新产品
Si3879DV
Vishay Siliconix公司
P通道20 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
特点
I
D
(A)
a
- 5.0
- 4.2
Q
g
（典型值）
4.5 NC
产品概述
V
DS
(V)
- 20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.070在V
GS
= - 5.0 V
0.105在V
GS
= - 2.5 V
LITTLE FOOT
PLUS
肖特基功率MOSFET
应用
- 硬盘
- DC -DC转换器
异步整改
RoHS指令
柔顺
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.45在1
I
F
(A)
a
2
TSOP-6
顶视图
A
1
6
D / K
S
A
3
mm
S
2
5
D / K
标识代码
IG
XXX
很多轨迹A
b
ILITY
和
日期代码
零件编号代码
G
G
3
4
D / K
2.
8
5 mm
D
订货信息：
Si3879DV-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
K
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源极 - 漏极二极管电流
（ MOSFET二极管的导通）
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
T
C
= 25 °C
最大功率耗散（ MOSFET ）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散（肖特基）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
I
DM
I
S
I
F
I
FM
I
D
符号
V
DS
V
KA
V
GS
极限
- 20
20
± 12
- 5.0
- 4.0
- 4.0
B，C
- 3.0
B，C
- 20
- 2.7
- 1.6
B，C
2
b
5
3.3
2.1
2.0
B，C
1.2
B，C
1.9
1.2
1.3
B，C
0.9
B，C
- 55 150
°C
W
A
V
单位
文档编号： 74958
S- 71290 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
www.vishay.com
1
新产品
Si3879DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到脚（漏） （ MOSFET ）
最大结到环境（肖特基）
B，E
最大结到脚（漏） （肖特基）
管（MOSFET ）
B，D
t
≤
5秒
稳定状态
t
≤
5秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
R
thJA
R
thJF
典型
51
30
73
50
最大
62.5
37
90
65
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 t为5秒。
。在稳态条件下最大为105 ° C / W 。
。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 2.0
Ω
I
D
- 5.0 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 2.0
Ω
I
D
- 5.0 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 5.0 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4.5 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
480
132
55
9.7
4.5
1.0
1.0
7.5
6
54
19
8
26
80
20
10
10
85
30
15
40
120
30
15
ns
Ω
14.5
7
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3.5 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 3.0 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 3.5 A
-8
0.058
0.085
10
0.070
0.105
- 0.6
- 20
- 20
3
- 1.5
± 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
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2
文档编号： 74958
S- 71290 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
新产品
Si3879DV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 3.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 1.0 A，V
GS
= 0 V
- 0.75
25
12
9
16
T
C
= 25 °C
- 2.7
- 20
- 1.2
40
20
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125 °C
V
r
= 5 V
V
r
= 5 V ，T
J
= 85 °C
最大反向漏电流
I
rm
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85 °C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125 °C
结电容
C
T
V
r
= 10 V
民
典型值
0.41
0.36
0.015
0.50
0.02
0.7
5
60
最大
0.45
0.41
0.08
5.00
0.10
7.00
50
pF
mA
单位
V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 74958
S- 71290 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
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3
新产品
Si3879DV
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 5通4 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
1.6
3.5
V
I
D
- 漏电流（ A）
1.2
T
C
= 125 °C
0.8
T
C
= 25 °C
0.4
2V
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
2.0
18
3
V
12
2.5 V
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.20
650
传输特性
r
DS （ ON）
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
0.16
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
520
C
国际空间站
0.12
390
0.08
V
GS
= 4.5 V
0.04
260
C
OSS
130
C
RSS
0
0.00
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 5 A
V
GS
- G
a
TE-用于─
S
o
u
RCE伏
a
GE （ V）
8
V
DS
= 10 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻
1.5
1.7
I
D
=
3.5
A
电容
V
GS
= 4.5 V
（归一化）
6
V
DS
= 5 V
4
V
DS
= 15 V
1.3
1.1
V
GS
= 2.5 V
2
0.9
0
0
2
4
6
8
10
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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4
导通电阻与结温
文档编号： 74958
S- 71290 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
新产品
Si3879DV
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
100
0.30
I
D
=
3.5
A
0.25
I
S
-
来源
电流（A ）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.20
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.15
125 °C
0.10
0.1
0.05
25 °C
0.01
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
1.0
1.8
2.6
3.4
4.2
5.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
索里漏二极管正向电压
0.4
50
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
I
D
= 5毫安
20
0.0
10
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
100
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
*有限
by
r
DS （ ON）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
1
s,
10
s
dc
T
A
= 25 °C
单身
脉冲
0.01
0.001
0.1
*V
GS
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区，结至外壳
文档编号： 74958
S- 71290 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
