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Si3911DV
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.145 @ V
GS
= –4.5 V
–20
0.200 @ V
GS
= –2.5 V
0.300 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–2.2
–1.8
–1.5
S
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
1
3 mm
S2
2
5
S1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
–1.05
1.15
0.73
-55到150
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
–20
"8
单位
V
–2.2
I
D
–1.8
"8
–1.8
–1.5
A
–0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3911DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.2 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –2.2 A
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
–5
0.115
0.163
0.240
5
–0.8
–1.1
0.145
0.200
0.300
S
V
W
–0.45
"100
–1
–10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -4 V ，R
L
= 8
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.2 A
5
1
0.9
12
29
24
30
20
20
50
45
50
40
ns
7.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
10
传输特性
V
GS
= 4.5直通2.5 V
6
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
T
C
= –55_C
8
25_C
6
125_C
4
4
2V
2
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
Si3911DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.75
600
Vishay Siliconix公司
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.60
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.45
V
GS
= 1.8 V
0.30
V
GS
= 2.5 V
0.15
V
GS
= 4.5 V
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0.00
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.2 A
栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.2 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
1
2
3
4
5
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.3
I
D
= 2.2 A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
www.vishay.com
3
Si3911DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
8
单脉冲功率（结到环境）
0.3
6
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率（W）的
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
Si3911DV
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.145 @ V
GS
= –4.5 V
–20
0.200 @ V
GS
= –2.5 V
0.300 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–2.2
–1.8
–1.5
S
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
1
3 mm
S2
2
5
S1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
–1.05
1.15
0.73
-55到150
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
–20
"8
单位
V
–2.2
I
D
–1.8
"8
–1.8
–1.5
A
–0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3911DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.2 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –2.2 A
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
–5
0.115
0.163
0.240
5
–0.8
–1.1
0.145
0.200
0.300
S
V
W
–0.45
"100
–1
–10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -4 V ，R
L
= 8
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.2 A
5
1
0.9
12
29
24
30
20
20
50
45
50
40
ns
7.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
10
传输特性
V
GS
= 4.5直通2.5 V
6
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
T
C
= –55_C
8
25_C
6
125_C
4
4
2V
2
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
Si3911DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.75
600
Vishay Siliconix公司
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.60
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.45
V
GS
= 1.8 V
0.30
V
GS
= 2.5 V
0.15
V
GS
= 4.5 V
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0.00
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.2 A
栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.2 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
1
2
3
4
5
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.3
I
D
= 2.2 A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71380
S- 20275 -REV 。 B， 18 -MAR -02
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3
Si3911DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
8
单脉冲功率（结到环境）
0.3
6
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率（W）的
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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文档编号： 71380
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SA25C512LN
S29CD032G0JFAM102
SKIIP592GB160270WT
SR26
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S-812C57BPI-C5LTFG
SN74LVTH652PWRE4
SMD200-2
SiHFBC30AL-E3
SDR0503-102K
SFH4883
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI3911DV
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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SI3911DV
VISHAY
15+
99000
SOT163
产品优势可售样板
深圳市源丰诚电子科技有限公司
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电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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