.5 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72502
S- 40575 -REV 。 C， 29 -MAR -04
2
Si3981DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.6
0.5
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
I
D
漏电流（ A）
V
GS
= 1.8 V
C
电容（pF）
400
350
300
250
200
150
100
50
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
6
5
4
3
2
1
0
0.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.9 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.9 A
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.4
I
D
= 1.9 A
I
S
源电流（ A）
1
T
J
= 150_C
0.3
0.2
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72502
S- 40575 -REV 。 C， 29 -MAR -04
0.0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si3981DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.3
25
单脉冲功率，结到环境
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
20
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.1
15
0.0
10
0.1
5
0.2
50
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 132 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 72502
S- 40575 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
4
Si3981DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
2
1
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72502
S- 40575 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
