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SPICE器件模型Si3909DV
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 71511
S-50836
Rev 。
B， 16日， 05
www.vishay.com
1
SPICE器件模型Si3909DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.8 A
漏源导通电阻
a
符号
测试条件
模拟
数据
1.1
14
0.18
0.19
0.25
3.6
0.78
测
数据
单位
V
A
0.16
0.19
0.28
3.6
0.83
S
V
r
DS （ ON）
V
GS
=
3.6
V，I
D
=
1.6
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
10
V，I
D
=
1.8
A
I
S
=
1.05
A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.05
A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
I
D
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.8
A
2.5
0.40
0.60
10
8
52
7
20
2.7
0.40
0.60
11
34
19
24
20
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71511
S-50836
Rev 。
B， 16日， 05
SPICE器件模型Si3909DV
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 71511
S-50836
Rev 。
B， 16日， 05
www.vishay.com
3
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