Si3850ADV
Vishay Siliconix公司
互补MOSFET半桥（ N和P通道）
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.300在V
GS
= 4.5 V
0.410在V
GS
= 3.0 V
0.640在V
GS
= - 4.5 V
0.980在V
GS
= - 3.0 V
I
D
(A)
1.4
1.2
- 0.96
- 0.78
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
P沟道
- 20
TSOP-6
顶视图
G
1
D
1
6
S
1
D
G
2
S
2
2
5
D
G
2
3
4
S
2
G
1
订货信息：
Si3850ADV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3850ADV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
（表面安装在FR4电路板）
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
1.1
3.5
0.9
1.08
0.70
- 55 150
N沟道
20
± 12
- 0.96
- 0.77
- 2.0
- 0.9
W
°C
A
P沟道
- 20
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结到环境（表面安装在FR4板， ±
≤
10 s)
注意：
稳态条件下最大为150 ° C / W 。
符号
R
thJA
N或P通道
115
单位
° C / W
文档编号： 73789
S09-2110 -REV 。 B， 12 - OCT- 09
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1
Si3850ADV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
=
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
=
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.5 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= - 3.0 V，I
D
= - 0.5 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体二极管的反向恢复TME
体二极管反向恢复
收费
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
0.9 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 0.9 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 1 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.95
1.10
0.22
0.28
0.24
0.26
3.5
10.5
8
13
16
34
20
18
9
18
20
25
9
9
5.3
16
14
20
25
50
30
30
15
30
30
40
15
15
nC
ns
Ω
1.4
1.7
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 1 A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
I
S
= - 0.8 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3.0
- 1.5
0.240
0.510
0.325
0.780
1.8
1.1
0.87
- 1.0
1.2
- 1.3
0.300
0.640
0.410
0.980
S
V
Ω
N沟道
P沟道
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
± 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73789
S09-2110 -REV 。 B， 12 - OCT- 09
Si3850ADV
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N沟道典型特征
3.5
V
GS
= 5.0
V
直通4
V
3.0
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
V
0.0
0.0
0.0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
0
1
2
3
4
2.5
V
3
V
2.4
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
25 °C
1.8
T
C
= 125 °C
1.2
- 55 °C
25 ℃，除非另有说明
3.0
0.6
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.7
0.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 3
V
- 电容（pF ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
4
V
GS
= 4.5
V
88
110
传输特性
C
国际空间站
66
C
OSS
44
22
C
RSS
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 1 A
8
1.6
V
DS
= 5
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 10
V
1.4
(
N
ormalized ）
1.8
I
D
= 1.2 A
电容
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
GS
= 3
V
6
V
GS
= 4.5
V
1.2
4
V
GS
= 15
V
1.0
2
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
1.5
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
150 °C
1.2
25 °C
0.1
0.9
0.6
125 °C
0.3
25 °C
0.01
0.001
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
30
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
V
GS （ TH）
V
ariance （
V
)
24
- 0.0
Po
w
ER （
W
)
18
- 0.1
I
D
= 5毫安
- 0.2
12
- 0.3
I
D
= 250
A
6
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
单脉冲功率
有限
by
R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100毫秒
1 s, 10 s
DC
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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文档编号： 73789
S09-2110 -REV 。 B， 12 - OCT- 09
Si3850ADV
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N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
1
占空比= 0.5
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
注意事项：
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
4.表层嵌
100
1000
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
文档编号： 73789
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