Si3812DV
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"2.4
"1.8
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
0.5
D
K
TSOP-6
顶视图
A
1
6
K
G
3 mm
S
2
5
N / C
G
3
4
D
2.85 mm
S
N沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
_
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71069
S- 03510 -REV 。 D， 16 -APR- 01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
20
20
"12
"2.4
"1.7
"8
1.05
0.5
8
1.15
0.59
1.0
0.52
稳定状态
单位
V
"12
"2.0
"1.4
A
0.75
0.5
8
0.83
0.53
0.76
0.48
-55到150
_C
W
1
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
结到环境
a
t
v
5秒
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
符号
典型
93
103
最大
110
125
150
165
90
95
单位
R
thJA
130
140
75
结到环境
a
稳定状态
肖特基
MOSFET
R
thJF
° C / W
_
结到脚（漏极MOSFET ，肖特基Kathode ）
稳定状态
肖特基
80
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
MOSFET +肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.1
0.125
0.200
W
S
V
0.6
"100
1
10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5
I
F
= 0.5, T
J
= 125_C
V
r
= 20
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.06
1.5
31
最大
0.48
单位
V
0.4
0.100
1
10
pF
mA
最大反向漏电流
I
rm
V
r
= 20, T
J
= 75_C
V
r
= 20, T
J
= 125_C
结电容
C
T
V
r
= 10 V
www.vishay.com
2
文档编号： 71069
S- 03510 -REV 。 D， 16 -APR- 01
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 4.5直通3.5 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
6
125_C
10
T
C
= –55_C
MOSFET
传输特性
4
2
2V
2
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.5
300
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.6
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71069
S- 03510 -REV 。 D， 16 -APR- 01
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3
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
I
D
= 2.4 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1 A
0.24
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
–0.0
功率（W）的
4
–0.2
2
–0.4
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 71069
S- 03510 -REV 。 D， 16 -APR- 01
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
150
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71069
S- 03510 -REV 。 D， 16 -APR- 01
www.vishay.com
5
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
2.4
1.8
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
D
LITTLE FOOT
Plust
D
100% R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
0.5
TSOP-6
顶视图
A
3 mm
1
6
5
K
G
S
2
N / C
D
K
G
3
4
D
2.85 mm
订购信息： Si3812DV -T1
S
N沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71069
S- 31725 -REV 。 E， 18 - 8 - 03
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
20
20
"12
2.4
1.7
8
1.05
0.5
8
1.15
0.59
1.0
0.52
稳定状态
单位
V
2.0
1.4
0.75
0.5
8
0.83
0.53
0.76
0.48
- 55 150
_C
W
A
1
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
结到环境
a
J
TI T A双向吨
t
v
5秒
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
稳步圣吨
圣D态
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
93
103
最大
110
125
150
165
90
95
单位
R
thJA
结到环境
a
J
TI T A双向吨
130
140
° C / W
结到脚
结到脚（漏极MOSFET肖特基Kathode ）
漏，
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
稳定状态
R
thJF
75
80
MOSFET +肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET +肖特基）
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.1
0.125
0.200
W
S
V
0.6
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
10
30
14
6
30
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
3.7
17
50
25
12
50
ns
W
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5
I
F
= 0.5, T
J
= 125_C
V
r
= 20
V
r
= 20, T
J
= 75_C
V
r
= 20, T
J
= 125_C
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.06
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
g
I
rm
mA
结电容
www.vishay.com
C
T
V
r
= 10 V
pF
2
文档编号： 71069
S- 31725 -REV 。 E， 18 - 8 - 03
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
MOSFET
10
输出特性
V
GS
= 4.5直通3.5 V
传输特性
T
C
= - 55_C
8
I
D
- 漏电流（ A）
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
6
125_C
4
2
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.5
导通电阻与漏电流
300
250
- 电容（pF ）
200
150
100
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
C
国际空间站
0.3
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.1
0.2
C
OSS
50
C
RSS
0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
栅极电荷
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
2.7
1.8
0.9
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
3.6
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71069
S- 31725 -REV 。 E， 18 - 8 - 03
www.vishay.com
3
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.4 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 1 A
1
T
J
= 150_C
0.24
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
功率（W）的
8
单脉冲功率，结到环境
- 0.0
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
文档编号： 71069
S- 31725 -REV 。 E， 18 - 8 - 03
4
Si3812DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71069
S- 31725 -REV 。 E， 18 - 8 - 03
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5
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