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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第206页 > SI3831DV
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
双向P沟道MOSFET /电源开关
产品概述
V
DS
(V)
"7
r
DS （ ON）
(W)
0.170 @ V
GS
= –4.5 V
0.240 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"2.4
"2.0
特点
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
对称的P沟道MOSFET
综合体偏压双向阻断
2.5至5.5 V工作
超过
"2
kV的ESD保护
D
高侧电池断开开关解决方案（ BDS ）
D
支持电池开关在多个电池单元
手机， PDA和PC产品
D
薄型，小尺寸TSOP -6封装
描述
该Si3831DV是一个低导通电阻的P沟道功率
的MOSFET提供双向阻断和导通。
双向阻断通过组合4-终端便利
对称的p沟道MOSFET与一个体偏置选择
电路* 。电路操作而自动地偏置的p沟道
体的最正源极/漏极电位，从而
保持二极管两端存在一个反向偏压之间
源极/漏极端子。
断态装置阻挡
特性是对称的，有利于双向
堵在便携式产品的高侧电池开关。
栅极驱动由门相对的负偏置便利
到主体的潜力。断开状态是通过偏置来实现
栅极连接到该最正电源电压或到主体
势。该Si3831DV是一个6针可TSOP- 6
封装额定为-25至85 ° C商业级温度
范围内。
应用电路
交流/直流
适配器
充电器
体
BIAS
负载
体
BIAS
Si3831DV
直流/直流
Si3831DV
体
BIAS
体
BIAS
Si3831DV
Si3831DV
充电器
图1 。
解复用充电器
图2中。
电池复用（高边开关）
*专利正在申请中。
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-1
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
S / D
(6)
TSOP-6
顶视图
体
体
BIAS
发电机
1
6
S / D
P沟道MOSFET
G
(3)
ESD
保护
3 mm
子
2
5
子
G
3
4
D / S
D / S
(4)
体
(1)
衬底（GND）的
(2, 5)
2.75 mm
网络连接gure 3 。
图4中。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压，源极 - 漏极电压
a
源体/漏体/栅极电压美体
体衬底电压
连续漏极 - 源极电流（T
J
= 150_C)
A，B
脉冲漏 - 源极电流
a
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
SB
, V
DB
, V
GB
V
bsub
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
-7.0到+7.0
0.3 -7.0
+7.0 -0.3
"2.4
"2.0
"8
1.5
1.0
-55到150
单位
V
A
W
_C
推荐工作范围
参数
漏源电压
a
栅漏， /栅源电压
源体/漏体/栅极电压美体
漏极至源极电流
A，B
体源电流
符号
V
DS
, V
DS
V
GD
, V
GS
V
SB
, V
DB
, V
GB
I
DS
I
BS
范围
-5.5 5.5
0至-5.5
0至-5.5
"2.4
0-10
单位
V
A
mA
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
符号
R
thJA
极限
80
125
单位
° C / W
C / W
笔记
一。双向的。
B 。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
。表面安装在FR4板，稳态。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
2-2
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
产品规格（V
BS
= 0 V ，T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
= -5.5 V至+0.3 V
V
DS
= –5.5 V, V
GS
= 0 V, V
SB
= 0 V
V
DS
= –5.5 V, V
GS
= 0 V, V
SB
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –3 V, V
GS
= –4.5 V
V
DS
= –3 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.4 A
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.0 A
–8
A
–3
0.130
0.180
0.170
0.240
W
–0.4
"100
–1
–5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -3 V ，R
L
= 3
W
3 V,
I
D
^
-1.0 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
10A
4 5 V,
V
DS
= –5 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –2.4 A
5V
4 5 V,
24
2.0
0.23
0.14
12
55
90
85
25
110
ns
180
170
4.0
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
门缓冲器参考
体
BIAS
体
BIAS
Si3831DV
负载
Si3831DV
负载
IN
IN
图5中。
门缓冲参照大多数正电源
图6 。
门缓冲参照体偏压引脚
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
www.vishay.com
S
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2-3
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
V
GS
= 5通3 V
2.5 V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
T
C
= –55_C
25_C
传输特性
2V
4
125_C
4
1.5 V
2
1V
0
0
1
2
3
4
5
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
250
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
200
- 电容（pF ）
0.3
C
OSS
150
C
国际空间站
0.2
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
100
0.1
50
C
RSS
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
4.5
V
DS
= 3 V
I
D
= 2.4 A
栅极电荷
1.4
1.3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
–50
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
2.7
1.8
0.9
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
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文档编号： 70785
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Si3831DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
8
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
0.3
I
D
= 2.4 A
I
D
= 0.5 A
0.2
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
15
单脉冲功率
0.3
12
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率（W）的
9
6
0.0
3
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
时间（秒）
1.00
10.00
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70785
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Si3831DV
Vishay Siliconix公司
双向P沟道MOSFET /电源开关
产品概述
V
DS
(V)
"7
r
DS （ ON）
(W)
0.170 @ V
GS
= –4.5 V
0.240 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"2.4
"2.0
特点
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
对称的P沟道MOSFET
综合体偏压双向阻断
2.5至5.5 V工作
超过
"2
kV的ESD保护
D
高侧电池断开开关解决方案（ BDS ）
D
支持电池开关在多个电池单元
手机， PDA和PC产品
D
薄型，小尺寸TSOP -6封装
描述
该Si3831DV是一个低导通电阻的P沟道功率
的MOSFET提供双向阻断和导通。
双向阻断通过组合4-终端便利
对称的p沟道MOSFET与一个体偏置选择
电路* 。电路操作而自动地偏置的p沟道
体的最正源极/漏极电位，从而
保持二极管两端存在一个反向偏压之间
源极/漏极端子。
断态装置阻挡
特性是对称的，有利于双向
堵在便携式产品的高侧电池开关。
栅极驱动由门相对的负偏置便利
到主体的潜力。断开状态是通过偏置来实现
栅极连接到该最正电源电压或到主体
势。该Si3831DV是一个6针可TSOP- 6
封装额定为-25至85 ° C商业级温度
范围内。
应用电路
交流/直流
适配器
充电器
体
BIAS
负载
体
BIAS
Si3831DV
直流/直流
Si3831DV
体
BIAS
体
BIAS
Si3831DV
Si3831DV
充电器
图1 。
解复用充电器
图2中。
电池复用（高边开关）
*专利正在申请中。
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-1
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
S / D
(6)
TSOP-6
顶视图
体
体
BIAS
发电机
1
6
S / D
P沟道MOSFET
G
(3)
ESD
保护
3 mm
子
2
5
子
G
3
4
D / S
D / S
(4)
体
(1)
衬底（GND）的
(2, 5)
2.75 mm
网络连接gure 3 。
图4中。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压，源极 - 漏极电压
a
源体/漏体/栅极电压美体
体衬底电压
连续漏极 - 源极电流（T
J
= 150_C)
A，B
脉冲漏 - 源极电流
a
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
SB
, V
DB
, V
GB
V
bsub
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
-7.0到+7.0
0.3 -7.0
+7.0 -0.3
"2.4
"2.0
"8
1.5
1.0
-55到150
单位
V
A
W
_C
推荐工作范围
参数
漏源电压
a
栅漏， /栅源电压
源体/漏体/栅极电压美体
漏极至源极电流
A，B
体源电流
符号
V
DS
, V
DS
V
GD
, V
GS
V
SB
, V
DB
, V
GB
I
DS
I
BS
范围
-5.5 5.5
0至-5.5
0至-5.5
"2.4
0-10
单位
V
A
mA
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
符号
R
thJA
极限
80
125
单位
° C / W
C / W
笔记
一。双向的。
B 。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
。表面安装在FR4板，稳态。
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S
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文档编号： 70785
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Si3831DV
Vishay Siliconix公司
产品规格（V
BS
= 0 V ，T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
= -5.5 V至+0.3 V
V
DS
= –5.5 V, V
GS
= 0 V, V
SB
= 0 V
V
DS
= –5.5 V, V
GS
= 0 V, V
SB
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –3 V, V
GS
= –4.5 V
V
DS
= –3 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.4 A
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.0 A
–8
A
–3
0.130
0.180
0.170
0.240
W
–0.4
"100
–1
–5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -3 V ，R
L
= 3
W
3 V,
I
D
^
-1.0 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
10A
4 5 V,
V
DS
= –5 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –2.4 A
5V
4 5 V,
24
2.0
0.23
0.14
12
55
90
85
25
110
ns
180
170
4.0
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
门缓冲器参考
体
BIAS
体
BIAS
Si3831DV
负载
Si3831DV
负载
IN
IN
图5中。
门缓冲参照大多数正电源
图6 。
门缓冲参照体偏压引脚
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
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S
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Si3831DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
V
GS
= 5通3 V
2.5 V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
T
C
= –55_C
25_C
传输特性
2V
4
125_C
4
1.5 V
2
1V
0
0
1
2
3
4
5
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
250
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
200
- 电容（pF ）
0.3
C
OSS
150
C
国际空间站
0.2
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
100
0.1
50
C
RSS
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
4.5
V
DS
= 3 V
I
D
= 2.4 A
栅极电荷
1.4
1.3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
–50
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
2.7
1.8
0.9
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
Si3831DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
8
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
0.3
I
D
= 2.4 A
I
D
= 0.5 A
0.2
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
15
单脉冲功率
0.3
12
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率（W）的
9
6
0.0
3
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
时间（秒）
1.00
10.00
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70785
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
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